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MMBT2222ALT1G (ON) NPN-Bipolartransistor

MMBT2222ALT1G (ON) NPN-Bipolartransistor

Produktcode: 35896
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Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 40 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 75 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 A
Montage: SMD
auf Bestellung 460 St.:
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Möglichen Substitutionen MMBT2222ALT1G (ON) NPN-Bipolartransistor ON

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT2222 (NPN-Bipolartransistor) MMBT2222 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 12976
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NXP MMBT2222.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 30 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 60 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 A
Stromverstärkung h21: 300
Montage: SMD
verfügbar: 250 St.
    1+0.048 EUR
    10+0.038 EUR
    100+0.036 EUR
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    MMBT2222A MMBT2222A
    Produktcode: 160580
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    		Yangjie mmbt2222a-sot23.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
    Gehäuse: SOT-23
    Transitfrequenz fT: 300 МГц
    Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 40 В
    Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 75 В
    Kollektorstrom Ic, A: 0,6 А
    Stromverstärkung h21: 300
    Montage: SMD
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    MMBT2222 (NPN-Bipolartransistor)
    Produktcode: 12976
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    		MMBT2222.pdf
    MMBT2222 (NPN-Bipolartransistor)
    Hersteller: NXP
    Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
    Gehäuse: SOT-23
    Transitfrequenz fT: 300 MHz
    Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 30 V
    Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 60 V
    Kollektorstrom Ic, A: 0,6 A
    Stromverstärkung h21: 300
    Montage: SMD
    verfügbar: 250 St.
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      MMBT2222A
      Produktcode: 160580
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      		mmbt2222a-sot23.pdf
      MMBT2222A
      Hersteller: Yangjie
      Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
      Gehäuse: SOT-23
      Transitfrequenz fT: 300 МГц
      Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 40 В
      Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 75 В
      Kollektorstrom Ic, A: 0,6 А
      Stromverstärkung h21: 300
      Montage: SMD
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      Weitere Produktangebote MMBT2222ALT1G (ON) NPN-Bipolartransistor nach Preis ab 0.015 EUR bis 0.93 EUR

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      MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
      auf Bestellung 42867 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      11765+0.015 EUR
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      MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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      6850+0.026 EUR
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      MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
      auf Bestellung 2187000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      4256+0.042 EUR
      6000+0.036 EUR
      Mindestbestellmenge: 4256 Stücke
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      MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
      auf Bestellung 2187000 Stücke:
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      4256+0.042 EUR
      6000+0.036 EUR
      Mindestbestellmenge: 4256 Stücke
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      MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
      auf Bestellung 1359000 Stücke:
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      3650+0.049 EUR
      6000+0.042 EUR
      Mindestbestellmenge: 3650 Stücke
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      MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
      Mounting Type: Surface Mount
      Transistor Type: NPN
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
      Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
      DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
      Frequency - Transition: 300MHz
      Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
      Part Status: Active
      Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
      Power - Max: 225 mW
      auf Bestellung 63250 Stücke:
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      3000+0.051 EUR
      6000+0.045 EUR
      Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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      MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
      auf Bestellung 177000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      3195+0.055 EUR
      12000+0.026 EUR
      27000+0.025 EUR
      51000+0.024 EUR
      102000+0.023 EUR
      Mindestbestellmenge: 3195 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
      auf Bestellung 69591 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      2667+0.065 EUR
      3059+0.057 EUR
      3237+0.052 EUR
      6000+0.049 EUR
      15000+0.044 EUR
      30000+0.04 EUR
      Mindestbestellmenge: 2667 Stücke
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      MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ONSEMI MMBT2222.PDF Category: NPN SMD transistors
      Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
      Type of transistor: NPN
      Polarisation: bipolar
      Collector-emitter voltage: 40V
      Collector current: 0.6A
      Power dissipation: 0.225/0.3W
      Case: SOT23; TO236AB
      Current gain: 100...300
      Mounting: SMD
      Kind of package: reel; tape
      Frequency: 300MHz
      auf Bestellung 82893 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      455+0.19 EUR
      685+0.12 EUR
      1005+0.084 EUR
      1185+0.071 EUR
      1725+0.049 EUR
      2017+0.042 EUR
      3000+0.033 EUR
      6000+0.029 EUR
      9000+0.026 EUR
      Mindestbestellmenge: 455 Stücke
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      MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
      auf Bestellung 69591 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      790+0.23 EUR
      1223+0.14 EUR
      1234+0.13 EUR
      1938+0.081 EUR
      1961+0.077 EUR
      2667+0.055 EUR
      3059+0.045 EUR
      3237+0.043 EUR
      6000+0.04 EUR
      Mindestbestellmenge: 790 Stücke
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      MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 40V
      auf Bestellung 1189568 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      13+0.27 EUR
      21+0.17 EUR
      100+0.1 EUR
      500+0.074 EUR
      1000+0.065 EUR
      3000+0.048 EUR
      6000+0.044 EUR
      Mindestbestellmenge: 13 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
      Packaging: Cut Tape (CT)
      Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
      Mounting Type: Surface Mount
      Transistor Type: NPN
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
      Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
      DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
      Frequency - Transition: 300MHz
      Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
      Part Status: Active
      Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
      Power - Max: 225 mW
      auf Bestellung 63254 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      77+0.27 EUR
      124+0.17 EUR
      202+0.1 EUR
      500+0.075 EUR
      1000+0.065 EUR
      Mindestbestellmenge: 77 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ONSEMI 4078632.pdf Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
      tariffCode: 85412100
      Transistormontage: Oberflächenmontage
      euEccn: NLR
      rohsCompliant: YES
      DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: AEC-Q101
      isCanonical: Y
      MSL: -
      Verlustleistung: 225mW
      SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: SOT-23
      Dauerkollektorstrom: 600mA
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: MMBTxxxx
      Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
      productTraceability: No
      Wandlerpolarität: NPN
      usEccn: EAR99
      Übergangsfrequenz: 300MHz
      Betriebstemperatur, max.: 150°C
      auf Bestellung 546030 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      		 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ONSEMI 4078632.pdf Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
      tariffCode: 85412100
      Transistormontage: Oberflächenmontage
      euEccn: NLR
      rohsCompliant: YES
      DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: AEC-Q101
      isCanonical: N
      MSL: -
      Verlustleistung: 225mW
      SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: SOT-23
      Dauerkollektorstrom: 600mA
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: MMBTxxxx
      Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
      productTraceability: No
      Wandlerpolarität: NPN
      usEccn: EAR99
      Übergangsfrequenz: 300MHz
      Betriebstemperatur, max.: 150°C
      auf Bestellung 546030 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      		 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT2222ALT1G ON-Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBT2222ALT1G; MMBT2222A-7-F; MMBT2222A RFG; MMBT2222A,215; MMBT22 MMBT2222ALT1G TMMBT2222alt1
      Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
      auf Bestellung 700 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      1000+0.054 EUR
      Mindestbestellmenge: 700 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT2222ALT1G ON SEMICONDUCTOR mmbt2222lt1-d.pdf Транзистор ключевой 40 В NPN SOT-23
      auf Bestellung 10 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      10+0.93 EUR
      Mindestbestellmenge: 10 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
      auf Bestellung 11000 Stücke:
      Lieferzeit 18-25 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
      MMBT2222ALT1G
      Hersteller: ON Semiconductor
      Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
      auf Bestellung 42867 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      11765+0.015 EUR
      Mindestbestellmenge: 11765 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
      MMBT2222ALT1G
      Hersteller: ON Semiconductor
      Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
      auf Bestellung 42867 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      6850+0.026 EUR
      Mindestbestellmenge: 6850 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
      MMBT2222ALT1G
      Hersteller: ON Semiconductor
      Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
      auf Bestellung 2187000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      4256+0.042 EUR
      6000+0.036 EUR
      Mindestbestellmenge: 4256 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
      MMBT2222ALT1G
      Hersteller: ON Semiconductor
      Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
      auf Bestellung 2187000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      4256+0.042 EUR
      6000+0.036 EUR
      Mindestbestellmenge: 4256 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
      MMBT2222ALT1G
      Hersteller: ON Semiconductor
      Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
      auf Bestellung 1359000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      3650+0.049 EUR
      6000+0.042 EUR
      Mindestbestellmenge: 3650 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
      MMBT2222ALT1G
      Hersteller: onsemi
      Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
      Mounting Type: Surface Mount
      Transistor Type: NPN
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
      Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
      DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
      Frequency - Transition: 300MHz
      Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
      Part Status: Active
      Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
      Power - Max: 225 mW
      auf Bestellung 63250 Stücke:
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      MMBT2222ALT1G
      Hersteller: ON Semiconductor
      Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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      Hersteller: ON Semiconductor
      Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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      Hersteller: ONSEMI
      Category: NPN SMD transistors
      Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
      Type of transistor: NPN
      Polarisation: bipolar
      Collector-emitter voltage: 40V
      Collector current: 0.6A
      Power dissipation: 0.225/0.3W
      Case: SOT23; TO236AB
      Current gain: 100...300
      Mounting: SMD
      Kind of package: reel; tape
      Frequency: 300MHz
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      MMBT2222ALT1G
      Hersteller: ON Semiconductor
      Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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      MMBT2222ALT1G
      Hersteller: onsemi
      Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 40V
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      MMBT2222ALT1G
      Hersteller: onsemi
      Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
      Packaging: Cut Tape (CT)
      Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
      Mounting Type: Surface Mount
      Transistor Type: NPN
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
      Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
      DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
      Frequency - Transition: 300MHz
      Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
      Part Status: Active
      Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
      Power - Max: 225 mW
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      MMBT2222ALT1G
      Hersteller: ONSEMI
      Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
      tariffCode: 85412100
      Transistormontage: Oberflächenmontage
      euEccn: NLR
      rohsCompliant: YES
      DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: AEC-Q101
      isCanonical: Y
      MSL: -
      Verlustleistung: 225mW
      SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: SOT-23
      Dauerkollektorstrom: 600mA
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: MMBTxxxx
      Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
      productTraceability: No
      Wandlerpolarität: NPN
      usEccn: EAR99
      Übergangsfrequenz: 300MHz
      Betriebstemperatur, max.: 150°C
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      MMBT2222ALT1G
      Hersteller: ONSEMI
      Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
      tariffCode: 85412100
      Transistormontage: Oberflächenmontage
      euEccn: NLR
      rohsCompliant: YES
      DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: AEC-Q101
      isCanonical: N
      MSL: -
      Verlustleistung: 225mW
      SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: SOT-23
      Dauerkollektorstrom: 600mA
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: MMBTxxxx
      Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
      productTraceability: No
      Wandlerpolarität: NPN
      usEccn: EAR99
      Übergangsfrequenz: 300MHz
      Betriebstemperatur, max.: 150°C
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      Hersteller: ON-Semiconductor
      Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBT2222ALT1G; MMBT2222A-7-F; MMBT2222A RFG; MMBT2222A,215; MMBT22 MMBT2222ALT1G TMMBT2222alt1
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      Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
      Транзистор ключевой 40 В NPN SOT-23
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      MMBT2907ALT1G
      Produktcode: 25960
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      MMBT2907ALT1G
      Hersteller: ON
      Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
      Gehäuse: SOT-23
      Grenzfrequenz fT, MHz: 200 MHz
      Spannung Uce, V: 60 V
      Spannung Ucb, V: 60 V
      Strom Ic, A: 0,6 A
      Stromverstärkung h21, max: 300
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      PMBT2907A
      Produktcode: 22304
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      		description PMBT2907, A.pdf
      PMBT2907A
      Hersteller: NXP
      Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
      Gehäuse: SOT-23
      Grenzfrequenz fT, MHz: 200 MHz
      Spannung Uce, V: 60 V
      Spannung Ucb, V: 60 V
      Strom Ic, A: 0,6 A
      Stromverstärkung h21, max: 100
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      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      LD1117S50TR
      Produktcode: 4565
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      		datasheetLD1117S50TR.pdf
      LD1117S50TR
      Hersteller: ST
      IC > IC lineare Spannungsregler
      Gehäuse: SOT-223
      Eingangsspannung Uin, V: 15 V
      Ausgangsspannung Uout, V: 5 V
      Ausgangsstrom Iout, A: 0,8 A
      Spannungsabfall Udrop, V: 1,1 V
      Ausgangstyp: Fest
      Temperaturbereich: 0...150°C
      Montage: SMD
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      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      6,81 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-6K81R-Hitano) (Widerstand SMD)
      Produktcode: 39088
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      		RC0603HIT.pdf
      6,81 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-6K81R-Hitano) (Widerstand SMD)
      Hersteller: Hitano
      Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
      Nennwert: 6,81 kOhm
      Toleranz: ±1% F
      Nennleistung P, W: 0,25 W
      Betriebsspannung U, V: 200 V
      Bauform: 1206
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      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      100nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (CL31B104KBCNNNC – Samsung)
      Produktcode: 48855
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      		cl_series_mlcc_datasheet.pdf
      100nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (CL31B104KBCNNNC – Samsung)
      Hersteller: Samsung
      Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
      Kapazität: 100 нФ
      Nennspannung: 50 В
      Dielektrikum: X7R
      Präzision: ±10% K
      Baugröße: 1206
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