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PMBT2907A

PMBT2907A NXP

PMBT2907, A.pdf
Produktcode: 22304
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT-23
fT: 200 MHz
U, V: 60
U, V: 60
I, А: 0.6
h21,max: 100
auf Bestellung 1405 Stück:
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Technische Details PMBT2907A NXP

  • TRANSISTOR, PNP, SOT-23
  • Transistor Type:Bipolar
  • Transistor Polarity:PNP
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:60V
  • Max Current Ic Continuous a:600mA
  • Max Voltage Vce Sat:1.6V
  • Power Dissipation:250mW
  • Min Hfe:100
  • Typ Gain Bandwidth ft:200MHz
  • Case Style:SOT-23
  • Termination Type:SMD
  • Operating Temperature Range:-65`C to +150`C
  • Current Ic @ Vce Sat:500mA
  • Current Ic hFE:1mA
  • DC Collector Current:600mA
  • Max Current Ic:600mA
  • Max Power Dissipation Ptot:250mW
  • Peak Current Icm:0.8A
  • SMD Marking:2F
  • Power Dissipation Pd:250mW
  • Transistor Case Style:SOT-23

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G
Produktcode: 25960
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Hersteller : ON MMBT2907ALT1-D.PDF Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 200 MHz
U, V: 60
U, V: 60
I, А: 0.6
h21,max: 300
verfügbar: 1604 Stück
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PMBT2907A Hersteller : Nexperia Транз. Бипол. ММ PNP SOT23 60V, 600 mA switching transistor
auf Bestellung 2920 Stücke:
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PMBT2907A Hersteller : Nexperia Bipolar Transistors - BJT
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PMBT2222A.215
Produktcode: 77792
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pmbt2222_pmbt2222a.pdf
PMBT2222A.215
Hersteller: Nexperia
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 40
ZCODE: SMD
auf Bestellung 213 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MMBT2222A
Produktcode: 160580
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mmbt2222a-sot23.pdf
MMBT2222A
Hersteller: Yangjie
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
ZCODE: SMD
auf Bestellung 1386 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BC817-40 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 17873
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BC817-40.pdf
BC817-40 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,5
h21: 600
ZCODE: SMD
auf Bestellung 32685 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.026 EUR
1000+0.023 EUR
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 5669 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+1.5 EUR
10+1.45 EUR
100+1 EUR
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1N4148
Produktcode: 176824
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1n4148-datasheet_do35.pdf
1N4148
Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Trr, ns: 8 ns
auf Bestellung 6772 Stück:
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erwartet 30000 Stück:
30000 Stück - erwartet 29.06.2025
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