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MMBT2907ALT1G

MMBT2907ALT1G ON

MMBT2907ALT1-D.PDF
Produktcode: 25960
Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
fT: 200 MHz
U, V: 60
U, V: 60
I, А: 0.6
h21,max: 300
verfügbar 1664 Stück:
150 Stück - stock Köln
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1+0.04 EUR
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PMBT2907A PMBT2907A
Produktcode: 22304
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Hersteller : NXP PMBT2907, A.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 200 MHz
U, V: 60
U, V: 60
I, А: 0.6
h21,max: 100
auf Bestellung 1425 Stück:
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Anzahl Preis
1+0.1 EUR
10+0.06 EUR
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MMBT2907A MMBT2907A
Produktcode: 160581
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Hersteller : Yangjie mmbt2907a-sot23-datasheet.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 200 MHz
U, V: 60 V
U, V: 60 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 300
auf Bestellung 31 Stück:
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6768000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6994+0.021 EUR
7195+0.02 EUR
9000+0.019 EUR
15000+0.018 EUR
21000+0.017 EUR
24000+0.015 EUR
30000+0.013 EUR
300000+0.01 EUR
Mindestbestellmenge: 6994
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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6000+0.029 EUR
12000+0.025 EUR
27000+0.024 EUR
51000+0.022 EUR
102000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
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4133+0.035 EUR
6000+0.033 EUR
9000+0.028 EUR
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Anzahl Preis
4150+0.035 EUR
6000+0.032 EUR
9000+0.028 EUR
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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4000+0.037 EUR
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : onsemi mmbt2907alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 345292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.044 EUR
6000+0.039 EUR
9000+0.037 EUR
15000+0.034 EUR
21000+0.032 EUR
30000+0.03 EUR
75000+0.027 EUR
150000+0.025 EUR
300000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 44116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1799+0.081 EUR
2353+0.06 EUR
2464+0.055 EUR
3226+0.04 EUR
3323+0.038 EUR
4000+0.03 EUR
4951+0.023 EUR
5883+0.02 EUR
15000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 1799
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD1502B127E6469&compId=MMBT2907ALT1G.PDF?ci_sign=7bfa24abae00fcccb600eee7618fe66cba17f07d Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
auf Bestellung 13826 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.14 EUR
863+0.083 EUR
1250+0.057 EUR
1458+0.049 EUR
2632+0.027 EUR
2778+0.026 EUR
3000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD1502B127E6469&compId=MMBT2907ALT1G.PDF?ci_sign=7bfa24abae00fcccb600eee7618fe66cba17f07d Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13826 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.14 EUR
863+0.083 EUR
1250+0.057 EUR
1458+0.049 EUR
2632+0.027 EUR
2778+0.026 EUR
3000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : onsemi mmbt2907alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 345292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.23 EUR
129+0.14 EUR
208+0.085 EUR
500+0.061 EUR
1000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 77
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : onsemi MMBT2907ALT1_D-1811514.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
auf Bestellung 91794 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+0.24 EUR
21+0.14 EUR
100+0.083 EUR
500+0.062 EUR
1000+0.044 EUR
3000+0.033 EUR
6000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013299338-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 94106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013299338-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 94106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ONSEMI 2028683.pdf Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 205747 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1G Hersteller : ON-Semicoductor mmbt2907alt1-d.pdf Transistor PNP; 300; 300mW; 60V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: mmbt2907a-fai; MMBT2907A RF; MMBT2907A-7-F; MMBT2907A-D87Z; MMBT290 MMBT2907ALT1G TMMBT2907alt1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1G Hersteller : On Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf SOT23
auf Bestellung 2810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Транзистор PNP; Uceo, В = -60; Ic = -600 мА; ft, МГц = 200; hFE = 100 @ -10 mA, -10 V; Icutoff-max = 100 нА; Р, Вт = 0,35 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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MMBT2222ALT1G (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 35896
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MMBT2222ALT1G (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40
Ucbo,V: 75
Ic,A: 0,6
ZCODE: SMD
auf Bestellung 1206 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 17832
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rc_series_20150401_1.pdf
1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 16612 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 40000 Stück:
40000 Stück - erwartet
Anzahl Preis
10+0.42 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222A
Produktcode: 160580
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mmbt2222a-sot23.pdf
MMBT2222A
Hersteller: Yangjie
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
ZCODE: SMD
auf Bestellung 1436 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 5712 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.5 EUR
10+1.45 EUR
100+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
0.1uf 50V 1206 X7R 10% CL31B104KBCNNNC Samsung
Produktcode: 48855
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cl_series_mlcc_datasheet.pdf
0.1uf 50V 1206 X7R 10% CL31B104KBCNNNC Samsung
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Gro?entyp: 1206
auf Bestellung 27635 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH