MMBT2907ALT1G (ON) - Transistoren - Bipolar-Transistoren PNP

MMBT2907ALT1G

MMBT2907ALT1G

Produktcode: 25960
Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
fT: 200 MHz
U, V: 60
U, V: 60
I, А: 0.6
h21,max: 300

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1+ 0.04 EUR
10+ 0.036 EUR
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Technische Details MMBT2907ALT1G

Möglichen Substitutionen

PMBT2907A
PMBT2907A
Produktcode: 22304
Hersteller: NXP
Transistoren - Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 200 MHz
U, V: 60
U, V: 60
I, А: 0.6
h21,max: 100
PMBT2907, A.pdf
1915 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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Preis MMBT2907ALT1G ab 0.03 EUR bis 16.36 EUR

MMBT2907ALT1G
Hersteller: ONS

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1725+ 0.048 EUR
2400+ 0.041 EUR
9000+ 0.038 EUR
24000+ 0.037 EUR
MMBT2907ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
PNP; Uceo, = -60; Ic = -600 ; ft, = 200; hFE = 100 @ -10 mA, -10 V; Icutoff-max = 100 ; , = 0,35 ; , °C = -55...+150; . = smd; SOT-23-3
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108+ 0.086 EUR
115+ 0.074 EUR
124+ 0.066 EUR
MMBT2907ALT1G
MMBT2907ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Transistor Type: PNP
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition: 200MHz
Power - Max: 300mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
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250+ 0.19 EUR
500+ 0.13 EUR
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MMBT2907ALT1G
MMBT2907ALT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
Transistor Polarity: PNP
Product Range: MMBTxxxx
Power Dissipation Pd: 225
DC Current Gain hFE: 200
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Surface Mount
MSL: -
Automotive Qualification Standard: AEC-Q101
DC Collector Current: 600
Transistor Case Style: SOT-23
Transition Frequency ft: 200
No. of Pins: 3
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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MMBT2907ALT1G
MMBT2907ALT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, 60 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Transistor Polarity: PNP
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 300
DC Current Gain hFE: 50
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Surface Mount
MSL: MSL 1 - Unlimited
Automotive Qualification Standard: AEC-Q101
DC Collector Current: 600
Transistor Case Style: SOT-23
Transition Frequency ft: 200
No. of Pins: 3
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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MMBT2907ALT1G
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Hersteller:
/sot-23/
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MMBT2907ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2907ALT1G
MMBT2907ALT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
Transistor Polarity: PNP
Product Range: MMBTxxxx
Power Dissipation Pd: 225
DC Current Gain hFE: 200
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Surface Mount
MSL: -
Automotive Qualification Standard: AEC-Q101
DC Collector Current: 600
Transistor Case Style: SOT-23
Transition Frequency ft: 200
No. of Pins: 3
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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Hersteller:
MMBT2907A TRANS GP SS PNP 60V SOT23
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Hersteller:
MMBT2907A TRANS GP SS PNP 60V SOT23
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Hersteller:
MMBT2907A TRANS GP SS PNP 60V SOT23
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Hersteller:
MMBT2907A TRANS GP SS PNP 60V SOT23
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Hersteller: ON
PNP 600mA 60V 225mW 200MHz Trans. MMBT2907A SOT23 TMMBT2907alt1
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Hersteller: ONSEMI
Material: MMBT2907ALT1G PNP SMD transistors
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Hersteller:
MMBT2907A TRANS GP SS PNP 60V SOT23
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Hersteller: ON
PNP 600mA 60V 225mW 200MHz Trans. MMBT2907A SOT23 TMMBT2907alt1
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MMBT2907ALT1G
Hersteller: ON
2010+ROHS SOT-23
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Lieferzeit 7-21 Tag (e)
MMBT2907ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2907ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2907ALT1G
MMBT2907ALT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
MMBT2907ALT1_D-2316088.pdf
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Lieferzeit 14-28 Tag (e)
MMBT2907ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
MMBT2907ALT1-D.PDF mmbt2907alt1-d.pdf
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MMBT2907ALT1G
MMBT2907ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
MMBT2907ALT1_D-2316088.pdf
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Lieferzeit 14-28 Tag (e)
MMBT2907ALT1G
Hersteller: On Semiconductor
SOT23
MMBT2907ALT1-D.PDF mmbt2907alt1-d.pdf
auf Bestellung 2985 Stücke
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMBT2907ALT1G
MMBT2907ALT1G
Hersteller: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Transistor Type: PNP
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Power - Max: 300mW
Frequency - Transition: 200MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
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MMBT2907ALT1G
MMBT2907ALT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 600MA SOT23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition: 200MHz
Power - Max: 300mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Transistor Type: PNP
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
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MMBT2907ALT1G
MMBT2907ALT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 600MA SOT23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition: 200MHz
Power - Max: 300mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Transistor Type: PNP
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)
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MMBT2222ALT1G (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 35896
MMBT2222ALT1G (Bipolartransistor NPN)
Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40
Ucbo,V: 75
Ic,A: 0,6
1820 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+ 0.02 EUR
Möglichen Substitutionen
MMBT2222 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 12976
PMBT2907A
Produktcode: 22304
техническая информация PMBT2907, A.pdf
PMBT2907A
Hersteller: NXP
Transistoren - Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 200 MHz
U, V: 60
U, V: 60
I, А: 0.6
h21,max: 100
1915 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
auf Bestellung 867000 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
1+ 0.1 EUR
10+ 0.06 EUR
Möglichen Substitutionen
MMBT2907ALT1G
Produktcode: 25960
L78L05ABUTR
Produktcode: 24972
78L00 series.pdf
L78L05ABUTR
Hersteller: ST
IC - IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: SOT-89
Uin, V: 30
Uout,V: 5
Iout,A: 0.1
Udrop, V: 1.7
Temperaturbereich: -40...125
30 Stück - stock Köln
2354 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
auf Bestellung 213927 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
1+ 0.2 EUR
10+ 0.18 EUR
510 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1735
RC_series.pdf
510 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD - SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 510 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
5000 Stück - stock Köln
40000 Stück - erwartet 30.01.2022
10+ 0.0038 EUR
100+ 0.0024 EUR
1000+ 0.0017 EUR