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MMBT2907ALT1G

MMBT2907ALT1G ON

MMBT2907ALT1-D.PDF
Produktcode: 25960
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Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz fT, MHz: 200 MHz
Spannung Uce, V: 60 V
Spannung Ucb, V: 60 V
Strom Ic, A: 0,6 A
Stromverstärkung h21, max: 300
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G ONSEMI MMBT2907ALT1G.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G On Semiconductor MMBT2907ALT1-D.pdf SOT23 Транзистори
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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678+0.26 EUR
991+0.17 EUR
1143+0.14 EUR
1713+0.09 EUR
1793+0.083 EUR
2353+0.061 EUR
2681+0.051 EUR
5748+0.024 EUR
8131+0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 678 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G onsemi mmbt2907alt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
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500+0.088 EUR
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G ONSEMI ONSM-S-A0013299338-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G ONSEMI ONSM-S-A0013299338-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20423 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G ONSEMI 2028683.pdf Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT2907ALT1G ON-Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Transistor PNP; 300; 300mW; 60V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: mmbt2907a-fai; MMBT2907A RF; MMBT2907A-7-F; MMBT2907A-D87Z; MMBT290 MMBT2907ALT1G TMMBT2907alt1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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MMBT2907ALT1G ON Semiconductor MMBT2907ALT1-D.PDF Транзистор PNP, Uceo, В = -60, Ic = -600 мА, ft, МГц = 200, hFE = 100 @ -10 mA, -10 V, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,35 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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MMBT2907ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3891000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBT2907ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3891000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11495+0.015 EUR
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MMBT2907ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 207000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6623+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 6623 Stücke
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MMBT2907ALT1G mmbt2907alt1-d.pdf
MMBT2907ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 207000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6135+0.029 EUR
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MMBT2907ALT1G mmbt2907alt1-d.pdf
MMBT2907ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.058 EUR
9000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT2907ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2353+0.074 EUR
2681+0.064 EUR
5748+0.03 EUR
8131+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2353 Stücke
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MMBT2907ALT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
auf Bestellung 8020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
625+0.13 EUR
910+0.094 EUR
1289+0.065 EUR
1507+0.056 EUR
1866+0.045 EUR
2041+0.042 EUR
2315+0.037 EUR
2393+0.036 EUR
3000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 625 Stücke
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MMBT2907ALT1G
Hersteller: On Semiconductor
SOT23 Транзистори
auf Bestellung 2810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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MMBT2907ALT1G mmbt2907alt1-d.pdf
MMBT2907ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
678+0.26 EUR
991+0.17 EUR
1143+0.14 EUR
1713+0.09 EUR
1793+0.083 EUR
2353+0.061 EUR
2681+0.051 EUR
5748+0.024 EUR
8131+0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 678 Stücke
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MMBT2907ALT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
auf Bestellung 22497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.36 EUR
17+0.2 EUR
100+0.12 EUR
500+0.088 EUR
1000+0.077 EUR
3000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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MMBT2907ALT1G ONSM-S-A0013299338-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT2907ALT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20423 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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MMBT2907ALT1G ONSM-S-A0013299338-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT2907ALT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20423 Stücke:
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MMBT2907ALT1G 2028683.pdf
MMBT2907ALT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT2907ALT1G mmbt2907alt1-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor PNP; 300; 300mW; 60V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: mmbt2907a-fai; MMBT2907A RF; MMBT2907A-7-F; MMBT2907A-D87Z; MMBT290 MMBT2907ALT1G TMMBT2907alt1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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AnzahlPrivatkunde
500+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1-D.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Uceo, В = -60, Ic = -600 мА, ft, МГц = 200, hFE = 100 @ -10 mA, -10 V, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,35 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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MMBT2222ALT1G (ON) Bipolartransistor NPN
Produktcode: 35896
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MMBT2222ALT1G (ON) Bipolartransistor NPN
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,6 A
Montage: SMD
auf Bestellung 460 St.:
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erwartet 100 St.:
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MMBT2222A
Produktcode: 160580
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
mmbt2222a-sot23.pdf
MMBT2222A
Hersteller: Yangjie
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
Montage: SMD
auf Bestellung 649 St.:
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IRF3205PBF
Produktcode: 25094
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description irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
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10uF 25V X7R 10% 1206 2k/reel (CL31B106KAHNNNE – Samsung)
Produktcode: 72199
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10uF 25V X7R 10% 1206 2k/reel (CL31B106KAHNNNE – Samsung)
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 10 µF
Nennspannung: 25 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Baugröße: 1206
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L78L05ABUTR
Produktcode: 24972
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78L00 series.pdf
L78L05ABUTR
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: SOT-89
Eingangsspannung Uin, V: 30 V
Ausgangsspannung Uout, V: 5 V
Ausgangsstrom Iout, A: 0,1 A
Spannungsabfall Udrop, V: 1,7 V
Ausgangstyp: Fest
Temperaturbereich: -40...125°C
Montage: SMD
verfügbar: 4550 St.
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