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MMBT2907ALT1G

MMBT2907ALT1G ON

MMBT2907ALT1-D.PDF
Produktcode: 25960
Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
fT: 200 MHz
U, V: 60
U, V: 60
I, А: 0.6
h21,max: 300
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PMBT2907A PMBT2907A
Produktcode: 22304 		Hersteller : NXP PMBT2907, A.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 200 MHz
U, V: 60
U, V: 60
I, А: 0.6
h21,max: 100
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MMBT2907A MMBT2907A
Produktcode: 160581 		Hersteller : Yangjie mmbt2907a-sot23-datasheet.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 200 MHz
U, V: 60 V
U, V: 60 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 300
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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36000+ 0.024 EUR
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ONSEMI MMBT2907ALT1G.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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2359+ 0.03 EUR
2618+ 0.027 EUR
2778+ 0.026 EUR
12000+ 0.025 EUR
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ONSEMI MMBT2907ALT1G.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : onsemi MMBT2907ALT1_D-2316088.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : onsemi mmbt2907alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013299338-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013299338-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2907ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Транзистор PNP; Uceo, В = -60; Ic = -600 мА; ft, МГц = 200; hFE = 100 @ -10 mA, -10 V; Icutoff-max = 100 нА; Р, Вт = 0,35 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
auf Bestellung 2340 Stücke:
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100+ 0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 85
MMBT2907ALT1G Hersteller : On Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf SOT23
auf Bestellung 2810 Stücke:
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : onsemi mmbt2907alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
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MMBT2222A
Produktcode: 160580		 mmbt2222a-sot23.pdf
MMBT2222A
Hersteller: Yangjie
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
ZCODE: SMD
auf Bestellung 975 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 1250 Stück:
1250 Stück - erwartet 10.05.2024
1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 17832		 rc_series_20150401_1.pdf
1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 40000 Stück:
40000 Stück - erwartet 20.05.2024
Anzahl Preis ohne MwSt
10+0.0048 EUR
100+ 0.004 EUR
1000+ 0.0034 EUR
Mindestbestellmenge: 10
MMBT2222ALT1G (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 35896
MMBT2222ALT1G (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40
Ucbo,V: 75
Ic,A: 0,6
ZCODE: SMD
erwartet: 2000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.02 EUR
SS14
Produktcode: 1577		 SS14.pdf
SS14
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMA (DO-214AC)
Vrrm(V): 40
If(A): 1
VF@IF: 0,5
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 40 A
№ 7: 8541 10 00 10
verfügbar: 5348 Stück
erwartet: 6000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.06 EUR
10+ 0.048 EUR
100+ 0.022 EUR
1000+ 0.018 EUR
PMBT2907A
Produktcode: 22304		 description PMBT2907, A.pdf
PMBT2907A
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 200 MHz
U, V: 60
U, V: 60
I, А: 0.6
h21,max: 100
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Anzahl Preis ohne MwSt
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