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MMBT2907ALT1G ON

Name: MMBT2907ALT1G
Brand: ON
SKU: 25960
Price: 0.04 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 25960

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Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
fT: 200 MHz
U, V: 60
U, V: 60
I, А: 0.6
h21,max: 300

verfügbar 5941 St.:

150 St. - stock Köln
5791 St. - lieferbar in 3-4 Wochen

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1+	0.04 EUR
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PMBT2907A
Produktcode: 22304

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Hersteller : NXP

Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 200 MHz
U, V: 60
U, V: 60
I, А: 0.6
h21,max: 100

auf Bestellung 318 St.:

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1+	0.1 EUR
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MMBT2907ALT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2724000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
11495+	0.013 EUR

Mindestbestellmenge: 11495

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MMBT2907ALT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2724000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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11495+	0.013 EUR

Mindestbestellmenge: 11495

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MMBT2907ALT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 63000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
6623+	0.022 EUR
6712+	0.021 EUR

Mindestbestellmenge: 6623

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MMBT2907ALT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 63000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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6667+	0.022 EUR
6757+	0.021 EUR

Mindestbestellmenge: 6667

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MMBT2907ALT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
3116+	0.046 EUR
9000+	0.024 EUR

Mindestbestellmenge: 3116

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MMBT2907ALT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 11486 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
2507+	0.058 EUR
2858+	0.049 EUR
6135+	0.022 EUR
6994+	0.018 EUR

Mindestbestellmenge: 2507

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MMBT2907ALT1G

Hersteller : On Semiconductor

SOT23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

auf Bestellung 2810 Stücke:

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32+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 32

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MMBT2907ALT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 11486 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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740+	0.2 EUR
1124+	0.12 EUR
1234+	0.11 EUR
1829+	0.071 EUR
1924+	0.064 EUR
2507+	0.047 EUR
2858+	0.04 EUR
6135+	0.019 EUR
6994+	0.016 EUR

Mindestbestellmenge: 740

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MMBT2907ALT1G

Hersteller : onsemi

Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP

auf Bestellung 176454 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
10+	0.3 EUR
17+	0.17 EUR
100+	0.1 EUR
500+	0.074 EUR
1000+	0.065 EUR
3000+	0.058 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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MMBT2907ALT1G

Hersteller : ONSEMI

ONSM-S-A0013299338-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 26524 Stücke:

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MMBT2907ALT1G

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 26524 Stücke:

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MMBT2907ALT1G

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MMBT2907ALT1G

Hersteller : ON-Semiconductor

Transistor PNP; 300; 300mW; 60V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: mmbt2907a-fai; MMBT2907A RF; MMBT2907A-7-F; MMBT2907A-D87Z; MMBT290 MMBT2907ALT1G TMMBT2907alt1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
500+	0.064 EUR

Mindestbestellmenge: 500

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MMBT2907ALT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Транзистор PNP, Uceo, В = -60, Ic = -600 мА, ft, МГц = 200, hFE = 100 @ -10 mA, -10 V, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,35 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke

verfügbar 1740 Stücke:

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MMBT2907ALT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R

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MMBT2907ALT1G

Hersteller : onsemi

Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW

Produkt ist nicht verfügbar

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MMBT2907ALT1G

Hersteller : onsemi

Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW

Produkt ist nicht verfügbar

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MMBT2907ALT1G

Hersteller : ONSEMI

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz

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MMBT2222ALT1G (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 35896

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Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40
Ucbo,V: 75
Ic,A: 0,6
ZCODE: SMD

auf Bestellung 1520 St.:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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1+	0.02 EUR

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MMBT2222A
Produktcode: 160580

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Hersteller: Yangjie
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
ZCODE: SMD

auf Bestellung 1456 St.:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094

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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT

auf Bestellung 1617 St.:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Anzahl	Preis
1+	1.5 EUR
10+	1.45 EUR
100+	1 EUR

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10uF 25V +/-10% X7R 1206 (CL31B106KAHNNNE - Samsung)
Produktcode: 72199

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Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 10uF
Nennspannung: 25V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Gro?entyp: 1206

auf Bestellung 10800 St.:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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L78L05ABUTR
Produktcode: 24972

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Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: SOT-89
Uin, V: 30
Uout,V: 5
Iout,A: 0.1
Udrop, V: 1.7
Bemerkung: Фіксований
Temperaturbereich: -40...125

verfügbar: 31 St.

30 St. - stock Köln
1 St. - lieferbar in 3-4 Wochen

Anzahl	Preis
1+	0.2 EUR
10+	0.18 EUR

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