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MMBT2222ALT1G (ON) NPN-Bipolartransistor

MMBT2222ALT1G (ON) NPN-Bipolartransistor

Produktcode: 35896
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Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 40 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 75 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 A
Montage: SMD
auf Bestellung: 535 St.
  • 535 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Möglichen Substitutionen MMBT2222ALT1G (ON) NPN-Bipolartransistor ON

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT2222 (NPN-Bipolartransistor) MMBT2222 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 12976
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NXP MMBT2222.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 30 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 60 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 A
Stromverstärkung h21: 300
Montage: SMD
verfügbar: 250 St.
  • 250 St. - stock Köln
1+0.058 EUR
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100+0.036 EUR
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MMBT2222 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 12976
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MMBT2222.pdf
MMBT2222 (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 30 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 60 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 A
Stromverstärkung h21: 300
Montage: SMD
verfügbar: 250 St.
  • 250 St. - stock Köln
AnzahlPrivatkunde
1+0.058 EUR
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100+0.036 EUR
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MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 38360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11628+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 11628 Stücke
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MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 38717 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11765+0.015 EUR
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MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1254000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4202+0.042 EUR
6000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 4202 Stücke
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MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2094000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4256+0.042 EUR
6000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 4256 Stücke
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MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2094000 Stücke:
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MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 63148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2667+0.065 EUR
3059+0.057 EUR
3279+0.051 EUR
6000+0.046 EUR
15000+0.043 EUR
30000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 2667 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.074 EUR
12000+0.035 EUR
27000+0.033 EUR
51000+0.031 EUR
102000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ONSEMI MMBT2222.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
auf Bestellung 82893 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.19 EUR
685+0.12 EUR
1005+0.084 EUR
1185+0.071 EUR
1725+0.049 EUR
2017+0.042 EUR
3000+0.033 EUR
6000+0.029 EUR
9000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 63148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
790+0.23 EUR
1223+0.14 EUR
1234+0.13 EUR
1938+0.081 EUR
1961+0.077 EUR
2667+0.055 EUR
3059+0.045 EUR
3279+0.042 EUR
6000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 790 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 40V
auf Bestellung 1002724 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+0.27 EUR
21+0.17 EUR
100+0.1 EUR
500+0.074 EUR
1000+0.065 EUR
3000+0.048 EUR
6000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ONSEMI 4078632.pdf Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 538510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
747+0.33 EUR
1234+0.19 EUR
1997+0.11 EUR
2725+0.079 EUR
3106+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 747 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ONSEMI 4078632.pdf Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 538510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
747+0.33 EUR
1234+0.19 EUR
1997+0.11 EUR
2725+0.079 EUR
3106+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 747 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G ON-Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBT2222ALT1G; MMBT2222A-7-F; MMBT2222A RFG; MMBT2222A,215; MMBT22 MMBT2222ALT1G TMMBT2222alt1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G ON SEMICONDUCTOR mmbt2222lt1-d.pdf Транзистор ключевой 40 В NPN SOT-23
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 18-25 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 38360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11628+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 11628 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 38717 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11765+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 11765 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1254000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4202+0.042 EUR
6000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 4202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2094000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4256+0.042 EUR
6000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 4256 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2094000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4256+0.042 EUR
6000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 4256 Stücke
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MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 63148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2667+0.065 EUR
3059+0.057 EUR
3279+0.051 EUR
6000+0.046 EUR
15000+0.043 EUR
30000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 2667 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.074 EUR
12000+0.035 EUR
27000+0.033 EUR
51000+0.031 EUR
102000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT2222ALT1G MMBT2222.PDF
MMBT2222ALT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
auf Bestellung 82893 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
455+0.19 EUR
685+0.12 EUR
1005+0.084 EUR
1185+0.071 EUR
1725+0.049 EUR
2017+0.042 EUR
3000+0.033 EUR
6000+0.029 EUR
9000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 63148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
790+0.23 EUR
1223+0.14 EUR
1234+0.13 EUR
1938+0.081 EUR
1961+0.077 EUR
2667+0.055 EUR
3059+0.045 EUR
3279+0.042 EUR
6000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 790 Stücke
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MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222ALT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 40V
auf Bestellung 1002724 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+0.27 EUR
21+0.17 EUR
100+0.1 EUR
500+0.074 EUR
1000+0.065 EUR
3000+0.048 EUR
6000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G 4078632.pdf
MMBT2222ALT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 538510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
747+0.33 EUR
1234+0.19 EUR
1997+0.11 EUR
2725+0.079 EUR
3106+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 747 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G 4078632.pdf
MMBT2222ALT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 538510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
747+0.33 EUR
1234+0.19 EUR
1997+0.11 EUR
2725+0.079 EUR
3106+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 747 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBT2222ALT1G; MMBT2222A-7-F; MMBT2222A RFG; MMBT2222A,215; MMBT22 MMBT2222ALT1G TMMBT2222alt1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
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MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Транзистор ключевой 40 В NPN SOT-23
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 18-25 Tag (e)
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MMBT2907ALT1G
Produktcode: 25960
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
MMBT2907ALT1-D.PDF
MMBT2907ALT1G
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz fT, MHz: 200 MHz
Spannung Uce, V: 60 V
Spannung Ucb, V: 60 V
Strom Ic, A: 0,6 A
Stromverstärkung h21, max: 300
verfügbar: 150 St.
  • 150 St. - stock Köln
auf Bestellung: 5721 St.
  • 5721 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.058 EUR
10+0.043 EUR
100+0.04 EUR
1000+0.036 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMBT2907A
Produktcode: 22304
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description PMBT2907, A.pdf
PMBT2907A
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz fT, MHz: 200 MHz
Spannung Uce, V: 60 V
Spannung Ucb, V: 60 V
Strom Ic, A: 0,6 A
Stromverstärkung h21, max: 100
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
1+0.12 EUR
10+0.071 EUR
100+0.027 EUR
1000+0.019 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (CL31B104KBCNNNC – Samsung)
Produktcode: 48855
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cl_series_mlcc_datasheet.pdf
100nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (CL31B104KBCNNNC – Samsung)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 100 нФ
Nennspannung: 50 В
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Baugröße: 1206
auf Bestellung: 58337 St.
  • 58337 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.036 EUR
100+0.031 EUR
1000+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
auf Bestellung: 52811 St.
  • 52811 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.039 EUR
10+0.031 EUR
100+0.024 EUR
1000+0.018 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LD1117S50TR
Produktcode: 4565
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datasheetLD1117S50TR.pdf
LD1117S50TR
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: SOT-223
Eingangsspannung Uin, V: 15 V
Ausgangsspannung Uout, V: 5 V
Ausgangsstrom Iout, A: 0,8 A
Spannungsabfall Udrop, V: 1,1 V
Ausgangstyp: Fest
Temperaturbereich: 0...150°C
Montage: SMD
verfügbar: 3 St.
  • 3 St. - stock Köln
auf Bestellung: 2097 St.
  • 2097 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.36 EUR
10+0.31 EUR
100+0.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH