Produkte > Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN > MMBT2222ALT1G (Bipolartransistor NPN) ON
MMBT2222ALT1G (Bipolartransistor NPN)

MMBT2222ALT1G (Bipolartransistor NPN) ON

Produktcode: 35896
Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40
Ucbo,V: 75
Ic,A: 0,6
ZCODE: SMD
auf Bestellung 2498 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.02 EUR
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Möglichen Substitutionen MMBT2222ALT1G (Bipolartransistor NPN) ON

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBT2222 (Bipolartransistor NPN) MMBT2222 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 12976
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Hersteller : NXP MMBT2222.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 30
Ucbo,V: 60
Ic,A: 0,6
h21: 300
ZCODE: 8541290090
verfügbar: 250 Stück
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.032 EUR
100+0.03 EUR
1000+0.025 EUR
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MMBT2222A MMBT2222A
Produktcode: 160580
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Hersteller : Yangjie mmbt2222a-sot23.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
ZCODE: SMD
auf Bestellung 1946 Stück:
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Weitere Produktangebote MMBT2222ALT1G (Bipolartransistor NPN) nach Preis ab 0.014 EUR bis 0.79 EUR

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MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 819000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6945+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 6945
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MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 819000 Stücke:
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Anzahl Preis
6945+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 6945
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MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 393000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6000+0.028 EUR
12000+0.024 EUR
27000+0.023 EUR
51000+0.021 EUR
102000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Hersteller : onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 859263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.041 EUR
6000+0.037 EUR
9000+0.034 EUR
15000+0.032 EUR
21000+0.03 EUR
30000+0.029 EUR
75000+0.025 EUR
150000+0.023 EUR
300000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2841+0.051 EUR
3226+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 2841
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Hersteller : ONSEMI MMBT2222.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Case: SOT23; TO236AB
Power dissipation: 0.225/0.3W
Collector current: 0.6A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38085 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.14 EUR
725+0.099 EUR
1226+0.058 EUR
1806+0.04 EUR
2137+0.033 EUR
3000+0.025 EUR
9000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Hersteller : ONSEMI MMBT2222.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Case: SOT23; TO236AB
Power dissipation: 0.225/0.3W
Collector current: 0.6A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 38085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.14 EUR
725+0.099 EUR
1226+0.058 EUR
1806+0.04 EUR
2137+0.033 EUR
3000+0.025 EUR
9000+0.019 EUR
24000+0.015 EUR
30000+0.014 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
839+0.17 EUR
1268+0.11 EUR
1281+0.1 EUR
2041+0.063 EUR
2062+0.06 EUR
2841+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 839
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Hersteller : onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 40V
auf Bestellung 1001726 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+0.21 EUR
22+0.13 EUR
100+0.081 EUR
500+0.058 EUR
1000+0.051 EUR
3000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Hersteller : onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 859263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.21 EUR
136+0.13 EUR
221+0.08 EUR
500+0.058 EUR
1000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 23083 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Hersteller : ONSEMI 4078632.pdf Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 625108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Hersteller : ONSEMI 2353900.pdf Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 606000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G Hersteller : ON-Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBT2222ALT1G; MMBT2222A-7-F; MMBT2222A RFG; MMBT2222A,215; MMBT22 MMBT2222ALT1G TMMBT2222alt1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G Hersteller : ON SEMICONDUCTOR mmbt2222lt1-d.pdf Транзистор ключевой 40 В NPN SOT-23
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 18-25 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G Hersteller : On Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G Hersteller : ONSEMI 4078632.pdf Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - TRANSISTOR, NPN, 40V, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 625108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

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MMBT2907ALT1G
Produktcode: 25960
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MMBT2907ALT1-D.PDF
MMBT2907ALT1G
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 200 MHz
U, V: 60
U, V: 60
I, А: 0.6
h21,max: 300
verfügbar: 150 Stück
erwartet: 6000 Stück
6000 Stück - erwartet
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.036 EUR
100+0.034 EUR
1000+0.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
0.1uf 50V 1206 X7R 10% CL31B104KBCNNNC Samsung
Produktcode: 48855
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cl_series_mlcc_datasheet.pdf
0.1uf 50V 1206 X7R 10% CL31B104KBCNNNC Samsung
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Gro?entyp: 1206
auf Bestellung 97194 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LD1117S50TR
Produktcode: 4565
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datasheetLD1117S50TR.pdf
LD1117S50TR
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: SOT-223
Uin, V: 15
Uout,V: 5
Iout,A: 0.8
Udrop, V: 1.1
Bemerkung: Fixed
Temperaturbereich: 0…150
verfügbar: 2310 Stück
3 Stück - stock Köln
2307 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.28 EUR
10+0.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6,81 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 39088
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RC0603HIT.pdf
6,81 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 6,81 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 8479 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.42 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10uF 50V X5R 10% 1206 (CL31A106KBHNNNE-Samsung)
Produktcode: 52241
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cl_series_mlcc_datasheet.pdf
10uF 50V X5R 10% 1206 (CL31A106KBHNNNE-Samsung)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 10uF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X5R
Präzision: ±10% K
Gro?entyp: 1206
auf Bestellung 2916 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH