Produkte > Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN > MMBT2222ALT1G (ON) NPN-Bipolartransistor
MMBT2222ALT1G (ON) NPN-Bipolartransistor

MMBT2222ALT1G (ON) NPN-Bipolartransistor

Produktcode: 35896
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 40 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 75 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 A
Montage: SMD
erwartet: 100 St.
  • 100 St. - erwartet
auf Bestellung: 5780 St.
  • 5780 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.079 EUR
10+0.058 EUR
100+0.046 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 21-28 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Möglichen Substitutionen MMBT2222ALT1G (ON) NPN-Bipolartransistor ON

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT2222 (NPN-Bipolartransistor) MMBT2222 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 12976
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
NXP MMBT2222.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 30 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 60 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 A
Stromverstärkung h21: 300
Montage: SMD
verfügbar: 250 St.
  • 250 St. - stock Köln
1+0.058 EUR
10+0.038 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 12976
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
MMBT2222.pdf
MMBT2222 (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 30 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 60 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 A
Stromverstärkung h21: 300
Montage: SMD
verfügbar: 250 St.
  • 250 St. - stock Köln
AnzahlPrivatkunde
1+0.058 EUR
10+0.038 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Weitere Produktangebote MMBT2222ALT1G (ON) NPN-Bipolartransistor nach Preis ab 0.023 EUR bis 0.92 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2052000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4167+0.042 EUR
6000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 4167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2052000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4167+0.042 EUR
6000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 4167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.052 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 600000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.058 EUR
12000+0.026 EUR
27000+0.025 EUR
51000+0.024 EUR
102000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 51376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2689+0.064 EUR
3087+0.055 EUR
3290+0.05 EUR
6000+0.046 EUR
15000+0.042 EUR
30000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 2689 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ONSEMI 2353900.pdf Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3323+0.075 EUR
9000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 3323 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ONSEMI MMBT2222.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
auf Bestellung 63998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.19 EUR
685+0.12 EUR
985+0.087 EUR
1153+0.074 EUR
1673+0.051 EUR
1961+0.043 EUR
3000+0.033 EUR
6000+0.029 EUR
9000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 52376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
790+0.21 EUR
1229+0.13 EUR
1954+0.079 EUR
1973+0.075 EUR
2689+0.052 EUR
3087+0.044 EUR
3290+0.042 EUR
6000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 790 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 40V
auf Bestellung 1243161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+0.27 EUR
21+0.17 EUR
100+0.1 EUR
500+0.074 EUR
1000+0.065 EUR
3000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
77+0.27 EUR
129+0.17 EUR
209+0.1 EUR
500+0.073 EUR
1000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ONSEMI 4078632.pdf Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 159996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
736+0.35 EUR
1415+0.17 EUR
1965+0.11 EUR
2725+0.079 EUR
3226+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 736 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ONSEMI 4078632.pdf Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 159996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
736+0.35 EUR
1415+0.17 EUR
1965+0.11 EUR
2725+0.079 EUR
3226+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 736 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G ON-Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBT2222ALT1G; MMBT2222A-7-F; MMBT2222A RFG; MMBT2222A,215; MMBT22 MMBT2222ALT1G TMMBT2222alt1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G ON SEMICONDUCTOR mmbt2222lt1-d.pdf Транзистор ключевой 40 В NPN SOT-23
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 18-25 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G ON-Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBT2222ALT1G; MMBT2222A-7-F; MMBT2222A RFG; MMBT2222A,215; MMBT22 MMBT2222ALT1G TMMBT2222alt1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2052000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4167+0.042 EUR
6000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 4167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2052000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4167+0.042 EUR
6000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 4167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222ALT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.052 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 600000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.058 EUR
12000+0.026 EUR
27000+0.025 EUR
51000+0.024 EUR
102000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 51376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2689+0.064 EUR
3087+0.055 EUR
3290+0.05 EUR
6000+0.046 EUR
15000+0.042 EUR
30000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 2689 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G 2353900.pdf
MMBT2222ALT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3323+0.075 EUR
9000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 3323 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G MMBT2222.PDF
MMBT2222ALT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
auf Bestellung 63998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
455+0.19 EUR
685+0.12 EUR
985+0.087 EUR
1153+0.074 EUR
1673+0.051 EUR
1961+0.043 EUR
3000+0.033 EUR
6000+0.029 EUR
9000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 52376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
790+0.21 EUR
1229+0.13 EUR
1954+0.079 EUR
1973+0.075 EUR
2689+0.052 EUR
3087+0.044 EUR
3290+0.042 EUR
6000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 790 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222ALT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 40V
auf Bestellung 1243161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+0.27 EUR
21+0.17 EUR
100+0.1 EUR
500+0.074 EUR
1000+0.065 EUR
3000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222ALT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
77+0.27 EUR
129+0.17 EUR
209+0.1 EUR
500+0.073 EUR
1000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G 4078632.pdf
MMBT2222ALT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 159996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
736+0.35 EUR
1415+0.17 EUR
1965+0.11 EUR
2725+0.079 EUR
3226+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 736 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G 4078632.pdf
MMBT2222ALT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 159996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
736+0.35 EUR
1415+0.17 EUR
1965+0.11 EUR
2725+0.079 EUR
3226+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 736 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBT2222ALT1G; MMBT2222A-7-F; MMBT2222A RFG; MMBT2222A,215; MMBT22 MMBT2222ALT1G TMMBT2222alt1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Транзистор ключевой 40 В NPN SOT-23
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 18-25 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBT2222ALT1G; MMBT2222A-7-F; MMBT2222A RFG; MMBT2222A,215; MMBT22 MMBT2222ALT1G TMMBT2222alt1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

MMBT2907ALT1G
Produktcode: 25960
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
MMBT2907ALT1-D.PDF
MMBT2907ALT1G
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz fT, MHz: 200 MHz
Spannung Uce, V: 60 V
Spannung Ucb, V: 60 V
Strom Ic, A: 0,6 A
Stromverstärkung h21, max: 300
verfügbar: 150 St.
  • 150 St. - stock Köln
erwartet: 100 St.
  • 100 St. - erwartet
auf Bestellung: 5072 St.
  • 5072 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.058 EUR
10+0.043 EUR
100+0.04 EUR
1000+0.036 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMBT2907A
Produktcode: 22304
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description PMBT2907, A.pdf
PMBT2907A
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz fT, MHz: 200 MHz
Spannung Uce, V: 60 V
Spannung Ucb, V: 60 V
Strom Ic, A: 0,6 A
Stromverstärkung h21, max: 100
auf Bestellung: 3000 St.
  • 3000 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.12 EUR
10+0.071 EUR
100+0.027 EUR
1000+0.019 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4007
Produktcode: 176822
22 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
auf Bestellung: 37183 St.
  • 37183 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.039 EUR
10+0.031 EUR
100+0.024 EUR
1000+0.018 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
220uF 25V EHR 8x12mm (EHR221M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 6823
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
EHR_081225.pdf
220uF 25V EHR 8x12mm (EHR221M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220 µF
Nennspannung: 25 V
Reihe: EHR
Typ: Allzweck, breiter Temperaturbereich, 105°C
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 8x12 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 150 St.
  • 150 St. - stock Köln
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet 15.12.2026
auf Bestellung: 224 St.
  • 224 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.098 EUR
10+0.086 EUR
100+0.07 EUR
1000+0.058 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (CL31B104KBCNNNC – Samsung)
Produktcode: 48855
10 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
cl_series_mlcc_datasheet.pdf
100nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (CL31B104KBCNNNC – Samsung)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 100 нФ
Nennspannung: 50 В
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Baugröße: 1206
auf Bestellung: 38453 St.
  • 38453 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.036 EUR
100+0.031 EUR
1000+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH