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MMBT2222 (NPN-Bipolartransistor)

MMBT2222 (NPN-Bipolartransistor) NXP

MMBT2222.pdf
Produktcode: 12976
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Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 30 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 60 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 A
Stromverstärkung h21: 300
Montage: SMD
verfügbar: 250 St.
    AnzahlPrivatkunde
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    MMBT2222ALT1G (ON) NPN-Bipolartransistor MMBT2222ALT1G (ON) NPN-Bipolartransistor
    Produktcode: 35896
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    		ON Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
    Gehäuse: SOT-23
    Transitfrequenz fT: 300 MHz
    Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 40 V
    Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 75 V
    Kollektorstrom Ic, A: 0,6 A
    Montage: SMD
    auf Bestellung 460 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    erwartet 100 St.:
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    MMBT2222ALT1G (ON) NPN-Bipolartransistor
    Produktcode: 35896
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    MMBT2222ALT1G (ON) NPN-Bipolartransistor
    Hersteller: ON
    Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
    Gehäuse: SOT-23
    Transitfrequenz fT: 300 MHz
    Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 40 V
    Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 75 V
    Kollektorstrom Ic, A: 0,6 A
    Montage: SMD
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    Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
    MMBT2222 MMBT2222 ON Semiconductor 3650582153391357mmbt2222.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
    auf Bestellung 15501 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    13275+0.05 EUR
    Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
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    MMBT2222 MMBT2222 ON Semiconductor 3650582153391357mmbt2222.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
    auf Bestellung 19373 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    13275+0.05 EUR
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    MMBT2222 MMBT2222 Fairchild Semiconductor FAIRS44268-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 30V 0.6A SOT-23-3
    Packaging: Bulk
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
    Frequency - Transition: 250MHz
    Supplier Device Package: SOT-23-3
    Part Status: Obsolete
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
    Power - Max: 350 mW
    auf Bestellung 48883 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    7869+0.071 EUR
    Mindestbestellmenge: 7869 Stücke
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    MMBT2222 ON FAIRS44268-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
    auf Bestellung 933000 Stücke:
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    MMBT2222 3650582153391357mmbt2222.pdf
    MMBT2222
    Hersteller: ON Semiconductor
    Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
    auf Bestellung 15501 Stücke:
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    AnzahlPrivatkunde
    13275+0.05 EUR
    Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
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    MMBT2222 3650582153391357mmbt2222.pdf
    MMBT2222
    Hersteller: ON Semiconductor
    Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
    auf Bestellung 19373 Stücke:
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    MMBT2222 FAIRS44268-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
    MMBT2222
    Hersteller: Fairchild Semiconductor
    Description: TRANS NPN 30V 0.6A SOT-23-3
    Packaging: Bulk
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
    Frequency - Transition: 250MHz
    Supplier Device Package: SOT-23-3
    Part Status: Obsolete
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
    Power - Max: 350 mW
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    Hersteller: ON
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