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2SK1357

2SK1357 Toshiba

62019_1tyrv7.pdf
Produktcode: 73500
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Hersteller: Toshiba
Gehäuse: TO-3PB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 V
Drain-Strom Idd, A: 4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 700/60
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SK1357
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2SK1357
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IRFBG30PBF
Produktcode: 29889
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irfbg30pbf-datasheet.pdf
IRFBG30PBF
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 1000 В
Drain-Strom Idd, A: 2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 980/80
Montage: THT
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CD4070BM
Produktcode: 29809
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description suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcd4070b
CD4070BM
Hersteller: TI
IC > IC Logik
Gehäuse: SOIC-14
Beschreibung: CMOS Vierfach-Exklusiv-OR und Exklusiv-NOR-Gatter
Montage: SMD (Oberflächenmontage)
Versorgung, V: 3...18 В
Temperatur, °C: -55...+125°C
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MC14099BCP
Produktcode: 23805
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description datasheet_mc14099bcp_motorola(on).pdf
MC14099BCP
Hersteller: Motorola
IC > IC Logik
Gehäuse: DIP-16
Beschreibung: 8-Bit adressierbare Latches
Montage: THT (Durchsteckmontage)
Versorgung, V: -0,5...18 V
Temperatur, °C: -55...+125°C
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFBG20
Produktcode: 18614
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description sihbg20de3f3.pdf
IRFBG20
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 1000 V
Drain-Strom Idd, A: 1,4 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 500/38
Montage: THT
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2,2 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-2R2-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 15379
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RC_series.pdf
2,2 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-2R2-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 2,2 Ohm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
verfügbar: 1200 St.
  • 1200 St. - stock Köln
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  • 4263 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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