IRF5210PBF
Produktcode: 113380
Hersteller: IRGehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2700/180
/: THT
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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IRF5210PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -40A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1416 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF5210PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -40A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 1416 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5210PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 23281 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5210PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 23181 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5210PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 597 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5210PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 4917 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5210PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 316 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5210PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 577 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5210PBF | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC |
auf Bestellung 4722 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRF5210PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V |
auf Bestellung 7579 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF5210PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 23181 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5210PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF5210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 10668 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5210PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5210PBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 40 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 25; Qg, нКл = 180 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 24 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5210PBF | Hersteller : Infineon | Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-100V; Id=-40A; Pdmax=200W; Rds=0,06 Ohm |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905PBF Produktcode: 22366 |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 74
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 74
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
/: THT
verfügbar: 154 Stück
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.16 EUR |
10+ | 1.13 EUR |
IRF3710PBF Produktcode: 43009 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 57
Rds(on), Ohm: 0.023
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 57
Rds(on), Ohm: 0.023
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
JHGF: THT
verfügbar: 872 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.72 EUR |
10+ | 0.7 EUR |
100+ | 0.69 EUR |
1N4007 Produktcode: 176822 |
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 38605 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)IRF9540NPBF Produktcode: 31944 |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 23
Rds(on),Om: 0.117
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 23
Rds(on),Om: 0.117
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
/: THT
verfügbar: 761 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.58 EUR |
10+ | 0.52 EUR |
1N4007 Dioden Brücke Produktcode: 1574 |
Hersteller: YJ/Microsemi
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 1
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
№ 7: 8541100090
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 1
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
№ 7: 8541100090
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