IRF7342TRPBF
Produktcode: 31772
Hersteller: IRGehäuse: SO-8
Uds,V: 55
Id,A: 3.4
Rds(on),Om: 0.105
Ciss, pF/Qg, nC: 690/26
Gebr.: 2P
/: SMD
verfügbar 194 Stück:
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRF7342PBF Produktcode: 29394 |
Hersteller : IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: SO-8 Uds,V: 55 Id,A: 3.4 Rds(on),Om: 0.105 Ciss, pF/Qg, nC: 690/26 Gebr.: 2P /: SMD |
verfügbar: 12 Stück
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IRF7342TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 52000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7342TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7342TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 52000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7342TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7342TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7342TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 3970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7342TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -3.4A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 15676 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7342TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -3.4A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 15676 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7342TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 3970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7342TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
auf Bestellung 13845 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7342TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT DUAL PCh -55V 3.4A |
auf Bestellung 30597 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7342TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2690 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7342TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7342TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7342TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 52000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7342TRPBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon | 2P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 3,4 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 690 @ 25; Qg, нКл = 38 @ 10 В; Rds = 105 мОм @ 3,4 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8 |
auf Bestellung 829 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7342TRPBF | Hersteller : Infineon | Транз. Пол. ММ 2P-Channel SO8 -55V -3,4A 2W 105mOhm |
auf Bestellung 2922 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7342TRPBF | IRF7342TRPBF Микросхемы |
auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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IRF7342TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF7103TRPBF Produktcode: 19112 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 50
Idd,A: 3
Rds(on), Ohm: 0.13
Ciss, pF/Qg, nC: 01.12.290
Bem.: 2N
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 50
Idd,A: 3
Rds(on), Ohm: 0.13
Ciss, pF/Qg, nC: 01.12.290
Bem.: 2N
JHGF: SMD
auf Bestellung 370 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 0.28 EUR |
100+ | 0.25 EUR |
IRF7341TRPBF Produktcode: 25204 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 55
Idd,A: 04.07.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Bem.: 2N
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 55
Idd,A: 04.07.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Bem.: 2N
JHGF: SMD
auf Bestellung 175 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.48 EUR |
10+ | 0.44 EUR |
47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX) Produktcode: 17877 |
Hersteller: AVX
Kondensatoren > Tantal-Kondensatoren SMD
Kapazität: 47uF
Nennspannung: 10V
Präzision: ±10%
Größentyp: Size-B
№ 6: 8532210000
Kondensatoren > Tantal-Kondensatoren SMD
Kapazität: 47uF
Nennspannung: 10V
Präzision: ±10%
Größentyp: Size-B
№ 6: 8532210000
verfügbar: 3129 Stück
250 Stück - stock Köln
2879 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
2879 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 0.16 EUR |
100+ | 0.11 EUR |
1000+ | 0.092 EUR |
P6KE27A Produktcode: 29918 |
Hersteller: MIC/Sunmate
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-15
P, Wt: 600
U Durchbruch: 27
n: 27 V
n: 0,5 µA
n: Односпрямований
Монтаж: THT
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-15
P, Wt: 600
U Durchbruch: 27
n: 27 V
n: 0,5 µA
n: Односпрямований
Монтаж: THT
auf Bestellung 722 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)SRP7028C-3R3M Produktcode: 176336 |
Drosseln > Induktivität SMD andere
Nennwert: 3,3 µH
Genauigkeit: ±20%
Abmessungen und Größe: 7,1x6,6 mm
Nennwert: 3,3 µH
Genauigkeit: ±20%
Abmessungen und Größe: 7,1x6,6 mm
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