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IRF7342TRPBF

IRF7342TRPBF

irf7342pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 31772
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 55
Id,A: 3.4
Rds(on),Om: 0.105
Ciss, pF/Qg, nC: 690/26
Gebr.: 2P
/: SMD
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IRF7342PBF IRF7342PBF
Produktcode: 29394 		Hersteller : IR irf7342pbf.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 55
Id,A: 3.4
Rds(on),Om: 0.105
Ciss, pF/Qg, nC: 690/26
Gebr.: 2P
/: SMD
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
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4000+ 0.59 EUR
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf7342pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
50+1.43 EUR
69+ 1.04 EUR
146+ 0.49 EUR
155+ 0.46 EUR
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf7342pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
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500+ 0.75 EUR
1000+ 0.56 EUR
3000+ 0.47 EUR
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7342_DS_v01_01_EN-1732029.pdf MOSFETs MOSFT DUAL PCh -55V 3.4A
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100+ 1.25 EUR
500+ 1.07 EUR
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2000+ 0.8 EUR
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Hersteller : INFINEON 2333691.pdf Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 45 Stücke:
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7342TRPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 2P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 3,4 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 690 @ 25; Qg, нКл = 38 @ 10 В; Rds = 105 мОм @ 3,4 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
auf Bestellung 829 Stücke:
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4+1.74 EUR
10+ 1.5 EUR
100+ 1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IRF7342TRPBF Hersteller : Infineon irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 Транз. Пол. ММ 2P-Channel SO8 -55V -3,4A 2W 105mOhm
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1+3.6 EUR
10+ 3.24 EUR
100+ 2.88 EUR
IRF7342TRPBF irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 IRF7342TRPBF Микросхемы
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7103TRPBF
Produktcode: 19112		 description irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
IRF7103TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 50
Idd,A: 3
Rds(on), Ohm: 0.13
Ciss, pF/Qg, nC: 01.12.290
Bem.: 2N
JHGF: SMD
auf Bestellung 370 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.3 EUR
10+ 0.28 EUR
100+ 0.25 EUR
IRF7341TRPBF
Produktcode: 25204		 description IRF7341.pdf
IRF7341TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 55
Idd,A: 04.07.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Bem.: 2N
JHGF: SMD
auf Bestellung 175 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.48 EUR
10+ 0.44 EUR
47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX)
Produktcode: 17877		 taj-776811-datasheet.pdf
47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX)
Hersteller: AVX
Kondensatoren > Tantal-Kondensatoren SMD
Kapazität: 47uF
Nennspannung: 10V
Präzision: ±10%
Größentyp: Size-B
№ 6: 8532210000
verfügbar: 3129 Stück
250 Stück - stock Köln
2879 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis ohne MwSt
10+0.16 EUR
100+ 0.11 EUR
1000+ 0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 10
P6KE27A
Produktcode: 29918		 p6ke-955098.pdf
P6KE27A
Hersteller: MIC/Sunmate
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-15
P, Wt: 600
U Durchbruch: 27
n: 27 V
n: 0,5 µA
n: Односпрямований
Монтаж: THT
auf Bestellung 722 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SRP7028C-3R3M
Produktcode: 176336		 srp7028c.pdf
Drosseln > Induktivität SMD andere
Nennwert: 3,3 µH
Genauigkeit: ±20%
Abmessungen und Größe: 7,1x6,6 mm
Produkt ist nicht verfügbar