Produkte > Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule > APT75GP120B2G

APT75GP120B2G

High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
Produktcode: 219401
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote APT75GP120B2G nach Preis ab 38.65 EUR bis 38.65 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
APT75GP120B2G APT75GP120B2G Hersteller : Microchip Technology High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Description: IGBT PT 1200V 100A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/163ns
Switching Energy: 1620µJ (on), 2500µJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 320 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 1042 W
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+38.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GP120B2G APT75GP120B2G Hersteller : Microchip Technology apt75gp120b2b.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 1042W 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GP120B2G Hersteller : APT High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf TO-247_max Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GP120B2G APT75GP120B2G Hersteller : Microchip Technology APT13GP120BDQ1G_MOS7_PT_IGBT_w_DQ_Diode_Datasheet.pdf IGBTs IGBT PT MOS 7 Single 1200 V 75 A TO-247 MAX
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GP120B2G APT75GP120B2G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 91A; 1042W; T-Max
Type of transistor: IGBT
Technology: POWER MOS 7®; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 91A
Power dissipation: 1042W
Case: T-Max
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 0.32µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 359ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

IXGH15N120CD1
Produktcode: 219403
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP11N80C3
Produktcode: 111118
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en-1227668.pdf
SPP11N80C3
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 11 A
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1600/8
JHGF: THT
auf Bestellung 29 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-HFA16TB120PBF
Produktcode: 60428
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
hfa16tb120pbf.pdf
VS-HFA16TB120PBF
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: TO-220AC
Vrr, V: 1200
Iav, A: 16
Trr, ns: 30
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+2.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DSEP12-12A
Produktcode: 60418
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
dsep12-12a-datasheet.pdf
DSEP12-12A
Hersteller: IXYS
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: TO-220
Urev.,V: 1200 V
Iausricht.,А: 12 A
Beschreibung: Швидкий
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 2,65 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH