APT75GP120B2G Microchip Technology
Hersteller: Microchip TechnologyDescription: IGBT PT 1200V 100A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/163ns
Switching Energy: 1620µJ (on), 2500µJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 320 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 1042 W
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Technische Details APT75GP120B2G Microchip Technology
Description: IGBT PT 1200V 100A, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/163ns, Switching Energy: 1620µJ (on), 2500µJ (off), Test Condition: 600V, 75A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 320 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 1042 W.
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APT75GP120B2G Produktcode: 219401
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Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 91A; 1042W; T-Max Type of transistor: IGBT Technology: POWER MOS 7®; PT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 91A Power dissipation: 1042W Case: T-Max Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 0.32µC Kind of package: tube Turn-on time: 60ns Turn-off time: 359ns |
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