BC556B

BC556B

Produktcode: 16889
Hersteller: NXP
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
U, V: 65
U, V: 65
I, А: 0.1
h21,max: 475
ZCODE: 8541 21 00 90

BC556,BC557.pdf
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10+ 0.06 EUR
100+ 0.025 EUR

Technische Details BC556B

Preis BC556B ab 0.014 EUR bis 0.11 EUR

BC556B
Hersteller: DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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582+ 0.033 EUR
BC556B
Hersteller: DIOTEC

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12000+ 0.029 EUR
32000+ 0.026 EUR
BC556B
Hersteller: import
PNP 100mA 65V 500mW 150MHz 220 < beta < 475 Equivalent is: BC556B CDIL Trans. BC556B TO92 TBC556b
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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651+ 0.043 EUR
BC556B
Hersteller: LGE
PNP 100mA 65V 500mW 150MHz 220 < beta < 475 Equivalent is: BC556B CDIL Trans. BC556B TO92 TBC556b
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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651+ 0.043 EUR
BC556B
Hersteller: CDIL
PNP 100mA 65V 500mW 150MHz 200 < beta < 450 Trans. BC556B TO92 CDIL TBC556b cdil
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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580+ 0.049 EUR
BC556B
Hersteller: CDIL
PNP 100mA 65V 500mW 150MHz 200 < beta < 450 Trans. BC556B TO92 CDIL TBC556b cdil
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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580+ 0.049 EUR
BC556B
Hersteller: LGE
Possible substitute: BC556B CDIL Tranz. BC556B TO92(formed) TBC556b f
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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545+ 0.052 EUR
BC556B
Hersteller: Diotec Semiconductor
PNP; Uceo, = 65; Ic = 100 ; . = ; ft, = 150; , ° = -55...+150; TO-92-3
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167+ 0.055 EUR
179+ 0.048 EUR
193+ 0.042 EUR
BC556B
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Material: BC556B-DIO PNP THT transistors
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710+ 0.1 EUR
2613+ 0.027 EUR
3446+ 0.021 EUR
4356+ 0.016 EUR
4682+ 0.015 EUR
5026+ 0.014 EUR
BC556B
BC556B
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition: 280MHz
Power - Max: 625mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Part Status: Obsolete
Transistor Type: PNP
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Packaging: Bulk
Manufacturer: Rochester Electronics, LLC
ONSMS34071-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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5770+ 0.11 EUR
BC556B
BC556B
Hersteller: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Power - Max: 625mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Transistor Type: PNP
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Manufacturer: Rochester Electronics, LLC
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Frequency - Transition: 280MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Base Part Number: BC556
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
BC556,%20557,%20558%20Rev2.pdf
auf Bestellung 24900 Stücke
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5770+ 0.11 EUR
BC556B
BC556B
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Box
bc559.pdf
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BC556B
BC556B
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC556B - Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 65 V, 100 mA, 625 mW, TO-92, Through Hole
Transistor Polarity: PNP
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 625
DC Current Gain hFE: 110
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Through Hole
MSL: MSL 1 - Unlimited
Automotive Qualification Standard: -
DC Collector Current: 100
Transistor Case Style: TO-92
Transition Frequency ft: 150
No. of Pins: 3
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 65
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
2264839.pdf
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BC556B
BC556B
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Ammo
163321978326825bc556.pdf
3980 Stücke
BC556-B
Hersteller:

16500 Stücke
BC556B
BC556B
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Ammo
163321978326825bc556.pdf
16000 Stücke
BC556B
Hersteller: CDIL
PNP 100mA 65V 500mW 150MHz 200 < beta < 450 Trans. BC556B TO92 CDIL TBC556b cdil
BC556,%20557,%20558%20Rev2.pdf ONSMS34071-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw bc556.pdf
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BC556B
Hersteller: DIOTEC
PNP TRANSISTOR 65V 0,1A TO92
BC556,%20557,%20558%20Rev2.pdf ONSMS34071-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw bc556.pdf
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BC556B
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Ammo
BC556,%20557,%20558%20Rev2.pdf ONSMS34071-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw bc556.pdf
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BC556B
Hersteller: ----
PNP, U=65V, I=0.1A, h21=180...460, 0.625, 280, TO-92 BC556B-(TO-92)
BC556,%20557,%20558%20Rev2.pdf ONSMS34071-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw bc556.pdf
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BC556B
BC556B
Hersteller: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP
BC556B_D-2310094.pdf
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BC556B
Hersteller: Diotec
PNP, U=65V, I=0.1A, h21=180...460, 0.625, 280, TO-92 AMMO (.) BC556BDIO
BC556,%20557,%20558%20Rev2.pdf ONSMS34071-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw bc556.pdf
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BC556B
BC556B
Hersteller: NXP Semiconductors
Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BULK DLT
nxp_bc556_557-1188849.pdf
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BC556B
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Ammo
BC556,%20557,%20558%20Rev2.pdf ONSMS34071-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw bc556.pdf
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BC556B
BC556B
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP
BC556B_D-2310094.pdf
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BC556B
BC556B
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-92
Base Part Number: BC556
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Transistor Type: PNP
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition: 280MHz
Manufacturer: onsemi
Power - Max: 625mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
BC556,%20557,%20558%20Rev2.pdf
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BC556B
BC556B
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: BIPOLARTRANSISTOR,TO-92,65V,100M
Manufacturer: DComponents
Supplier Device Package: TO-92
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition: 150MHz
Power - Max: 500mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Transistor Type: PNP
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Part Status: Active
Packaging: Strip
bc556.pdf
auf Bestellung 120 Stücke
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BC546B (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 13100
BC546, 547.pdf
BC546B (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Philips
Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 65
Ucbo,V: 80
Ic,A: 0,1
h21: 450
1000 Stück - stock Köln
3616 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
61 Stück - erwartet
1+ 0.04 EUR
10+ 0.036 EUR
100+ 0.034 EUR
1000+ 0.025 EUR
BC547B (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 15291
BC546,B,BC547,A,B,C,BC548,A,B,C.pdf
BC547B (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: ST
Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 45
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
h21: 500
108 Stück - stock Köln
1+ 0.04 EUR
10+ 0.036 EUR
100+ 0.034 EUR
510pF 50V NP0 J(+/-5%) (R15N511J1HL2-L)
Produktcode: 54920
multilayer_ceramic_capacitorsepoxyy.pdf
510pF 50V NP0 J(+/-5%) (R15N511J1HL2-L)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische - Kondensatoren keramische mehrschichtige
Kapazität: 510pF
Nennspannung: 50V
TKE: NP0
Präzision: ±5% J
Abmessungen: 2,54mm
Part Nummer: R15N511J1HL2-L
50 Stück - stock Köln
49 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
10+ 0.044 EUR
100+ 0.022 EUR
1000+ 0.018 EUR
100nF 100V X7R K(+/-10%) (R15W104K2AH5-L)
Produktcode: 18267
multilayer_ceramic_capacitorsepoxxyy.pdf
100nF 100V X7R K(+/-10%) (R15W104K2AH5-L)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische - Kondensatoren keramische mehrschichtige
Kapazität: 100nF
Nennspannung: 100V
TKE: X7R
Präzision: ±10% K
Abmessungen: 5,08mm
Part Nummer: R15W104K2AH5-L
№ 8: 8532 24 00 00
2 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
10+ 0.06 EUR