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BC858C Infineon/Toshiba

Name: BC858C
Brand: Infineon/Toshiba
SKU: 3050
Price: 0.04 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 3050

Hersteller: Infineon/Toshiba
Gehäuse: SOT-23
fT: 150 MHz
U, V: 30
U, V: 30
I, А: 0.1
h21,max: 600
ZCODE: 8541 21 00 90

auf Bestellung 2152 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Anzahl	Preis
1+	0.04 EUR
10+	0.024 EUR
100+	0.02 EUR
1000+	0.015 EUR

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Beschreibung

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BC858C

Hersteller : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

Description: 30V 200MW 420@2MA,5V 100MA PNP S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
3000+	0.021 EUR
6000+	0.019 EUR
9000+	0.017 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BC858C

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 10321 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
5814+	0.024 EUR
6850+	0.02 EUR
9000+	0.018 EUR

Mindestbestellmenge: 5814

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BC858C

Hersteller : Diotec Semiconductor

FAIRS24200-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, PNP

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
17+	0.17 EUR
33+	0.086 EUR
100+	0.062 EUR
500+	0.046 EUR
3000+	0.033 EUR
9000+	0.026 EUR
24000+	0.019 EUR

Mindestbestellmenge: 17

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BC858C

Hersteller : Diotec Semiconductor

Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW

auf Bestellung 525 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
100+	0.18 EUR
173+	0.1 EUR
283+	0.062 EUR
500+	0.045 EUR

Mindestbestellmenge: 100

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BC858C

Hersteller : MULTICOMP PRO

Description: MULTICOMP PRO - BC858C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2155 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BC858C

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 105000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BC858C

Hersteller : CHIPNOBO

Transistor PNP; 800; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC858CLT1G; BC858CLT3G; BC858CE6327HTSA1; BC858CE6433HTMA1; BC858C RFG; BC858C-7-F; BC858C-TP; BC858C CHIPNOBO TBC858c CNB
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
1000+	0.029 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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BC858C

Hersteller : SHIKUES

Transistor PNP; 800; 300mW; 30V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC858CLT1G; BC858CLT3G; BC858CE6327HTSA1; BC858CE6433HTMA1; BC858C RFG; BC858C-7-F; BC858C-TP; BC858C SHIKUES TBC858c SHK
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
1000+	0.031 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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BC858C

Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR

BC858C-DIO PNP SMD transistors

auf Bestellung 7129 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
852+	0.084 EUR
5748+	0.012 EUR

Mindestbestellmenge: 852

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BC858C

Транзисторы биполярные PNP

auf Bestellung 268 Stücke:

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BC858C

Hersteller : Fairchild Semiconductor

Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 380 mW

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BC858C

Hersteller : Taiwan Semiconductor

Bipolar Transistors - BJT Transistor 200mW

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BC858C

Hersteller : Rectron

Bipolar Transistors - BJT SOT23,PNP,0.1A,30V,420-800HFE

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BC858C

Hersteller : onsemi / Fairchild

Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP

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BC858C

Hersteller : Diodes Incorporated

Bipolar Transistors - BJT

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BC858C

Hersteller : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

Description: 30V 200MW 420@2MA,5V 100MA PNP S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW

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BC858C

Hersteller : onsemi

Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW

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BC858C

Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation

Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW

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BC858C

Hersteller : Diotec Semiconductor

Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW

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BC858C

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R

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BC858C

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R

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BC858C

Hersteller : Taiwan Semiconductor

Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R

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BC858C

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R

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BC858C

Hersteller : Infineon Technologies

Bipolar Transistors - BJT

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BC848C (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 3096

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Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 250 MHz
Uceo,V: 30
Ucbo,V: 30
Ic,A: 0,1
h21: 800
ZCODE: SMD

auf Bestellung 2 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Anzahl	Preis
1+	2.26 EUR
10000+	0.015 EUR

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IRLML6402TRPBF
Produktcode: 27968

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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Id,A: 3.7
Rds(on),Om: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
ZCODE: 8541 21 00 90

auf Bestellung 8824 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Anzahl	Preis
1+	0.11 EUR
10+	0.1 EUR
100+	0.09 EUR
1000+	0.08 EUR

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10 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-10KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 2210

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10 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-10KR) (Widerstand/Resistor SMD)

Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206

auf Bestellung 4342 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Anzahl	Preis
10+	0.42 EUR
100+	0.036 EUR
1000+	0.0028 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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3 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 2158

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3 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)

Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 3 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206

auf Bestellung 8785 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Anzahl	Preis
10+	0.42 EUR
100+	0.036 EUR
1000+	0.0028 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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BC847B (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 2033

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Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
h21: 450
ZCODE: SMD

auf Bestellung 6029 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Anzahl	Preis
1+	0.04 EUR
10+	0.03 EUR
100+	0.02 EUR
1000+	0.018 EUR
10000+	0.015 EUR

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