BC858C Infineon/Toshiba
Produktcode: 3050
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller: Infineon/Toshiba
Gehäuse: SOT-23
fT: 150 MHz
U, V: 30
U, V: 30
I, А: 0.1
h21,max: 600
ZCODE: 8541 21 00 90
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.04 EUR |
| 10+ | 0.024 EUR |
| 100+ | 0.02 EUR |
| 1000+ | 0.015 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote BC858C nach Preis ab 0.018 EUR bis 0.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC858C | Hersteller : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 30V 200MW 420@2MA,5V 100MA PNP SPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
BC858C | Hersteller : MOT- |
Transistor PNP; 800; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC858CLT1G; BC858CLT3G; BC858CE6327HTSA1; BC858CE6433HTMA1; BC858C RFG; BC858C-7-F; BC858C-TP; BC858C SOT-23 MOT TBC858c MOTAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
BC858C | Hersteller : CHIPNOBO |
Transistor PNP; 800; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC858CLT1G; BC858CLT3G; BC858CE6327HTSA1; BC858CE6433HTMA1; BC858C RFG; BC858C-7-F; BC858C-TP; BC858C_R1_00001; BC858C CHIPNOBO TBC858c CNBAnzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
BC858C | Hersteller : SHIKUES |
Transistor PNP; 800; 300mW; 30V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC858CLT1G; BC858CLT3G; BC858CE6327HTSA1; BC858CE6433HTMA1; BC858C RFG; BC858C-7-F; BC858C-TP; BC858C_R1_00001 BC858C SHIKUES TBC858c SHKAnzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
BC858C | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 4438 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
BC858C | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Current gain: 520 Kind of package: reel; tape |
auf Bestellung 4438 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
BC858C | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW |
auf Bestellung 1085 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
BC858C | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC858C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
BC858C | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC858C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
| BC858C | Hersteller : Diotec |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
|
BC858C | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
BC858C | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
BC858C | Hersteller : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 30V 200MW 420@2MA,5V 100MA PNP SPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
BC858C | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, PNP |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
BC858C | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
BC858C | Hersteller : Rectron |
Bipolar Transistors - BJT SOT23,PNP,0.1A,30V,420-800HFE |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
BC858C | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT Transistor 200mW |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
| BC858C | Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Current gain: 420...800 Mounting: SMD Frequency: 100MHz |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
|
BC858C | Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.2W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mit diesem Produkt kaufen
| IRLML6402TRPBF Produktcode: 27968
7
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Id,A: 3.7
Rds(on),Om: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
ZCODE: 8541 21 00 90
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Id,A: 3.7
Rds(on),Om: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung 7041 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.11 EUR |
| 10+ | 0.1 EUR |
| 100+ | 0.09 EUR |
| 1000+ | 0.08 EUR |
| 150 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD) Produktcode: 1234
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 150 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 150 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 5879 St.
4990 St. - stock Köln
889 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
889 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet:
10000 St.
10000 St. - erwartet
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 0.0038 EUR |
| 100+ | 0.0024 EUR |
| 1000+ | 0.0017 EUR |
| 620 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD) Produktcode: 2150
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 620 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 620 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 12783 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 0.42 EUR |
| 100+ | 0.036 EUR |
| 1000+ | 0.0028 EUR |
| LL4148 Produktcode: 2413
4
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: SEMTECH
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SOD-80
Urev.,V: 100
Iausricht.,А: 0,2 A
Beschreibung: 4 ns
Монтаж: SMD
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SOD-80
Urev.,V: 100
Iausricht.,А: 0,2 A
Beschreibung: 4 ns
Монтаж: SMD
auf Bestellung 62725 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRLML2502TRPBF Produktcode: 25595
4
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Idd,A: 04.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.045
Ciss, pF/Qg, nC: 01.08.740
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Idd,A: 04.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.045
Ciss, pF/Qg, nC: 01.08.740
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 6174 St.
90 St. - stock Köln
6084 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
6084 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet:
6000 St.
6000 St. - erwartet 05.07.2026
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.12 EUR |
| 10+ | 0.11 EUR |
| 100+ | 0.1 EUR |










