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BC858C

BC858C Infineon/Toshiba

ds11207.pdf
Produktcode: 3050
Hersteller: Infineon/Toshiba
Gehäuse: SOT-23
fT: 150 MHz
U, V: 30
U, V: 30
I, А: 0.1
h21,max: 600
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar 2793 Stück:
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BC858C BC858C Hersteller : Diotec Electronics bc856.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 105000 Stücke:
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BC858C BC858C Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC858C BC858C Hersteller : Diotec Semiconductor AG bc856.pdf Description: BJT, SOT-23, 30V, 100mA, PNP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
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BC858C BC858C Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf BC856A%20SERIES_I2001.pdf BC856-60.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, PNP
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179+0.29 EUR
328+ 0.16 EUR
455+ 0.11 EUR
572+ 0.091 EUR
1000+ 0.081 EUR
3000+ 0.06 EUR
9000+ 0.044 EUR
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BC858C BC858C Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC858C BC858C Hersteller : MULTICOMP PRO 2861458.pdf Description: MULTICOMP PRO - BC858C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: -
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3960 Stücke:
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BC858C BC858C Hersteller : MULTICOMP PRO 2861458.pdf Description: MULTICOMP PRO - BC858C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: -
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BC858C BC858C Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC858C BC858C Hersteller : Diotec Electronics bc856.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC858C Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR bc856.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 520
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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1675+0.043 EUR
2875+ 0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 1675
BC858C Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR bc856.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 520
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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BC858C bc856.pdf BC856A%20SERIES_I2001.pdf BC856-60.pdf Транзисторы биполярные PNP
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BC858C BC858C Hersteller : Taiwan Semiconductor bc856.pdf BC856A%20SERIES_I2001.pdf BC856-60.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor 200mW
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BC858C BC858C Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BC858C_DataSheet_v01_00_EN-3360676.pdf Bipolar Transistors - BJT
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BC858C BC858C Hersteller : Diodes Incorporated ds11207-3240517.pdf Bipolar Transistors - BJT
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BC858C Hersteller : Rectron bc856_bc858-1396024.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT23,PNP,0.1A,30V,420-800HFE
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BC858C BC858C Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY bc856.pdf BC856A%20SERIES_I2001.pdf BC856-60.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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BC858C BC858C Hersteller : onsemi / Fairchild BC858-1300152.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP
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BC858C BC858C Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY bc856.pdf BC856A%20SERIES_I2001.pdf BC856-60.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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BC858C BC858C Hersteller : onsemi BC856-60.pdf Description: BJT SOT23 30V PNP 0.25W 150C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
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BC858C BC858C Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation BC856A%20SERIES_I2001.pdf Description: SOT-23, -30V, -0.1A, PNP BIPOLAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Produkt ist nicht verfügbar
BC858C BC858C Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
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BC858C Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC BC856_857_858.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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BC858C BC858C Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BC858C BC858C Hersteller : Taiwan Semiconductor bc856aseries_i2001.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BC858C BC858C Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BC858C BC858C Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BC858C Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC BC856_857_858.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
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BC848C (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 3096		 BC846...BC850.pdf
BC848C (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 250 MHz
Uceo,V: 30
Ucbo,V: 30
Ic,A: 0,1
h21: 800
ZCODE: SMD
auf Bestellung 12 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+2.26 EUR
BC848C
Produktcode: 160570		 bc846_thru_bc848.pdf
BC848C
Hersteller: Yangjie
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 30 V
Ucbo,V: 30 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 800
ZCODE: SMD
auf Bestellung 39 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BC817-40 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 17873		 BC817-40.pdf
BC817-40 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,5
h21: 600
ZCODE: SMD
verfügbar: 18155 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.04 EUR
10+ 0.03 EUR
100+ 0.026 EUR
1000+ 0.023 EUR
IRLML6402TRPBF
Produktcode: 27968		 IRLML6402.pdf
IRLML6402TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Id,A: 3.7
Rds(on),Om: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar: 10288 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.11 EUR
10+ 0.1 EUR
100+ 0.09 EUR
1000+ 0.08 EUR
BC846B (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 2035		 BC846, 847.pdf
BC846B (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 65
Ucbo,V: 80
Ic,A: 0,1
h21: 450
ZCODE: SMD
verfügbar: 2578 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.04 EUR
10+ 0.03 EUR
100+ 0.016 EUR
1000+ 0.012 EUR