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BC858C

BC858C Infineon/Toshiba

ds11207.pdf
Produktcode: 3050
Hersteller: Infineon/Toshiba
Gehäuse: SOT-23
fT: 150 MHz
U, V: 30
U, V: 30
I, А: 0.1
h21,max: 600
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung 2362 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.024 EUR
100+0.02 EUR
1000+0.015 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC858C BC858C Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
24000+0.019 EUR
30000+0.018 EUR
45000+0.016 EUR
60000+0.015 EUR
75000+0.013 EUR
Mindestbestellmenge: 24000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC858C BC858C Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
24000+0.019 EUR
30000+0.018 EUR
45000+0.016 EUR
60000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 24000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC858C BC858C Hersteller : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. BC858C%20SOT-23.PDF Description: 30V 200MW 420@2MA,5V 100MA PNP S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BC858C BC858C Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD090D3297244A9E0DF&compId=bc856.pdf?ci_sign=15e83cb60591379a414fdd005167f21a1e4674ab Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 520
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 6052 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.14 EUR
1163+0.061 EUR
1774+0.04 EUR
3125+0.023 EUR
3704+0.019 EUR
5748+0.012 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC858C BC858C Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD090D3297244A9E0DF&compId=bc856.pdf?ci_sign=15e83cb60591379a414fdd005167f21a1e4674ab Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 520
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6052 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.14 EUR
1163+0.061 EUR
1774+0.04 EUR
3125+0.023 EUR
3704+0.019 EUR
5748+0.012 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC858C BC858C Hersteller : Diotec Semiconductor BC858C%20SOT-23.PDF Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, PNP
auf Bestellung 12367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+0.16 EUR
32+0.09 EUR
100+0.074 EUR
500+0.06 EUR
1000+0.053 EUR
3000+0.04 EUR
9000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC858C BC858C Hersteller : MULTICOMP PRO 2861458.pdf Description: MULTICOMP PRO - BC858C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BC858C BC858C Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC858C BC858C Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC858C Hersteller : SHIKUES BC858C%20SOT-23.PDF Transistor PNP; 800; 300mW; 30V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC858CLT1G; BC858CLT3G; BC858CE6327HTSA1; BC858CE6433HTMA1; BC858C RFG; BC858C-7-F; BC858C-TP; BC858C SHIKUES TBC858c SHK
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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1000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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BC858C BC858C%20SOT-23.PDF Транзисторы биполярные PNP
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BC858C BC858C Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC858C Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA3A3857CBB3B40D6&compId=BC856_857_858.pdf?ci_sign=090a24ed88a4b5cbcb4a1ad3c5ede86679edfa5c Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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BC858C BC858C Hersteller : Taiwan Semiconductor bc856aseries_i2001.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC858C Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY BC858C%20SOT-23.PDF BC858C-YAN PNP SMD transistors
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BC858C BC858C Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC858C BC858C Hersteller : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. BC858C%20SOT-23.PDF Description: 30V 200MW 420@2MA,5V 100MA PNP S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
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BC858C BC858C Hersteller : Diodes Incorporated ds11207-3240517.pdf Bipolar Transistors - BJT
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BC858C BC858C Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC858C BC858C Hersteller : onsemi / Fairchild BC858-1300152.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP
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BC858C BC858C Hersteller : Rectron bc856_bc858-1396024.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT23,PNP,0.1A,30V,420-800HFE
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BC858C BC858C Hersteller : Taiwan Semiconductor BC858C%20SOT-23.PDF Bipolar Transistors - BJT Transistor 200mW
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BC858C BC858C Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BC858C_DataSheet_v01_00_EN-3360676.pdf Bipolar Transistors - BJT
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BC858C BC858C Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC858C Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA3A3857CBB3B40D6&compId=BC856_857_858.pdf?ci_sign=090a24ed88a4b5cbcb4a1ad3c5ede86679edfa5c Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
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BC848C (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 3096
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BC846...BC850.pdf
BC848C (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 250 MHz
Uceo,V: 30
Ucbo,V: 30
Ic,A: 0,1
h21: 800
ZCODE: SMD
auf Bestellung 2 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.26 EUR
10000+0.015 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6402TRPBF
Produktcode: 27968
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IRLML6402.pdf
IRLML6402TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Id,A: 3.7
Rds(on),Om: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung 5767 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.11 EUR
10+0.1 EUR
100+0.09 EUR
1000+0.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-10KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 2210
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RC_series.pdf
10 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-10KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 15512 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 40000 Stück:
40000 Stück - erwartet 26.09.2025
Anzahl Preis
10+0.42 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 2158
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rc_series_20150401_1.pdf
3 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 3 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 14532 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.42 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC847B (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 2033
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BC847B.pdf
BC847B (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
h21: 450
ZCODE: SMD
auf Bestellung 1869 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.02 EUR
1000+0.018 EUR
10000+0.015 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH