BD242B STMicroelectronics
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Technische Details BD242B STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - BD242B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BD242B nach Preis ab 0.22 EUR bis 2.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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BD242B | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans GP BJT PNP 80V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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BD242B | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS PNP 80V 3A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 300µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Supplier Device Package: TO-220AB Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
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BD242B | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 3A; 40W; TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 3A Power dissipation: 40W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 3MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 362 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BD242B | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 3A; 40W; TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 3A Power dissipation: 40W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 3MHz |
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BD242B | Hersteller : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose |
auf Bestellung 1605 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BD242B | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT PNP 80V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 13550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD242B | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - BD242B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3481 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD242B | Hersteller : ST |
NPN 3A 80V 40W 3MHz BD242B TBD242b Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD242B | Hersteller : ST |
NPN 3A 80V 40W 3MHz BD242B TBD242b Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
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BD242B(Transistor) Produktcode: 71974
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : Fairchild |
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP Gehäuse: TO-220 U, V: 80 V U, V: 90 V I, А: 1 А |
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BD242B | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT PNP 80V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| BD242B | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT PNP 80V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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BD242B | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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BD242B | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS PNP 80V 3A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 300µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
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BD242B | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 3A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 300µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W |
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