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BSM35GD120DN2

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Produktcode: 171518
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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BSM35GD120DN2 Hersteller : Infineon Technologies BSM35GD120DN2_2006-01-31.pdf Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
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BSM35GD120DN2 Hersteller : Infineon Technologies kuka-2007-520787.pdf IGBT Modules 1200V 35A 3-PHASE
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