BSM50GB120DN2
Produktcode: 46886
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller:
Vces: 1200
ZCODE: 8541500090
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BSM50GB120DN2
- IGBT MODULE, DUAL, 1200V
- Transistor Type:IGBT Module
- Voltage Vces:1200V
- Max Current Ic Continuous a:50A
- Max Voltage Vce Sat:3V
- Power Dissipation:400W
- Case Style:Half Bridge 1
- Termination Type:Screw
- SVHC:Cobalt dichloride
- Alternate Case Style:M34a
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
- Current Temperature:80`C
- Fall Time Tf:100ns
- Power Dissipation Pd:400W
- Pulsed Current Icm:100A
- Rise Time:100ns
Weitere Produktangebote BSM50GB120DN2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| BSM50GB120DN2 | Hersteller : module |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|||
 |
BSM50GB120DN2 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules 1200V 50A DUAL |
Produkt ist nicht verfügbar |