BUV21G ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 52+ | 32.06 EUR |
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Technische Details BUV21G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BUV21G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 40 A, 250 W, TO-3, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-3, Dauerkollektorstrom: 40A, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BUV21G nach Preis ab 21.35 EUR bis 35.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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BUV21G | Hersteller : onsemi |
 Bipolar Transistors - BJT 40A 200V 250W NPN |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUV21G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 200V 40A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3A, 25A Current - Collector Cutoff (Max): 3mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 12A, 2V Frequency - Transition: 8MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 250 W |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUV21G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BUV21G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 40 A, 250 W, TO-3, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-3 Dauerkollektorstrom: 40A Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUV21G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 40A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUV21G | Hersteller : Sanyo |
Description: TRANS NPN 200V 40A TO204 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3A, 25A Current - Collector Cutoff (Max): 3mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 12A, 2V Frequency - Transition: 8MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 250 W |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUV21G | Hersteller : ONSEMI |
BUV21 NPN THT transistors |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BUV21G Produktcode: 165153
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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BUV21G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 40A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
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BUV21G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 40A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
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