BUV21G ON Semiconductor
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Technische Details BUV21G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BUV21G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 40 A, 250 W, TO-3, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 40A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-3, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C.
Weitere Produktangebote BUV21G nach Preis ab 23.31 EUR bis 47.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BUV21G | Hersteller : ONSEMI |
 Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 40A; 250W; TO3 Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray Power dissipation: 250W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Collector current: 40A Collector-emitter voltage: 250V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUV21G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 40A; 250W; TO3 Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray Power dissipation: 250W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Collector current: 40A Collector-emitter voltage: 250V |
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BUV21G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 40A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUV21G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 200V 40A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3A, 25A Current - Collector Cutoff (Max): 3mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 12A, 2V Frequency - Transition: 8MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 250 W |
auf Bestellung 389 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BUV21G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 40A 200V 250W NPN |
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BUV21G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BUV21G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 40 A, 250 W, TO-3, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 40A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-3 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C |
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BUV21G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 40A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
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BUV21G Produktcode: 165153 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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BUV21G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 40A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
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BUV21G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 40A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
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