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BUV21G

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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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BUV21G BUV21G ON Semiconductor buv21-d.pdf Trans GP BJT NPN 200V 40A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
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BUV21G BUV21G onsemi buv21-d.pdf Description: TRANS NPN 200V 40A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3A, 25A
Current - Collector Cutoff (Max): 3mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 12A, 2V
Frequency - Transition: 8MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 250 W
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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BUV21G BUV21G onsemi BUV21-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 40A 200V 250W NPN
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BUV21G BUV21G ONSEMI ONSM-S-A0013215054-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BUV21G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 40 A, 250 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
auf Bestellung 55 Stücke:
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10+32.93 EUR
50+28.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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BUV21G Sanyo Electric buv21-d.pdf BUV21G
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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100+26.87 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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BUV21G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 200V 40A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
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BUV21G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 200V 40A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3A, 25A
Current - Collector Cutoff (Max): 3mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 12A, 2V
Frequency - Transition: 8MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 250 W
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BUV21G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 40A 200V 250W NPN
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BUV21G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BUV21G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 40 A, 250 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
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Hersteller: Sanyo Electric
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2N2907A [KSP2907A] (NPN-Bipolartransistor)
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Gehäuse: TO-39
Transitfrequenz fT: 200 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 60 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 A
Stromverstärkung h21: 150
Montage: THT
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Hersteller: CJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
Transitfrequenz fT: 190 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 В
Kollektorstrom Ic, A: 1,5 А
Stromverstärkung h21: 250
Montage: THT
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2N2222A (TO-18) (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 105921
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Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-18
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 75 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,8 А
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10+1.46 EUR
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2N5038G
Produktcode: 67440
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2N5038G
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-204
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 90 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 150 V
Kollektorstrom Ic, A: 20 A
Montage: THT
auf Bestellung: 13 St.
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