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BUV21G

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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BUV21G BUV21G onsemi buv21-d.pdf Description: TRANS NPN 200V 40A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3A, 25A
Current - Collector Cutoff (Max): 3mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 12A, 2V
Frequency - Transition: 8MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 250 W
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+27.73 EUR
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BUV21G BUV21G onsemi BUV21-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 40A 200V 250W NPN
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+25.24 EUR
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BUV21G BUV21G ONSEMI ONSM-S-A0013215054-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BUV21G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 40 A, 250 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BUV21G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 200V 40A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3A, 25A
Current - Collector Cutoff (Max): 3mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 12A, 2V
Frequency - Transition: 8MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 250 W
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BUV21G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 40A 200V 250W NPN
auf Bestellung 76 Stücke:
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BUV21G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BUV21G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 40 A, 250 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
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fT: 200 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 150
Montage: THT
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