BUV21G ON Semiconductor
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 52+ | 31.04 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BUV21G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BUV21G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 40 A, 250 W, TO-3, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-3, Dauerkollektorstrom: 40A, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BUV21G nach Preis ab 19.73 EUR bis 32.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUV21G | Hersteller : onsemi |
 Bipolar Transistors - BJT 40A 200V 250W NPN |
auf Bestellung 76 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
BUV21G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 200V 40A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3A, 25A Current - Collector Cutoff (Max): 3mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 12A, 2V Frequency - Transition: 8MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 250 W |
auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
BUV21G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BUV21G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 40 A, 250 W, TO-3, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-3 Dauerkollektorstrom: 40A Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
 |
BUV21G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 40A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
| BUV21G | Hersteller : Sanyo Electric |
BUV21G |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||
| BUV21G | Hersteller : Sanyo |
Description: TRANS NPN 200V 40A TO204 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3A, 25A Current - Collector Cutoff (Max): 3mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 12A, 2V Frequency - Transition: 8MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 250 W |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||
|
BUV21G Produktcode: 165153
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||
|
|
BUV21G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 40A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
|
|
BUV21G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 40A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
 |
BUV21G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 40A; 250W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 250V Collector current: 40A Power dissipation: 250W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray Frequency: 8MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
|
|
BUV21G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 40A; 250W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 250V Collector current: 40A Power dissipation: 250W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray Frequency: 8MHz |
Produkt ist nicht verfügbar |