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2N2222A (TO-92) (Bipolartransistor NPN) Fairchild

Name: 2N2222A (TO-92) (Bipolartransistor NPN)
Brand: Fairchild
SKU: 26080
Price: 0.04 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 26080

Hersteller: Fairchild
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40
Ucbo,V: 75
Ic,A: 0,8
h21: 300
ZCODE: THT

verfügbar 967 Stück:

120 Stück - stock Köln
847 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen

Anzahl	Preis
1+	0.04 EUR
10+	0.036 EUR
100+	0.032 EUR

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2N2222A

Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 250MHz

auf Bestellung 29132 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
209+	0.34 EUR
1000+	0.072 EUR
1137+	0.063 EUR
1489+	0.048 EUR
1673+	0.043 EUR
1969+	0.036 EUR
2273+	0.031 EUR
3497+	0.02 EUR
3704+	0.019 EUR

Mindestbestellmenge: 209

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2N2222A

Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR

auf Bestellung 29132 Stücke:

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209+	0.34 EUR
1000+	0.072 EUR
1137+	0.063 EUR
1489+	0.048 EUR
1673+	0.043 EUR
1969+	0.036 EUR
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2N2222A

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW Automotive 3-Pin TO-92 Ammo

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
4000+	0.048 EUR

Mindestbestellmenge: 4000

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2N2222A

Hersteller : Lumimax Optoelectronic Technology

Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW

auf Bestellung 18060 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
122+	0.14 EUR
233+	0.076 EUR
259+	0.068 EUR
500+	0.061 EUR
1000+	0.045 EUR
2000+	0.042 EUR

Mindestbestellmenge: 122

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2N2222A

Hersteller : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

Description: 40V 600MA NPN TO-92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW

auf Bestellung 309 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
112+	0.16 EUR
182+	0.097 EUR
300+	0.059 EUR

Mindestbestellmenge: 112

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2N2222A

Hersteller : Diotec Semiconductor

NPN%20Small%20Signal%20Amplifiers%2C%20Switches.pdf

Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 40V, 600mA, NPN

auf Bestellung 17069 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
13+	0.22 EUR
18+	0.16 EUR
100+	0.14 EUR
500+	0.11 EUR
1000+	0.093 EUR
4000+	0.072 EUR
8000+	0.046 EUR

Mindestbestellmenge: 13

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2N2222A

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW Automotive 3-Pin TO-92 Ammo

auf Bestellung 3785 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
2156+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 2156

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2N2222A

Hersteller : CDIL

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE888D98C015AF5F3D1&compId=2n2221a_22a.pdf?ci_sign=d2124204197bf91d3f19ce21ce9f43f5da738579

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5/1.2W
Case: TO18
Current gain: 40...120
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 856 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
76+	0.94 EUR
109+	0.66 EUR
182+	0.39 EUR
242+	0.3 EUR
257+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 76

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2N2222A

Hersteller : CDIL

auf Bestellung 856 Stücke:

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76+	0.94 EUR
109+	0.66 EUR
182+	0.39 EUR
242+	0.3 EUR
257+	0.28 EUR

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2N2222A

Hersteller : Good-Ark Semiconductor

Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 500 mW

auf Bestellung 4785 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
5+	4.07 EUR
10+	2.62 EUR
100+	1.8 EUR
500+	1.45 EUR
1000+	1.34 EUR
2000+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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2N2222A

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo

auf Bestellung 662 Stücke:

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2N2222A

Hersteller : MULTICOMP PRO

Description: MULTICOMP PRO - 2N2222A - Bipolartransistor (BJT), einfach, hohe Schaltfrequenz, NPN, 40V, 1.2W, 800mA, TO-18
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TO-18
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 44053 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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2N2222A

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo

auf Bestellung 7800 Stücke:

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2N2222A

Hersteller : Microchip Technology

Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Bag

auf Bestellung 21 Stücke:

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2N2222A

Hersteller : Microchip Technology

Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Bag

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2N2222A

Hersteller : DIOTEC

Description: DIOTEC - 2N2222A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 665 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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2N2222A

Hersteller : SLKOR

Transistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: KSP2222ABU (BULK); KSP2222ATA (AMMO); KSP2222ATF; 2N2222A-DIO (AMMO); 2N2222A SLKOR T2N2222a SLK
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke

auf Bestellung 1690 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
1000+	0.049 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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2N2222A

Hersteller : DIOTEC

Transistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Substitute: 2N2222A-DIO; 2N2222A T2N2222a p DIO
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
4000+	0.06 EUR

Mindestbestellmenge: 4000

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2N2222A

Hersteller : DIOTEC

Transistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Substitute: 2N2222A-DIO; 2N2222A T2N2222a p DIO
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
4000+	0.06 EUR

Mindestbestellmenge: 4000

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2N2222A

Hersteller : Diotec

Транз. Бипол. ММ NPN; 40V; 600mA; 625mW; TO92

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
1+	0.34 EUR

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2N2222A (TO-18) (ein Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 105921

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Hersteller : ST

Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-18
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,8 A

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2N2222A

Hersteller : CDIL

NPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222A-CDI; 2N2222A REE; 2N2222A-CEN; 2N2222A CDIL T2N2222a
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 880 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
100+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 100

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2N2222A

Hersteller : MICROSEMI

TO-18NPN Transistor 2N2222A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2 Stücke:

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2N2222A

Hersteller : Microchip Technology

Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Bag

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2N2222A

Hersteller : Diotec Semiconductor

Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Packaging: Strip
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW

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2N2222A

Hersteller : Good-Ark

Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18

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2N2222A

Hersteller : Rectron

Trans RF BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18

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2N2222A

Hersteller : Semelab / TT Electronics

Bipolar Transistors - BJT SMALL SIGNAL NPN

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2N2222A

Hersteller : onsemi

Bipolar Transistors - BJT

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2N2222A

Hersteller : STMicroelectronics

Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose

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2N2222A

Hersteller : Rectron

Bipolar Transistors - BJT TO-18

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2N2222A

Hersteller : Microchip Technology

Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT THT

Produkt ist nicht verfügbar

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2N2222A

Hersteller : Rectron

Trans RF BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18

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2N2222A

Hersteller : Semelab

Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18

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2N2222A

Hersteller : onsemi

Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-18
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 500 mW

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2N2222A

Hersteller : Semicoa Semiconductors

Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18

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2N2222A

Hersteller : Central Semiconductor

Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Box

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2N2222A

Hersteller : Microchip Technology

Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

2N2222A

Hersteller : Diotec Semiconductor

Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW

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2N2222A

Hersteller : Diotec Semiconductor

Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

2N2222A

Hersteller : Microchip Technology

Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW

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2N2222A

Hersteller : STMicroelectronics

Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18 Bag

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

2N2222A

Hersteller : ONSEMI

EDU-2N2222A NPN THT transistors

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2N2222A

EDU-2N2222A-2 NPN THT transistors

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2N2222A

Hersteller : Optek Technology

Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18

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1N4007
Produktcode: 176822

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Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V

auf Bestellung 29269 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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1N4148
Produktcode: 176824

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Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Trr, ns: 8 ns

auf Bestellung 33496 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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1 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-1K-Hitano)
Produktcode: 11106

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Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm

verfügbar: 22425 Stück

1164 Stück - stock Köln
21261 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen

erwartet: 40000 Stück

40000 Stück - erwartet

Anzahl	Preis
10+	0.01 EUR
100+	0.0056 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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10 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-10K)
Produktcode: 13787

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Hersteller: Uni Ohm
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: вугільно-плівкові

Produkt ist nicht verfügbar

erwartet: 40000 Stück

40000 Stück - erwartet 28.08.2025

Anzahl	Preis
10+	0.01 EUR
100+	0.0056 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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1N4448
Produktcode: 20338

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Hersteller: YJ/Philips
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Urev.,V: 100
Iausricht.,А: 01.02.2000
Beschreibung: Schneller
Austauschbar: 1N4148
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1 V

verfügbar: 5295 Stück

1500 Stück - stock Köln
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