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BXP18N50F

BXP18N50F BRIDGELUX

BXP18N50.pdf Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 42.8W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 878 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.82 EUR
50+1.45 EUR
56+1.3 EUR
100+1.09 EUR
250+0.98 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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Technische Details BXP18N50F BRIDGELUX

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 12A, Pulsed drain current: 72A, Power dissipation: 42.8W, Case: TO220F, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.38Ω, Mounting: THT, Gate charge: 45nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote BXP18N50F nach Preis ab 0.78 EUR bis 1.82 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BXP18N50F BXP18N50F Hersteller : BRIDGELUX BXP18N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 42.8W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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BXP18N50F
Produktcode: 200133
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