Weitere Produktangebote BXP18N50F nach Preis ab 1.06 EUR bis 2.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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BXP18N50F | BRIDGELUX |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 42.8W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 679 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BXP18N50F |
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Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 42.8W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 42.8W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 39+ | 2.21 EUR |
| 49+ | 1.77 EUR |
| 54+ | 1.58 EUR |
| 100+ | 1.33 EUR |
| 250+ | 1.2 EUR |
| 500+ | 1.06 EUR |
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| einstellbar DC-DC-Wandler auf LM2596S Produktcode: 109750
29
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Китай
Netzteile und Ladegeräte > Blocks DC_DC Wandler
Eingangsspannung, V: 7...35 VDC
Ausgangsspannung, VDC: 1,25...30 VDC
Max. Ausgangsstrom: 3 A
Gehäuse, Abmessungen, mm: 48x24 mm
Netzteile und Ladegeräte > Blocks DC_DC Wandler
Eingangsspannung, V: 7...35 VDC
Ausgangsspannung, VDC: 1,25...30 VDC
Max. Ausgangsstrom: 3 A
Gehäuse, Abmessungen, mm: 48x24 mm
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 2000 St.
- 2000 St. - erwartet 25.07.2026
| Schalt- Abwärts- einstellbar Spannungsstabilisator MP2307 Produktcode: 104815
10
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Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: China
Netzteile und Ladegeräte > Blocks DC_DC Wandler
Eingangsspannung, V: 4,75 ... 20 VDC
Ausgangsspannung, VDC: 1,0...17 VDC
Max. Ausgangsstrom: 3 A
Gehäuse, Abmessungen, mm: 17x11x3,8 mm
Temperatur, °C: -40...+85°C
Netzteile und Ladegeräte > Blocks DC_DC Wandler
Eingangsspannung, V: 4,75 ... 20 VDC
Ausgangsspannung, VDC: 1,0...17 VDC
Max. Ausgangsstrom: 3 A
Gehäuse, Abmessungen, mm: 17x11x3,8 mm
Temperatur, °C: -40...+85°C
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 4000 St.
- 4000 St. - erwartet 25.07.2026
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.19 EUR |
| IRF3205ZPBF Produktcode: 34997
1
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Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 75 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/110
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 75 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/110
Montage: THT
auf Bestellung 285 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.86 EUR |
| 10+ | 0.81 EUR |
| SG3525AP Produktcode: 29169
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Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-16
Funktion und Eigenschaften: PWM Controllers 2 Ausgänge
Spannung eing., V: 40 V
I-ausg., A: 0,5 A
Fosc, kHz: 400 kHz
Temperaturbereich: -25…+85°C
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-16
Funktion und Eigenschaften: PWM Controllers 2 Ausgänge
Spannung eing., V: 40 V
I-ausg., A: 0,5 A
Fosc, kHz: 400 kHz
Temperaturbereich: -25…+85°C
auf Bestellung 166 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1 EUR |
| SPP20N60C3 Produktcode: 25463
5
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|
|
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 V
Drain-Strom Idd, A: 20,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2400/11
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 V
Drain-Strom Idd, A: 20,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2400/11
Montage: THT
auf Bestellung 85 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)