D44H11G (Bipolartransistor NPN) ON
Produktcode: 26682
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Lieblingsprodukt
Hersteller: ON
Gehäuse: TO-220
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 20 A
Montage: THT
Produktrezensionen
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Weitere Produktangebote D44H11G (Bipolartransistor NPN) nach Preis ab 0.74 EUR bis 4.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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D44H11G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 777 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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D44H11G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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D44H11G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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D44H11G | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 10A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Current gain: 40 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 40MHz |
auf Bestellung 168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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D44H11G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W NPN |
auf Bestellung 3364 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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D44H11G | onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 10A TO-220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
auf Bestellung 4730 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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D44H11G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1287 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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D44H11G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - D44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 80 V, 10 A, 70 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 70W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1873 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| D44H11G | ON-Semiconductor |
Transistor NPN; Bipolar; 80V; 20V; 50MHz; 10A; 2W; -55°C~150°C; D44H11G TD44H11G ONSAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| D44H11G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 129+ | 1.36 EUR |
| 130+ | 1.3 EUR |
| 144+ | 1.12 EUR |
| 500+ | 1.05 EUR |
| D44H11G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 129+ | 1.36 EUR |
| 131+ | 1.32 EUR |
| 145+ | 1.17 EUR |
| 500+ | 1.11 EUR |
| D44H11G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 1.8 EUR |
| 500+ | 0.83 EUR |
| 1000+ | 0.8 EUR |
| 2500+ | 0.74 EUR |
| D44H11G |
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Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Current gain: 40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 40MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Current gain: 40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 40MHz
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 46+ | 1.89 EUR |
| 93+ | 0.93 EUR |
| 112+ | 0.76 EUR |
| D44H11G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W NPN
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W NPN
auf Bestellung 3364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.64 EUR |
| 10+ | 2.24 EUR |
| 100+ | 2 EUR |
| D44H11G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 80V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 4730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.93 EUR |
| 50+ | 1.39 EUR |
| 100+ | 1.24 EUR |
| 500+ | 0.98 EUR |
| 1000+ | 0.89 EUR |
| 2000+ | 0.82 EUR |
| D44H11G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1287 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 39+ | 4.51 EUR |
| 79+ | 2.18 EUR |
| 100+ | 1.92 EUR |
| 500+ | 1.5 EUR |
| 1000+ | 1.36 EUR |
| D44H11G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - D44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 80 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - D44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 80 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| D44H11G |
![]() |
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor NPN; Bipolar; 80V; 20V; 50MHz; 10A; 2W; -55°C~150°C; D44H11G TD44H11G ONS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor NPN; Bipolar; 80V; 20V; 50MHz; 10A; 2W; -55°C~150°C; D44H11G TD44H11G ONS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 2.89 EUR |
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| BDW93C (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 872
4
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Uceo,V: 100 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 12 А
h21: 20000
Bemerkung: Дарлінгтон
Montage: THT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Uceo,V: 100 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 12 А
h21: 20000
Bemerkung: Дарлінгтон
Montage: THT
auf Bestellung 403 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.54 EUR |
| 10+ | 0.48 EUR |
| 100+ | 0.37 EUR |
| KBPC5010 (Diodenbrücke) Produktcode: 33851
2
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Guerte
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: MB-25 (KBPC)
Sperrspannung Urev, V: 1000 V
Durchlassstrom Idir, A: 50 A
Typ der Diodenbrücke: Однофазний
Kann ersetzen:: KBPC50005, KBPC5001, KBPC5002, KBPC5004, KBPC5006, KBPC5008, KBPC35005, KBPC3501, KBPC3502, KBPC3504, KBPC3506, KBPC3508, KBPC3510, KBPC25005, KBPC2501, KBPC2502, KBPC2504, KBPC2506, KBPC2508, KBPC2510, MB50005, MB5001, MB5002, MB5004, MB5006, MB5008, MB5
Montage: THT
Impulsstrom, A: 500 A
UKTZED: 8541 10 00 10
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: MB-25 (KBPC)
Sperrspannung Urev, V: 1000 V
Durchlassstrom Idir, A: 50 A
Typ der Diodenbrücke: Однофазний
Kann ersetzen:: KBPC50005, KBPC5001, KBPC5002, KBPC5004, KBPC5006, KBPC5008, KBPC35005, KBPC3501, KBPC3502, KBPC3504, KBPC3506, KBPC3508, KBPC3510, KBPC25005, KBPC2501, KBPC2502, KBPC2504, KBPC2506, KBPC2508, KBPC2510, MB50005, MB5001, MB5002, MB5004, MB5006, MB5008, MB5
Montage: THT
Impulsstrom, A: 500 A
UKTZED: 8541 10 00 10
verfügbar: 1018 St.
- 33 St. - stock Köln
- 985 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 100 St.
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.44 EUR |
| 10+ | 1.9 EUR |
| 100+ | 1.19 EUR |
| 1000+ | 1.07 EUR |
| IRLB4132PBF Produktcode: 86447
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 150 A
Bemerkung: Logikpegelsteuerung
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 150 A
Bemerkung: Logikpegelsteuerung
Montage: THT
auf Bestellung 49 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Voltmeter für Wechselspannung GT2-6024 Produktcode: 110848
5
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Global Tone
Modulare Elemente > Blöcke und Module
Beschreibung: Вольтметр змінної напруги 300В
Verwendungszweck: Messung Voltmeter
Produkttyp: Fertigmodul
Modulare Elemente > Blöcke und Module
Beschreibung: Вольтметр змінної напруги 300В
Verwendungszweck: Messung Voltmeter
Produkttyp: Fertigmodul
auf Bestellung 77 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Voltmeter-Amperemeter für USB (Charger Doctor) Produktcode: 127537
11
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Lieblingsprodukt
|
Werkzeuge und Geräte > Haushaltselektronik
Beschreibung: USB вольтметр - амперметр. Відображення вхідної напруги і постійного струму споживання; 3,5...7VDC, 0...3A
Verwendungszweck: Пристрої з USB, перехідники
Beschreibung: USB вольтметр - амперметр. Відображення вхідної напруги і постійного струму споживання; 3,5...7VDC, 0...3A
Verwendungszweck: Пристрої з USB, перехідники
auf Bestellung 31 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)












