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D44H11G (NPN-Bipolartransistor)

D44H11G (NPN-Bipolartransistor) ON

Produktcode: 26682
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Hersteller: ON
Gehäuse: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 В
Kollektorstrom Ic, A: 20 А
Montage: THT
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D44H11G D44H11G ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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D44H11G D44H11G ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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D44H11G D44H11G onsemi D44H-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W NPN
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D44H11G D44H11G ONSEMI ONSM-S-A0014467242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - D44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 80 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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D44H11G D44H11G ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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77+2.24 EUR
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D44H11G D44H11G onsemi D44H-D.PDF Description: TRANS NPN 80V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
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D44H11G D44H11G ONSEMI D44H8G.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 40MHz
Current gain: 40
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D44H11G ON-Semiconductor D44H-D.PDF Transistor NPN; Bipolar; 80V; 20V; 50MHz; 10A; 2W; -55°C~150°C; D44H11G TD44H11G ONS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
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D44H11G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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D44H11G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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D44H11G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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D44H11G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W NPN
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D44H11G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - D44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 80 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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D44H11G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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D44H11G
Hersteller: ON Semiconductor
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D44H11G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
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D44H11G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 40MHz
Current gain: 40
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D44H11G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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D44H11G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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D44H11G D44H-D.PDF
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor NPN; Bipolar; 80V; 20V; 50MHz; 10A; 2W; -55°C~150°C; D44H11G TD44H11G ONS
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BDW93C (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 100 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 100 V
Kollektorstrom Ic, A: 12 A
Stromverstärkung h21: 20000
Bemerkung: Darlington
Montage: THT
erwartet: 30 St.
  • 30 St. - erwartet
auf Bestellung: 695 St.
  • 695 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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KSD882-YSTU
Hersteller: FSC
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
Transitfrequenz fT: 90 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 30 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 40 В
Kollektorstrom Ic, A: 3 А
Stromverstärkung h21: 150
Montage: THT
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Produktcode: 26550
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BZX384-C5V1
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-323
Stabilisierungsspannung Vz, V: 5,1 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,3 W
Montage: SMD
Temperaturkoeffizient: -0,8 mV/K
auf Bestellung: 151 St.
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17+0.071 EUR
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TL431ACLP
Produktcode: 26293
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description tl431.pdf?ts=1708404301053&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Fproduct%252FTL431%253FkeyMatch%253D%2526tisearch%253Dsearch-everything%2526usecase%253Dpartmatches
TL431ACLP
Hersteller: TI
IC > IC Spannungs Supervisor, Akku-Laderegler
Gehäuse: TO-92
Kurzbeschreibung: Einstellbarer Präzisions-Shunt-Regler
Spannung: 36 V
Temp.-Bereich: -40…+85°C
Montage: THT
Gerätetyp: Referenzspannungsquelle
auf Bestellung: 1590 St.
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AnzahlPrivatkunde
4+0.3 EUR
10+0.19 EUR
100+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Produktcode: 23982
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BZV85.pdf
BZV85-C15
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Stabilisierungsspannung Vz, V: 15 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 15 mA
Verlustleistung Pd, W: 1 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: 8,9...13,6 mV/K
auf Bestellung: 359 St.
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AnzahlPrivatkunde
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1000+0.046 EUR
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