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D44H11 (Bipolartransistor NPN)

D44H11 (Bipolartransistor NPN) ON

Produktcode: 26682
Hersteller: ON
Gehäuse: TO-220
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 20 A
ZCODE: THT
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D44H11G D44H11G Hersteller : ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Current gain: 40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 40MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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46+1.59 EUR
72+1 EUR
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D44H11G D44H11G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD021839399A469&compId=D44H8G.PDF?ci_sign=78103bae26e64bde0ef0657581f2d5127fad7bb1 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Current gain: 40
Mounting: THT
Kind of package: tube
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D44H11G D44H11G Hersteller : onsemi D44H-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W NPN
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D44H11G D44H11G Hersteller : onsemi d44h-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
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8+2.46 EUR
50+1.16 EUR
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5000+0.62 EUR
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D44H11G D44H11G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0014467242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - D44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 80 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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D44H11G Hersteller : ON-Semicoductor d44h-d.pdf Transistor NPN; Bipolar; 80V; 20V; 50MHz; 10A; 2W; -55°C~150°C; D44H11G TD44H11G ONS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Hersteller: Guchi
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: MB-25 (KBPC)
Urew: 1000V
I dir: 50A
Zus.Info: Einiphasen-Brücke
Auwechselbar:: KBPC50005, KBPC5001, KBPC5002, KBPC5004, KBPC5006, KBPC5008, KBPC35005, KBPC3501, KBPC3502, KBPC3504, KBPC3506, KBPC3508, KBPC3510, KBPC25005, KBPC2501, KBPC2502, KBPC2504, KBPC2506, KBPC2508, KBPC2510, MB50005, MB5001, MB5002, MB5004, MB5006, MB5008, MB5
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 500 A
№ 7: 8541 10 00 10
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600 Stück - erwartet 10.11.2025
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1+2.05 EUR
10+1.6 EUR
100+1 EUR
1000+0.9 EUR
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820 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-820R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Resistenz: 820 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 1W
U Betriebs.,V: 200V (500V max over load)
Größe Typ: 2512
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IRLB4132
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 30 V
Idd,A: 150 A
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
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HS-S03
Produktcode: 106027
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hs-s.pdf
HS-S03
+1
Hersteller: Stonecold
Verstärkungs- und Metallstangen > Radiatoren
Beschreibung: Радіатор: пресований U. Застосування: TO220. Колір: чорний. L: 19,05мм; W: 13,21мм
Тепловий опір: 24,4 K/W
Застосування: TO-220
Висота: 19,05 mm
Ширина: 13,21 mm
Глибина: 12,70 mm
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GT2-6024 (Измеритель переменного напряжения)
Produktcode: 110848
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GT2-6024 (Измеритель переменного напряжения)
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Hersteller: Global Tone
Modulare Elemente > Blöcke und Module
BESCHREIBUNG: Вольтметр змінної напруги 300В
Призначення: Вимірювання вольтметр
Тип виробу: Готовий модуль
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