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DN2530N3-G

DN2530N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY

20005451A.pdf Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 175mA; Idm: 0.5A; 1.6W; TO92
Kind of package: bulk
Kind of channel: depletion
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 175mA
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 1.6W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 300V
Case: TO92
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Technische Details DN2530N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY

Description: MICROCHIP - DN2530N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 175 mA, 12 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 175mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 740mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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DN2530N3-G DN2530N3-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY 20005451A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 175mA; Idm: 0.5A; 1.6W; TO92
Kind of package: bulk
Kind of channel: depletion
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 175mA
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 1.6W
On-state resistance: 12Ω
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DN2530N3-G DN2530N3-G Hersteller : Microchip Technology 20005451A.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 175MA TO92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
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DN2530N3-G DN2530N3-G Hersteller : MICROCHIP SUPRS03846-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - DN2530N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 175 mA, 12 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Produktcode: 209689
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