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DSEI2X61-12B

DSEI2X61-12B IXYS

DSEI2x61-12B.pdf Hersteller: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 52Ax2; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2.5V
Load current: 52A x2
Semiconductor structure: double independent
Max. forward impulse current: 0.5kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
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Technische Details DSEI2X61-12B IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - DSEI2X61-12B - Diodenmodul, Epitaxial Diode (FRED), 1.2 kV, 52 A, 2.15 V, Zweifach, getrennt, SOT-227B, 4 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-227B, Durchlassstoßstrom: 450A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Panelmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchlassspannung, max.: 2.15V, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 52A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: DSEI2, productTraceability: No, Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, getrennt, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

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DSEI2X61-12B DSEI2X61-12B Hersteller : IXYS DSEI2x61-12B.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 52Ax2; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2.5V
Load current: 52A x2
Semiconductor structure: double independent
Max. forward impulse current: 0.5kA
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Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
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DSEI2X61-12B DSEI2X61-12B Hersteller : Littelfuse littelfusepowersemiconductorsdsei2x6112bdatasheet.pdf Diode Switching 1.2KV 60A 4-Pin SOT-227B
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DSEI2X61-12B DSEI2X61-12B Hersteller : IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEI2x61-12B-Datasheet?assetguid=063b5a30-c723-4c85-b69d-7d14b1f3d707 Description: DIODE MOD GP 1200V 52A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 52A
Supplier Device Package: SOT-227B
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.2 mA @ 1200 V
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DSEI2X61-12B DSEI2X61-12B Hersteller : IXYS media-3320936.pdf Rectifiers 120 Amps 1200V
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DSEI2X61-12B DSEI2X61-12B Hersteller : Ixys Corporation media.pdf Diode Switching 1.2KV 60A 4-Pin SOT-227B
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DSEI2X61-12B DSEI2X61-12B Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR dsei2x61-12b.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - DSEI2X61-12B - Diodenmodul, Epitaxial Diode (FRED), 1.2 kV, 52 A, 2.15 V, Zweifach, getrennt, SOT-227B, 4 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227B
Durchlassstoßstrom: 450A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 2.15V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 52A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DSEI2
productTraceability: No
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, getrennt
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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DSEI2X6112B Hersteller : IXYS
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Produktcode: 41142
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Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEI2x61-12B-Datasheet?assetguid=063b5a30-c723-4c85-b69d-7d14b1f3d707 Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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