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FDS8949

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Produktcode: 162449
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDS8949 FDS8949 ON Semiconductor fds8949d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 62500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.64 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS8949 FDS8949 ON Semiconductor fds8949d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 62500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.64 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS8949 FDS8949 onsemi fds8949-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.76 EUR
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS8949 FDS8949 ON Semiconductor fds8949d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
216+0.82 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
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FDS8949 FDS8949 ON Semiconductor fds8949d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
771+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 771 Stücke
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FDS8949 FDS8949 ON Semiconductor fds8949d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
771+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 771 Stücke
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FDS8949 FDS8949 onsemi fds8949-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 20279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.83 EUR
12+1.78 EUR
50+1.33 EUR
100+1.19 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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FDS8949 FDS8949 ONSEMI ONSM-S-A0013180325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8949 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 13440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+3.43 EUR
115+2.02 EUR
148+1.45 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
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FDS8949 FDS8949 ONSEMI ONSM-S-A0013180325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8949 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 13440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.43 EUR
115+2.02 EUR
148+1.45 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDS8949 FDS8949 onsemi fds8949-d.pdf MOSFETs 40V 6A 29OHM DUAL NCH LOGIC
auf Bestellung 58347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.45 EUR
10+2.14 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.94 EUR
2500+0.86 EUR
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FDS8949 FDS8949 ONSEMI FDS8949.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Gate charge: 11nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
auf Bestellung 837 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8949 fds8949d.pdf
FDS8949
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 62500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.64 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8949 fds8949d.pdf
FDS8949
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 62500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.64 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8949 fds8949-d.pdf
FDS8949
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.76 EUR
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8949 fds8949d.pdf
FDS8949
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
216+0.82 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8949 fds8949d.pdf
FDS8949
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
771+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 771 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8949 fds8949d.pdf
FDS8949
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
771+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 771 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8949 fds8949-d.pdf
FDS8949
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 20279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.83 EUR
12+1.78 EUR
50+1.33 EUR
100+1.19 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8949 ONSM-S-A0013180325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS8949
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8949 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 13440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
73+3.43 EUR
115+2.02 EUR
148+1.45 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8949 ONSM-S-A0013180325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS8949
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8949 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 13440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.43 EUR
115+2.02 EUR
148+1.45 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8949 fds8949-d.pdf
FDS8949
Hersteller: onsemi
MOSFETs 40V 6A 29OHM DUAL NCH LOGIC
auf Bestellung 58347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.45 EUR
10+2.14 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.94 EUR
2500+0.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8949 FDS8949.pdf
FDS8949
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Gate charge: 11nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
auf Bestellung 837 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH