FDV303N Fairchild
Produktcode: 46231
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Lieblingsprodukt
Hersteller: Fairchild
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 25 V
Drain-Strom Idd, A: 0,68 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 50/1,64
Montage: SMD
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Weitere Produktangebote FDV303N nach Preis ab 0.055 EUR bis 0.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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FDV303N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 12299 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV303N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 87000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV303N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 87000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV303N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2673000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV303N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2673000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV303N | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V |
auf Bestellung 417000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDV303N | UMW |
Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23 |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDV303N | ON-Semiconductor |
N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303nAnzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 91 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDV303N | ON-Semiconductor |
N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303nAnzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDV303N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 165000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV303N | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMWAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDV303N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 8449 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV303N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 11735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV303N | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.68A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 12311 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV303N | VBsemi |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C; FDV303N China TFDV303n cAnzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDV303N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 11735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV303N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV303N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 8449 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV303N | onsemi |
MOSFETs N-Ch Digital |
auf Bestellung 175051 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDV303N | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V |
auf Bestellung 427573 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDV303N | UMW |
Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23 |
auf Bestellung 1134 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDV303N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 680mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm |
auf Bestellung 51633 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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FDV303N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 680mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm |
auf Bestellung 51633 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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FDV303N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 680mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm |
auf Bestellung 174000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDV303N | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 25V 680MA 350MW 450M@4.5V,680MA |
auf Bestellung 1960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDV303N |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8523+ | 0.077 EUR |
| 10000+ | 0.068 EUR |
| FDV303N |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 87000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.083 EUR |
| 6000+ | 0.069 EUR |
| FDV303N |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 87000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.083 EUR |
| 6000+ | 0.07 EUR |
| FDV303N |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2673000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.084 EUR |
| 6000+ | 0.07 EUR |
| FDV303N |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2673000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.084 EUR |
| 6000+ | 0.071 EUR |
| FDV303N |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 417000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.11 EUR |
| 6000+ | 0.1 EUR |
| FDV303N |
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Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.12 EUR |
| 6000+ | 0.11 EUR |
| FDV303N |
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Hersteller: ON-Semiconductor
N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.13 EUR |
| FDV303N |
![]() |
Hersteller: ON-Semiconductor
N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.13 EUR |
| FDV303N |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 165000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.13 EUR |
| 27000+ | 0.12 EUR |
| FDV303N |
![]() |
Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 300+ | 0.15 EUR |
| FDV303N |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1004+ | 0.18 EUR |
| 1150+ | 0.15 EUR |
| 1318+ | 0.13 EUR |
| 3000+ | 0.076 EUR |
| 6000+ | 0.064 EUR |
| FDV303N |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 932+ | 0.19 EUR |
| 941+ | 0.18 EUR |
| 1238+ | 0.14 EUR |
| 1407+ | 0.12 EUR |
| 3000+ | 0.1 EUR |
| 6000+ | 0.077 EUR |
| FDV303N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 12311 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 250+ | 0.35 EUR |
| 341+ | 0.25 EUR |
| 476+ | 0.18 EUR |
| 548+ | 0.15 EUR |
| 746+ | 0.11 EUR |
| 1000+ | 0.098 EUR |
| 1500+ | 0.09 EUR |
| 3000+ | 0.079 EUR |
| 6000+ | 0.069 EUR |
| FDV303N |
![]() |
Hersteller: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C; FDV303N China TFDV303n c
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C; FDV303N China TFDV303n c
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 75+ | 0.46 EUR |
| FDV303N |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 366+ | 0.48 EUR |
| 553+ | 0.31 EUR |
| 576+ | 0.29 EUR |
| 932+ | 0.17 EUR |
| 941+ | 0.15 EUR |
| 1238+ | 0.12 EUR |
| 1407+ | 0.099 EUR |
| 3000+ | 0.087 EUR |
| 6000+ | 0.067 EUR |
| FDV303N |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 341+ | 0.51 EUR |
| 554+ | 0.31 EUR |
| 1114+ | 0.14 EUR |
| 1232+ | 0.13 EUR |
| 1411+ | 0.11 EUR |
| FDV303N |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 318+ | 0.56 EUR |
| 517+ | 0.33 EUR |
| 1003+ | 0.17 EUR |
| 1149+ | 0.13 EUR |
| 1318+ | 0.11 EUR |
| 3000+ | 0.065 EUR |
| 6000+ | 0.055 EUR |
| FDV303N |
![]() |
Hersteller: onsemi
MOSFETs N-Ch Digital
MOSFETs N-Ch Digital
auf Bestellung 175051 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 0.57 EUR |
| 10+ | 0.36 EUR |
| 100+ | 0.23 EUR |
| 500+ | 0.17 EUR |
| 1000+ | 0.14 EUR |
| 3000+ | 0.11 EUR |
| FDV303N |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 427573 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 38+ | 0.57 EUR |
| 59+ | 0.36 EUR |
| 100+ | 0.23 EUR |
| 500+ | 0.17 EUR |
| 1000+ | 0.14 EUR |
| FDV303N |
![]() |
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
auf Bestellung 1134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 38+ | 0.57 EUR |
| 59+ | 0.36 EUR |
| 100+ | 0.23 EUR |
| 500+ | 0.17 EUR |
| 1000+ | 0.14 EUR |
| FDV303N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
auf Bestellung 51633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FDV303N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
auf Bestellung 51633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FDV303N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
auf Bestellung 174000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FDV303N |
![]() |
Hersteller: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 25V 680MA 350MW 450M@4.5V,680MA
Description: 25V 680MA 350MW 450M@4.5V,680MA
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 42+ | 0.5 EUR |
| 69+ | 0.31 EUR |
| 110+ | 0.19 EUR |
| 500+ | 0.14 EUR |
| 1000+ | 0.13 EUR |
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| BSS138 Produktcode: 197212
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: UMW
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V
Drain-Strom Idd, A: 0,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 50/
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V
Drain-Strom Idd, A: 0,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 50/
Montage: SMD
auf Bestellung 8560 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| PD55008-E Produktcode: 3647
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-10RF
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 4 А
Bemerkung: 8W
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-10RF
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 4 А
Bemerkung: 8W
Montage: SMD
auf Bestellung 181 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 21.42 EUR |
| 10+ | 9.52 EUR |
| 100+ | 5.83 EUR |
| BC849B (SOT-23, Diotec) Bipolartransistor NPN Produktcode: 3064
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Diotec
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 30 V
Ucbo,V: 30 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 450
Montage: SMD
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 30 V
Ucbo,V: 30 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 450
Montage: SMD
verfügbar: 2067 St.
- 250 St. - stock Köln
- 1817 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.036 EUR |
| 10+ | 0.031 EUR |
| 100+ | 0.023 EUR |
| 1000+ | 0.021 EUR |
| 10000+ | 0.018 EUR |
| BC859C Produktcode: 3051
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz fT, MHz: 100 MHz
Spannung Uce, V: 30 V
Spannung Ucb, V: 30 V
Strom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21, max: 900
ZCODE: 8541 21 00 90
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz fT, MHz: 100 MHz
Spannung Uce, V: 30 V
Spannung Ucb, V: 30 V
Strom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21, max: 900
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar: 334 St.
- 250 St. - stock Köln
- 84 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.071 EUR |
| 10+ | 0.031 EUR |
| 100+ | 0.024 EUR |
| 1000+ | 0.02 EUR |
| 10000+ | 0.018 EUR |
| 220uF 10V E°CR 6x11mm (E°CR221M10B-Hitano) (Elektrolytkondensator) Produktcode: 2974
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220 µF
Nennspannung: 10 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung, miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 6x11 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220 µF
Nennspannung: 10 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung, miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 6x11 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 10230 St.
- 300 St. - stock Köln
- 9930 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.048 EUR |
| 10+ | 0.036 EUR |
| 100+ | 0.02 EUR |
| 1000+ | 0.019 EUR |










