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FDV303N

FDV303N Fairchild

fdv303n-108963-datasheet.pdf
Produktcode: 46231
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Hersteller: Fairchild
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 25 В
Drain-Strom Idd, A: 0,68 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,45 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 50/1,64
Montage: SMD
auf Bestellung: 105 St.
  • 105 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8523+0.076 EUR
10000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 8523 Stücke
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FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 87000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.082 EUR
6000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 87000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.082 EUR
6000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2673000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.083 EUR
6000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2673000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.083 EUR
6000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDV303N FDV303N onsemi fdv303n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDV303N FDV303N ON-Semiconductor info-tfdv303n.pdf N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
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FDV303N FDV303N ON-Semiconductor info-tfdv303n.pdf N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 165000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
12000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDV303N FDV303N UMW TFDV303n_UMW_UMW_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1004+0.18 EUR
1150+0.15 EUR
1318+0.13 EUR
3000+0.075 EUR
6000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 1004 Stücke
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FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
932+0.19 EUR
941+0.18 EUR
1238+0.13 EUR
1407+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 932 Stücke
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FDV303N FDV303N ONSEMI 2304020.pdf Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
auf Bestellung 174000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDV303N FDV303N ONSEMI FDV303N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 12311 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.35 EUR
341+0.25 EUR
476+0.18 EUR
548+0.15 EUR
746+0.11 EUR
1000+0.098 EUR
1500+0.09 EUR
3000+0.079 EUR
6000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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FDV303N FDV303N VBsemi info-tfdv303n.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C; FDV303N China TFDV303n c
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
366+0.48 EUR
553+0.3 EUR
576+0.29 EUR
932+0.17 EUR
941+0.15 EUR
1238+0.12 EUR
1407+0.098 EUR
3000+0.086 EUR
6000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 366 Stücke
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FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
341+0.51 EUR
554+0.3 EUR
1114+0.14 EUR
1232+0.13 EUR
1411+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 341 Stücke
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FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
318+0.55 EUR
517+0.32 EUR
1003+0.17 EUR
1149+0.13 EUR
1318+0.11 EUR
3000+0.065 EUR
6000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 318 Stücke
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FDV303N FDV303N onsemi fdv303n-d.pdf MOSFETs N-Ch Digital
auf Bestellung 175051 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.57 EUR
10+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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FDV303N FDV303N onsemi fdv303n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.58 EUR
58+0.37 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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FDV303N FDV303N ONSEMI fdv303n-d.pdf Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
auf Bestellung 45062 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
320+0.79 EUR
559+0.42 EUR
827+0.26 EUR
1107+0.19 EUR
1500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 320 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N FDV303N ONSEMI 4660963.pdf Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
auf Bestellung 50327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.79 EUR
559+0.42 EUR
827+0.26 EUR
1107+0.19 EUR
1500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8523+0.076 EUR
10000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 8523 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 87000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.082 EUR
6000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 87000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.082 EUR
6000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2673000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.083 EUR
6000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2673000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.083 EUR
6000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.12 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N info-tfdv303n.pdf
FDV303N
Hersteller: ON-Semiconductor
N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N info-tfdv303n.pdf
FDV303N
Hersteller: ON-Semiconductor
N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 165000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.13 EUR
12000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N TFDV303n_UMW_UMW_0001.pdf
FDV303N
Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
300+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1004+0.18 EUR
1150+0.15 EUR
1318+0.13 EUR
3000+0.075 EUR
6000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 1004 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
932+0.19 EUR
941+0.18 EUR
1238+0.13 EUR
1407+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 932 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N 2304020.pdf
FDV303N
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
auf Bestellung 174000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.19 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDV303N
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 12311 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
250+0.35 EUR
341+0.25 EUR
476+0.18 EUR
548+0.15 EUR
746+0.11 EUR
1000+0.098 EUR
1500+0.09 EUR
3000+0.079 EUR
6000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N info-tfdv303n.pdf
FDV303N
Hersteller: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C; FDV303N China TFDV303n c
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
75+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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FDV303N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
366+0.48 EUR
553+0.3 EUR
576+0.29 EUR
932+0.17 EUR
941+0.15 EUR
1238+0.12 EUR
1407+0.098 EUR
3000+0.086 EUR
6000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 366 Stücke
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FDV303N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
341+0.51 EUR
554+0.3 EUR
1114+0.14 EUR
1232+0.13 EUR
1411+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 341 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDV303N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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318+0.55 EUR
517+0.32 EUR
1003+0.17 EUR
1149+0.13 EUR
1318+0.11 EUR
3000+0.065 EUR
6000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 318 Stücke
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FDV303N
Hersteller: onsemi
MOSFETs N-Ch Digital
auf Bestellung 175051 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+0.57 EUR
10+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
36+0.58 EUR
58+0.37 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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FDV303N
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
auf Bestellung 45062 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
320+0.79 EUR
559+0.42 EUR
827+0.26 EUR
1107+0.19 EUR
1500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 320 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N 4660963.pdf
FDV303N
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
auf Bestellung 50327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.79 EUR
559+0.42 EUR
827+0.26 EUR
1107+0.19 EUR
1500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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BSS138
Produktcode: 197212
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BSS138_UMW _datasheet.pdf
BSS138
Hersteller: UMW
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 В
Drain-Strom Idd, A: 0,2 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,5 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 50/
Montage: SMD
auf Bestellung: 6162 St.
  • 6162 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.098 EUR
10+0.075 EUR
100+0.055 EUR
1000+0.036 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD55008-E
Produktcode: 3647
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PD55008.pdf
PD55008-E
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-10RF
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 4 A
Bemerkung: 8W
Montage: SMD
auf Bestellung: 171 St.
  • 171 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+21.42 EUR
10+11.36 EUR
100+9.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC849B (SOT-23, Diotec) NPN-Bipolartransistor
Produktcode: 3064
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bc846-datasheet.pdf
BC849B (SOT-23, Diotec) NPN-Bipolartransistor
Hersteller: Diotec
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 30 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 30 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21: 450
Montage: SMD
verfügbar: 250 St.
  • 250 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1812 St.
  • 1812 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.079 EUR
10+0.051 EUR
100+0.039 EUR
1000+0.031 EUR
10000+0.019 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859C
Produktcode: 3051
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BC859,BC860.pdf
BC859C
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz fT, MHz: 100 MHz
Spannung Uce, V: 30 V
Spannung Ucb, V: 30 V
Strom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21, max: 900
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar: 250 St.
  • 250 St. - stock Köln
auf Bestellung: 84 St.
  • 84 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.079 EUR
10+0.058 EUR
100+0.046 EUR
1000+0.036 EUR
10000+0.019 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
220uF 10V ECR 6x11mm (ECR221M10B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 2974
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ECR_081225.pdf
220uF 10V ECR 6x11mm (ECR221M10B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220 µF
Nennspannung: 10 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 6x11 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 300 St.
  • 300 St. - stock Köln
auf Bestellung: 9917 St.
  • 9917 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.058 EUR
10+0.046 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.027 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH