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FDV303N Fairchild

Name: FDV303N
Brand: ON Semiconductor
SKU: 22901445-5
Price: 530.84 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 46231

Hersteller: Fairchild
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 25 V
Idd,A: 0,68 A
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/1,64
JHGF: SMD

auf Bestellung 184 Stück:

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FDV303N

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R

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FDV303N

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R

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FDV303N

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 462000 Stücke:

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FDV303N

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R

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6000+	0.088 EUR
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150000+	0.036 EUR

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FDV303N

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R

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FDV303N

Hersteller : onsemi

Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V

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6000+	0.1 EUR
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21000+	0.085 EUR
30000+	0.081 EUR
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FDV303N

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R

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1169+	0.11 EUR
1327+	0.095 EUR
3000+	0.089 EUR
6000+	0.082 EUR
15000+	0.077 EUR

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FDV303N

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R

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1048+	0.13 EUR
1194+	0.11 EUR

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FDV303N

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 29914 Stücke:

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545+	0.25 EUR
550+	0.24 EUR
983+	0.13 EUR
993+	0.12 EUR
1169+	0.099 EUR
1327+	0.084 EUR
3000+	0.081 EUR
6000+	0.079 EUR

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FDV303N

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R

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312+	0.45 EUR
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1090+	0.12 EUR
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3000+	0.073 EUR
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FDV303N

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R

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1045+	0.12 EUR
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FDV303N

Hersteller : onsemi / Fairchild

MOSFETs N-Ch Digital

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3000+	0.1 EUR
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FDV303N

Hersteller : onsemi

Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V

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34+	0.53 EUR
55+	0.32 EUR
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500+	0.15 EUR
1000+	0.13 EUR

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FDV303N

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R

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FDV303N

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R

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FDV303N

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 75937 Stücke:

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FDV303N

Hersteller : ONSEMI

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FDV303N

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 306000 Stücke:

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FDV303N

Hersteller : UMW

Transistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

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Anzahl	Preis
300+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 300

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FDV303N

Hersteller : ON-Semiconductor

N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

auf Bestellung 241 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
3000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDV303N

Hersteller : ONSEMI

FDV303N SMD N channel transistors

auf Bestellung 29368 Stücke:

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Anzahl	Preis
298+	0.24 EUR
1603+	0.045 EUR
1695+	0.042 EUR

Mindestbestellmenge: 298

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FDV303N

Hersteller : VBsemi

Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C; FDV303N China TFDV303n c
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

auf Bestellung 75 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
75+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 75

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FDV303N

Hersteller : ON-Semiconductor

N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

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FDV303N

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R

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IRLML6346TRPBF
Produktcode: 48281

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infineon-irlml6346-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a401535668a336262e

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 63 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/2,9
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD

verfügbar: 1502 Stück

20 Stück - stock Köln
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IRLML2402TRPBF
Produktcode: 1173

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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Idd,A: 01.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.25
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD

auf Bestellung 5828 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IRLML2502TRPBF
Produktcode: 25595

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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Idd,A: 04.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.045
Ciss, pF/Qg, nC: 01.08.740
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD

verfügbar: 6251 Stück

90 Stück - stock Köln
6161 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen

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10+	0.11 EUR
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IRLML6402TRPBF
Produktcode: 27968

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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Id,A: 3.7
Rds(on),Om: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
ZCODE: 8541 21 00 90

auf Bestellung 8824 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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10+	0.1 EUR
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1000+	0.08 EUR

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IRLML6344TRPBF
Produktcode: 42697

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irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 5
Rds(on), Ohm: 0.029
Ciss, pF/Qg, nC: 08.06.650
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD

verfügbar: 10136 Stück

8 Stück - stock Köln
10128 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen

Anzahl	Preis
1+	0.25 EUR
10+	0.19 EUR

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