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FDV303N

FDV303N Fairchild

fdv303n-108963-datasheet.pdf
Produktcode: 46231
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Hersteller: Fairchild
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 25 В
Drain-Strom Idd, A: 0,68 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,45 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 50/1,64
Montage: SMD
auf Bestellung: 175 St.
  • 175 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.24 EUR
10+0.21 EUR
100+0.19 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303nd.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1341000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3985+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3985 Stücke
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FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303nd.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1341000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3953+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3953 Stücke
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FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303nd.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8523+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 8523 Stücke
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FDV303N FDV303N onsemi fdv303n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303nd.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 165000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
12000+0.11 EUR
27000+0.11 EUR
51000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDV303N FDV303N ONSEMI 2304020.pdf Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
auf Bestellung 156000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
9000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N FDV303N UMW TFDV303n_UMW_UMW_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N FDV303N ON-Semiconductor info-tfdv303n.pdf N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N FDV303N ON-Semiconductor info-tfdv303n.pdf N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2216 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N FDV303N ON-Semiconductor info-tfdv303n.pdf N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303nd.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
843+0.2 EUR
1235+0.14 EUR
3803+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 843 Stücke
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FDV303N FDV303N ONSEMI FDV303N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 10929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.35 EUR
341+0.25 EUR
476+0.18 EUR
548+0.15 EUR
746+0.11 EUR
1000+0.098 EUR
1500+0.09 EUR
3000+0.079 EUR
6000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N FDV303N VBsemi info-tfdv303n.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C; FDV303N China TFDV303n c
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303nd.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
344+0.5 EUR
558+0.3 EUR
770+0.2 EUR
908+0.17 EUR
1372+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 344 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303nd.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7012 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
320+0.54 EUR
520+0.32 EUR
694+0.23 EUR
848+0.18 EUR
1243+0.12 EUR
3817+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 320 Stücke
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FDV303N FDV303N onsemi fdv303n-d.pdf MOSFETs N-Ch Digital
auf Bestellung 246510 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.57 EUR
14+0.26 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N FDV303N onsemi fdv303n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.57 EUR
59+0.36 EUR
82+0.25 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N FDV303N ONSEMI 4660963.pdf Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
auf Bestellung 34338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
344+0.73 EUR
614+0.38 EUR
885+0.24 EUR
1200+0.18 EUR
1500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 344 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N FDV303N ONSEMI 4660963.pdf Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
auf Bestellung 34338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.73 EUR
614+0.38 EUR
885+0.24 EUR
1200+0.18 EUR
1500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303nd.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N fdv303nd.pdf
FDV303N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1341000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3985+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3985 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N fdv303nd.pdf
FDV303N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1341000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3953+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3953 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N fdv303nd.pdf
FDV303N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8523+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 8523 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.11 EUR
6000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N fdv303nd.pdf
FDV303N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 165000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
12000+0.11 EUR
27000+0.11 EUR
51000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N 2304020.pdf
FDV303N
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
auf Bestellung 156000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.14 EUR
9000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N TFDV303n_UMW_UMW_0001.pdf
FDV303N
Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
300+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N info-tfdv303n.pdf
FDV303N
Hersteller: ON-Semiconductor
N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
200+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N info-tfdv303n.pdf
FDV303N
Hersteller: ON-Semiconductor
N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2216 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
200+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N info-tfdv303n.pdf
FDV303N
Hersteller: ON-Semiconductor
N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
200+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N fdv303nd.pdf
FDV303N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
843+0.2 EUR
1235+0.14 EUR
3803+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 843 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N FDV303N.pdf
FDV303N
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 10929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
250+0.35 EUR
341+0.25 EUR
476+0.18 EUR
548+0.15 EUR
746+0.11 EUR
1000+0.098 EUR
1500+0.09 EUR
3000+0.079 EUR
6000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N info-tfdv303n.pdf
FDV303N
Hersteller: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C; FDV303N China TFDV303n c
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
75+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N fdv303nd.pdf
FDV303N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
344+0.5 EUR
558+0.3 EUR
770+0.2 EUR
908+0.17 EUR
1372+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 344 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N fdv303nd.pdf
FDV303N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7012 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
320+0.54 EUR
520+0.32 EUR
694+0.23 EUR
848+0.18 EUR
1243+0.12 EUR
3817+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 320 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDV303N
Hersteller: onsemi
MOSFETs N-Ch Digital
auf Bestellung 246510 Stücke:
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6+0.57 EUR
14+0.26 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDV303N
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 63000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
38+0.57 EUR
59+0.36 EUR
82+0.25 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDV303N
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
auf Bestellung 34338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
344+0.73 EUR
614+0.38 EUR
885+0.24 EUR
1200+0.18 EUR
1500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 344 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDV303N
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
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500+0.73 EUR
614+0.38 EUR
885+0.24 EUR
1200+0.18 EUR
1500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N fdv303nd.pdf
FDV303N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 185 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

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BSS138
Produktcode: 197212
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BSS138
Hersteller: UMW
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 В
Drain-Strom Idd, A: 0,2 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,5 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 50/
Montage: SMD
erwartet: 20000 St.
  • 20000 St. - erwartet 20.09.2026
auf Bestellung: 3390 St.
  • 3390 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+0.098 EUR
10+0.075 EUR
100+0.055 EUR
1000+0.036 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD55008-E
Produktcode: 3647
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PD55008.pdf
PD55008-E
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-10RF
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 4 A
Bemerkung: 8W
Montage: SMD
auf Bestellung: 171 St.
  • 171 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+21.42 EUR
10+11.36 EUR
100+9.4 EUR
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BC849B (SOT-23, Diotec) NPN-Bipolartransistor
Produktcode: 3064
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bc846-datasheet.pdf
BC849B (SOT-23, Diotec) NPN-Bipolartransistor
Hersteller: Diotec
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 30 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 30 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21: 450
Montage: SMD
verfügbar: 250 St.
  • 250 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1701 St.
  • 1701 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.079 EUR
10+0.051 EUR
100+0.039 EUR
1000+0.031 EUR
10000+0.019 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859C
Produktcode: 3051
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BC859,BC860.pdf
BC859C
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz fT, MHz: 100 MHz
Spannung Uce, V: 30 V
Spannung Ucb, V: 30 V
Strom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21, max: 900
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar: 250 St.
  • 250 St. - stock Köln
auf Bestellung: 84 St.
  • 84 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.079 EUR
10+0.058 EUR
100+0.046 EUR
1000+0.036 EUR
10000+0.019 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
220uF 10V ECR 6x11mm (ECR221M10B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 2974
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ECR_081225.pdf
220uF 10V ECR 6x11mm (ECR221M10B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220 µF
Nennspannung: 10 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 6x11 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 300 St.
  • 300 St. - stock Köln
auf Bestellung: 9570 St.
  • 9570 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.058 EUR
10+0.046 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.027 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH