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FDV303N

FDV303N Fairchild

fdv303n-108963-datasheet.pdf
Produktcode: 46231
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Hersteller: Fairchild
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 25 V
Idd,A: 0,68 A
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/1,64
JHGF: SMD
auf Bestellung 105 St.:
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FDV303N FDV303N Hersteller : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12299 Stücke:
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8523+0.064 EUR
10000+0.055 EUR
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FDV303N FDV303N Hersteller : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.091 EUR
6000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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FDV303N FDV303N Hersteller : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 81000 Stücke:
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3000+0.091 EUR
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FDV303N FDV303N Hersteller : onsemi fdv303n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 447000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.095 EUR
6000+0.085 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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FDV303N FDV303N Hersteller : UMW 557abffeb613c0eb61b78ff6aaea444a.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.1 EUR
6000+0.091 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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FDV303N FDV303N Hersteller : ON-Semiconductor info-tfdv303n.pdf N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 201 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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FDV303N FDV303N Hersteller : ON-Semiconductor info-tfdv303n.pdf N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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FDV303N FDV303N Hersteller : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 165000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
12000+0.096 EUR
27000+0.092 EUR
51000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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FDV303N FDV303N Hersteller : UMW TFDV303n_UMW_UMW_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
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300+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 300
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FDV303N FDV303N Hersteller : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
864+0.17 EUR
872+0.16 EUR
1183+0.11 EUR
1345+0.096 EUR
3000+0.085 EUR
6000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 864
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FDV303N FDV303N Hersteller : ONSEMI FDV303N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.3nC
auf Bestellung 18816 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
477+0.15 EUR
596+0.12 EUR
658+0.11 EUR
837+0.086 EUR
1000+0.073 EUR
3000+0.059 EUR
6000+0.052 EUR
9000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 193
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FDV303N FDV303N Hersteller : VBsemi info-tfdv303n.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C; FDV303N China TFDV303n c
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N FDV303N Hersteller : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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353+0.41 EUR
547+0.25 EUR
553+0.24 EUR
864+0.15 EUR
872+0.14 EUR
1183+0.1 EUR
1345+0.084 EUR
3000+0.078 EUR
6000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 353
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FDV303N FDV303N Hersteller : onsemi fdv303n-d.pdf 557abffeb613c0eb61b78ff6aaea444a.pdf MOSFETs N-Ch Digital
auf Bestellung 183031 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+0.48 EUR
10+0.3 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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FDV303N FDV303N Hersteller : onsemi fdv303n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 449361 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+0.48 EUR
60+0.3 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 38
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FDV303N FDV303N Hersteller : UMW 557abffeb613c0eb61b78ff6aaea444a.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+0.48 EUR
60+0.3 EUR
100+0.18 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 38
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FDV303N FDV303N Hersteller : onsemi / Fairchild FDV303N-D.PDF MOSFETs N-Ch Digital
auf Bestellung 157806 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+0.53 EUR
10+0.32 EUR
100+0.17 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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FDV303N FDV303N Hersteller : ONSEMI 4660963.pdf Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 55910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDV303N FDV303N Hersteller : ONSEMI 4660963.pdf Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 55910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDV303N FDV303N Hersteller : ONSEMI 2304020.pdf Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 183000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDV303N Hersteller : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. fdv303n-d.pdf 557abffeb613c0eb61b78ff6aaea444a.pdf Description: 25V 680MA 350MW 450M@4.5V,680MA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+0.42 EUR
69+0.26 EUR
111+0.16 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 42
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FDV303N FDV303N Hersteller : ONS/FAI FDV303N.pdf SOT23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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FDV303N Hersteller : ON Semiconductor FDV303N.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 680 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10, Qg, нКл = 2,3 @ 4,5 В, Rds = 450 мОм @ 500 мA, 4,5 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,35, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 О
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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FDV303N Hersteller : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. fdv303n-d.pdf 557abffeb613c0eb61b78ff6aaea444a.pdf Description: 25V 680MA 350MW 450M@4.5V,680MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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BSS138
Produktcode: 197212
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BSS138_UMW _datasheet.pdf
BSS138
Hersteller: UMW
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/
JHGF: SMD
auf Bestellung 8750 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD55008-E
Produktcode: 3647
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PD55008.pdf
PD55008-E
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-10RF
Uds,V: 40
Idd,A: 4
Bem.: 8W
JHGF: SMD
auf Bestellung 181 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+18 EUR
10+8 EUR
100+4.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC849B (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 3064
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
bc846-datasheet.pdf
BC849B (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 30
Ucbo,V: 30
Ic,A: 0,1
h21: 450
ZCODE: SMD
verfügbar: 2067 St.
250 St. - stock Köln
1817 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.03 EUR
10+0.026 EUR
100+0.019 EUR
1000+0.018 EUR
10000+0.015 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859C
Produktcode: 3051
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BC859,BC860.pdf
BC859C
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
U, V: 30
U, V: 30
I, А: 0.1
h21,max: 900
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar: 334 St.
250 St. - stock Köln
84 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.06 EUR
10+0.026 EUR
100+0.02 EUR
1000+0.017 EUR
10000+0.015 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
220uF 10V ECR 6x11mm (ECR221M10B-Hitano)
Produktcode: 2974
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ECR_081225.pdf
220uF 10V ECR 6x11mm (ECR221M10B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220uF
Nennspannung: 10V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 6x11mm
Lebensdauer: 6х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 11244 St.
300 St. - stock Köln
10944 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.017 EUR
1000+0.016 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH