FDV303N Fairchild
Produktcode: 46231
Hersteller: FairchildUds,V: 25 V
Idd,A: 0,68 A
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/1,64
JHGF: SMD
auf Bestellung 349 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote FDV303N nach Preis ab 0.089 EUR bis 0.97 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDV303N | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
FDV303N | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.68A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 6690 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
FDV303N | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.68A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 6690 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
FDV303N | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1369 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
FDV303N | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V |
auf Bestellung 1750 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
FDV303N | Hersteller : onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch Digital |
auf Bestellung 148407 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
FDV303N | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 25930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||
FDV303N | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.33 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 680mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm |
auf Bestellung 279986 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||
FDV303N | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.33 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 680mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm |
auf Bestellung 279986 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||
FDV303N | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V |
auf Bestellung 1338 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||
FDV303N | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.33 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 680mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||
FDV303N | Hersteller : UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMW Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
FDV303N | Hersteller : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 11000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
FDV303N | Hersteller : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 1059 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
FDV303N | Hersteller : VBsemi |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C; FDV303N China TFDV303n c Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
FDV303N | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
FDV303N | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mit diesem Produkt kaufen
IRLML6346TRPBF Produktcode: 48281 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 63 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/2,9
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 63 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/2,9
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 245 Stück
erwartet:
2000 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.1 EUR |
10+ | 0.09 EUR |
IRLML2402TRPBF Produktcode: 1173 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Idd,A: 01.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.25
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Idd,A: 01.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.25
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 3481 Stück
erwartet:
6000 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.24 EUR |
10+ | 0.2 EUR |
100+ | 0.12 EUR |
STP55NF06 Produktcode: 1982 |
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 50
Rds(on), Ohm: 0.018
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/44
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 50
Rds(on), Ohm: 0.018
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/44
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 120 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.7 EUR |
10+ | 0.57 EUR |
100+ | 0.43 EUR |
Sicherung 5x20mm 10A 250V (50F-100H) Produktcode: 22669 |
Hersteller: Hollyland
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Schmelzsicherungen, in Glas, 10A 250V 5x20mm F
Nennstrom, А: 10A
Größe: 5х20mm
Bemerkung: Без виводів
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Schmelzsicherungen, in Glas, 10A 250V 5x20mm F
Nennstrom, А: 10A
Größe: 5х20mm
Bemerkung: Без виводів
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
verfügbar: 2344 Stück
erwartet:
10450 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.08 EUR |
100+ | 0.025 EUR |
IRLML6402TRPBF Produktcode: 27968 |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Id,A: 3.7
Rds(on),Om: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
ZCODE: 8541 21 00 90
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Id,A: 3.7
Rds(on),Om: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar: 11067 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.11 EUR |
10+ | 0.1 EUR |
100+ | 0.09 EUR |
1000+ | 0.08 EUR |