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FDV303N

FDV303N Fairchild


fdv303n-108963-datasheet.pdf
Produktcode: 46231
Hersteller: Fairchild
Uds,V: 25 V
Idd,A: 0,68 A
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/1,64
JHGF: SMD
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FDV303N FDV303N Hersteller : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
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849+0.18 EUR
1166+ 0.13 EUR
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FDV303N FDV303N Hersteller : ONSEMI FDV303N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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309+0.23 EUR
521+ 0.14 EUR
762+ 0.094 EUR
806+ 0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 309
FDV303N FDV303N Hersteller : ONSEMI FDV303N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
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FDV303N FDV303N Hersteller : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
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304+0.51 EUR
439+ 0.34 EUR
1187+ 0.12 EUR
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FDV303N FDV303N Hersteller : onsemi fdv303n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
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28+0.96 EUR
39+ 0.67 EUR
100+ 0.34 EUR
500+ 0.28 EUR
1000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 28
FDV303N FDV303N Hersteller : onsemi / Fairchild FDV303N_D-2313323.pdf MOSFET N-Ch Digital
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128+ 0.41 EUR
1000+ 0.21 EUR
3000+ 0.18 EUR
9000+ 0.14 EUR
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FDV303N FDV303N Hersteller : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDV303N FDV303N Hersteller : ONSEMI 1874902.pdf Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.33 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
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FDV303N FDV303N Hersteller : ONSEMI 2304020.pdf Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.33 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
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FDV303N FDV303N Hersteller : onsemi fdv303n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
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FDV303N FDV303N Hersteller : ONSEMI 1874902.pdf Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.33 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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FDV303N Hersteller : UMW fdv303n-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
200+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 200
FDV303N Hersteller : ON-Semicoductor fdv303n-d.pdf N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
200+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 200
FDV303N Hersteller : ON-Semicoductor fdv303n-d.pdf N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
200+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 200
FDV303N Hersteller : VBsemi fdv303n-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C; FDV303N China TFDV303n c
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
75+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 75
FDV303N FDV303N Hersteller : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML6346TRPBF
Produktcode: 48281
irlml6346pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668a336262e
IRLML6346TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 63 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/2,9
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 245 Stück
erwartet: 2000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.1 EUR
10+ 0.09 EUR
IRLML2402TRPBF
Produktcode: 1173
irlml2402pbf.pdf
IRLML2402TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Idd,A: 01.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.25
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 3481 Stück
erwartet: 6000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.24 EUR
10+ 0.2 EUR
100+ 0.12 EUR
STP55NF06
Produktcode: 1982
description STP55NF06_.pdf
STP55NF06
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 50
Rds(on), Ohm: 0.018
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/44
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 120 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.7 EUR
10+ 0.57 EUR
100+ 0.43 EUR
Sicherung 5x20mm 10A 250V (50F-100H)
Produktcode: 22669
Sicherung 5x20mm 10A 250V (50F-100H)
Hersteller: Hollyland
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Schmelzsicherungen, in Glas, 10A 250V 5x20mm F
Nennstrom, А: 10A
Größe: 5х20mm
Bemerkung: Без виводів
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
verfügbar: 2344 Stück
erwartet: 10450 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.08 EUR
100+ 0.025 EUR
IRLML6402TRPBF
Produktcode: 27968
IRLML6402.pdf
IRLML6402TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Id,A: 3.7
Rds(on),Om: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar: 11067 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.11 EUR
10+ 0.1 EUR
100+ 0.09 EUR
1000+ 0.08 EUR