Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > FDV303N Fairchild
FDV303N

FDV303N Fairchild

fdv303n-108963-datasheet.pdf
Produktcode: 46231
Hersteller: Fairchild
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 25 V
Idd,A: 0,68 A
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/1,64
JHGF: SMD
auf Bestellung 175 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote FDV303N nach Preis ab 0.036 EUR bis 0.53 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDV303N FDV303N Hersteller : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 13146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5770+0.093 EUR
10000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5770
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N FDV303N Hersteller : onsemi fdv303n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 497950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.095 EUR
6000+0.085 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N FDV303N Hersteller : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 462000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.098 EUR
6000+0.087 EUR
9000+0.072 EUR
15000+0.053 EUR
150000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N FDV303N Hersteller : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 462000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.098 EUR
6000+0.087 EUR
9000+0.072 EUR
15000+0.053 EUR
150000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N FDV303N Hersteller : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1413000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.099 EUR
6000+0.089 EUR
9000+0.073 EUR
15000+0.054 EUR
150000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N FDV303N Hersteller : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1413000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.1 EUR
6000+0.089 EUR
9000+0.073 EUR
15000+0.054 EUR
150000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N FDV303N Hersteller : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2024 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1018+0.14 EUR
1048+0.13 EUR
1194+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1018
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N FDV303N Hersteller : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 29914 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
983+0.15 EUR
993+0.14 EUR
1169+0.11 EUR
1327+0.096 EUR
3000+0.09 EUR
6000+0.083 EUR
15000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 983
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N FDV303N Hersteller : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 29914 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
349+0.41 EUR
545+0.25 EUR
550+0.24 EUR
983+0.13 EUR
993+0.12 EUR
1169+0.1 EUR
1327+0.085 EUR
3000+0.082 EUR
6000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 349
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N FDV303N Hersteller : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
312+0.46 EUR
512+0.27 EUR
1090+0.12 EUR
1122+0.11 EUR
1278+0.096 EUR
3000+0.074 EUR
6000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 312
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N FDV303N Hersteller : onsemi fdv303n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 497950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+0.48 EUR
60+0.3 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N FDV303N Hersteller : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
291+0.49 EUR
478+0.29 EUR
1017+0.13 EUR
1045+0.12 EUR
1191+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 291
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N FDV303N Hersteller : onsemi / Fairchild FDV303N-D.PDF MOSFETs N-Ch Digital
auf Bestellung 157806 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+0.53 EUR
10+0.32 EUR
100+0.17 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N FDV303N Hersteller : ONSEMI 2304020.pdf Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 75937 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N FDV303N Hersteller : ONSEMI 2304020.pdf Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 75937 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N FDV303N Hersteller : ONSEMI 2304020.pdf Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 306000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N Hersteller : ON-Semiconductor fdv303n-d.pdf N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N Hersteller : ON-Semiconductor fdv303n-d.pdf N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 5960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N Hersteller : UMW fdv303n-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
300+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N Hersteller : VBsemi fdv303n-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C; FDV303N China TFDV303n c
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

BSS138
Produktcode: 197212
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

BSS138_UMW _datasheet.pdf
BSS138
Hersteller: UMW
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/
JHGF: SMD
auf Bestellung 11491 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD55008-E
Produktcode: 3647
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

PD55008.pdf
PD55008-E
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-10RF
Uds,V: 40
Idd,A: 4
Bem.: 8W
JHGF: SMD
auf Bestellung 183 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+18 EUR
10+8 EUR
100+4.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC849B (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 3064
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

bc846-datasheet.pdf
BC849B (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 30
Ucbo,V: 30
Ic,A: 0,1
h21: 450
ZCODE: SMD
verfügbar: 2267 St.
250 St. - stock Köln
2017 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.03 EUR
10+0.026 EUR
100+0.019 EUR
1000+0.018 EUR
10000+0.015 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859C
Produktcode: 3051
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

BC859,BC860.pdf
BC859C
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
U, V: 30
U, V: 30
I, А: 0.1
h21,max: 900
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar: 334 St.
250 St. - stock Köln
84 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.06 EUR
10+0.026 EUR
100+0.02 EUR
1000+0.017 EUR
10000+0.015 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
220uF 10V ECR 6x11mm (ECR221M10B-Hitano)
Produktcode: 2974
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

ECR_081225.pdf
220uF 10V ECR 6x11mm (ECR221M10B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220uF
Nennspannung: 10V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 6x11mm
Lebensdauer: 6х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 11334 St.
300 St. - stock Köln
11034 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.017 EUR
1000+0.016 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH