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FGA25N120ANTD (FGA25N120ANTDTU_F109) ON
Produktcode: 34959
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Lieblingsprodukt
Hersteller: ON
Gehäuse: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,0 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 50 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 25 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 312 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 50/190
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.82 EUR |
| 10+ | 8.38 EUR |
| 100+ | 8.1 EUR |
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FGA25N120ANTDTU-F109 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGA25N120ANTDTU-F109 - IGBT, NPT-Trench, 50 A, 2.65 V, 312 W, 1.2 kV, TO-3PN, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 312W Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 174 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGA25N120ANTDTU-F109 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGA25N120ANTDTU-F109 - IGBT, NPT-Trench, 50 A, 2.65 V, 312 W, 1.2 kV, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FGA25N120ANTDTU-F109 - IGBT, NPT-Trench, 50 A, 2.65 V, 312 W, 1.2 kV, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 10.12 EUR |
| 35+ | 6.66 EUR |
| 100+ | 4.69 EUR |
Mit diesem Produkt kaufen
| Sicherung 5x20mm 10А 250VAC keramisch mit Anschlüssen 50CT(P)-100H Hollyland Produktcode: 195708
2
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|
![]() |
Hersteller: Hollyland
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Kurzbeschreibung: Sicherung Schmelz mit axialen Anschlüssen keramisch 10A 250V 5x20mm.
Nennstrom: 10 A
Größe: 5x20 mm; dAnschl.. = 0.65 mm
Bauform: Mit Anschlüssen
Gehäusematerial: Keramik
Nennspannung: 250 VAC
Auslöseverhalten: Träge
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Kurzbeschreibung: Sicherung Schmelz mit axialen Anschlüssen keramisch 10A 250V 5x20mm.
Nennstrom: 10 A
Größe: 5x20 mm; dAnschl.. = 0.65 mm
Bauform: Mit Anschlüssen
Gehäusematerial: Keramik
Nennspannung: 250 VAC
Auslöseverhalten: Träge
auf Bestellung: 898 St.
- 898 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.36 EUR |
| 10+ | 0.31 EUR |
| 100+ | 0.27 EUR |
| GBJ2510 Diodenbrücke Produktcode: 177798
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: SEP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: GBJ
Sperrspannung Urev, V: 1000 В
Durchlassstrom Idir, A: 25 А
Typ der Diodenbrücke: Einphasig
Montage: THT
Impulsstrom, A: 350 А
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: GBJ
Sperrspannung Urev, V: 1000 В
Durchlassstrom Idir, A: 25 А
Typ der Diodenbrücke: Einphasig
Montage: THT
Impulsstrom, A: 350 А
erwartet: 20 St.
- 20 St. - erwartet
auf Bestellung: 139 St.
- 139 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 0.75 EUR |
| 10+ | 0.67 EUR |
| 100+ | 0.6 EUR |
| Wärmeleitpaste КПТ-8У (1,5 Вт/м·К), 21г, Spritze 10ml Produktcode: 152530
7
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Lieblingsprodukt
|
Chemie > Wärmeleitende Materialien
Beschreibung: Wärmeleitfähigkeit bei 20 °C, mindestens 1 W/(m·K). Dichte 2,7 g/cm³. Betriebstemperaturbereich від -60 до +180 °C. Verbesserte Version der Wärmeleitpaste KPT-8 auf Basis von Silikonöl und Metalloxiden.
Verwendungszweck: Zur Wärmeableitung von auf dem Kühlkörper montierten Bauteilen
Verpackung / Größe: 21 g
Typ: Wärmeleitpaste
Wärmeleitfähigkeit: 1,5 W/(m·K)
Beschreibung: Wärmeleitfähigkeit bei 20 °C, mindestens 1 W/(m·K). Dichte 2,7 g/cm³. Betriebstemperaturbereich від -60 до +180 °C. Verbesserte Version der Wärmeleitpaste KPT-8 auf Basis von Silikonöl und Metalloxiden.
Verwendungszweck: Zur Wärmeableitung von auf dem Kühlkörper montierten Bauteilen
Verpackung / Größe: 21 g
Typ: Wärmeleitpaste
Wärmeleitfähigkeit: 1,5 W/(m·K)
auf Bestellung: 45 St.
- 45 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.15 EUR |
| 10+ | 1.94 EUR |
| 2SD2499 (NPN-Bipolartransistor) Produktcode: 31509
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Toshiba
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-3PML
Transitfrequenz fT: 2 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 600 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 1500 V
Kollektorstrom Ic, A: 6 A
Stromverstärkung h21: 25
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-3PML
Transitfrequenz fT: 2 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 600 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 1500 V
Kollektorstrom Ic, A: 6 A
Stromverstärkung h21: 25
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
auf Bestellung: 9 St.
- 9 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.67 EUR |
| 10+ | 2.43 EUR |
| 1.5KE440CA Produktcode: 41129
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: YJ/Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-201
Spitzenleistung, P, W: 1500 W
Durchbruchspannung, Vbr: 440 V
Sperrspannung, Vrm: 376 В
Leckstrom, Irm: 1 мкА
Diodenbauart: Bidirektional
Montage: THT
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-201
Spitzenleistung, P, W: 1500 W
Durchbruchspannung, Vbr: 440 V
Sperrspannung, Vrm: 376 В
Leckstrom, Irm: 1 мкА
Diodenbauart: Bidirektional
Montage: THT
auf Bestellung: 319 St.
- 319 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 0.7 EUR |
| 10+ | 0.64 EUR |
| 100+ | 0.58 EUR |
| 1000+ | 0.52 EUR |







