FGA25N120ANTD (FAIR) - Transistoren - Transistoren IGBT, Leistungsmodule

FGA25N120ANTD

FGA25N120ANTD

Produktcode: 34959
Hersteller: FAIR
Gehäuse: TO-3P
Vces: 1200
Vce: 2
Ic 25: 50
Ic 100: 25
Pd 25: 312
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 50/190
FGA25N120ANTD FAIR IGPT.pdf
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1+ 2.7 EUR

Technische Details FGA25N120ANTD

Preis FGA25N120ANTD ab 2.7 EUR bis 10.04 EUR

FGA25N120ANTDTU-F109
FGA25N120ANTDTU-F109
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors Copak Discrete
FGA25N120ANTDTU_D-2313488.pdf 		auf Bestellung 5 Stücke
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10+ 9.05 EUR
25+ 8.55 EUR
100+ 7.41 EUR
FGA25N120ANTDTU-F109
Hersteller: ONSEMI
Material: FGA25N120ANTD-F109 THT IGBT transistors
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FGA25N120ANTDTU-F109
Hersteller: ON Semiconductor

fga25n120antdtu-d.pdf 		4200 Stücke
FGA25N120ANTDTU-F109
FGA25N120ANTDTU-F109
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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FGA25N120ANTD
Hersteller:
FGA25N120ANTDTU Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 50A TO-3
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FGA25N120ANTDTU-F109
Hersteller: ONSEMI
Material: FGA25N120ANTD-F109 THT IGBT transistors
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FGA25N120ANTDTU_F109
Hersteller:
FGA25N120ANTDTU Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 50A TO-3
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FGA25N120ANTDTU_F109
Hersteller:
FGA25N120ANTDTU Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 50A TO-3
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FGA25N120ANTD
Hersteller: onsemi
onsemi NPTTIGBT TO3PN 25A 1200V
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FGA25N120ANTDTU-F109
FGA25N120ANTDTU-F109
Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
IGBT Transistors Copak Discrete
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FGA25N120ANTDTU-F109
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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FGA25N120ANTD
Hersteller: ON Semiconductor
ON Semiconductor NPTTIGBT TO3PN 25A 1200V
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FGA25N120ANTDTU-F109
FGA25N120ANTDTU-F109
Hersteller: onsemi
Description: IGBT 1200V 50A 312W TO3P
Power - Max: 312 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
Gate Charge: 200 nC
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 4.1mJ (on), 960µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/190ns
IGBT Type: NPT and Trench
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 350 ns
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GBJ2510(Dioden Brücke)
Produktcode: 47865		 GBJ2510.pdf
GBJ2510(Dioden Brücke)
Möglichen Substitutionen
KBJ2510 (Diodenbrücke)
Produktcode: 42587
GBU2510 (Diodenbrücke)
Produktcode: 42585		 GBU10_GBU15_GBU25.pdf
GBU2510 (Diodenbrücke)
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Diodenbrücken
Gehäuse: GBU
Urew: 1000V
I dir: 25A
Zus.Info: Einiphasen-Brücke
Auwechselbar:: GBU25005, GBU2501, GBU2502, GBU2504, GBU2506, GBU2508, GBU15005, GBU1501, GBU1502, GBU1504, GBU1506, GBU1508, GBU1510, GBU10005, GBU1001, GBU1002, GBU1004, GBU1006, GBU1008, GBU1010
№ 7: 8541 10 00 10
60 Stück - stock Köln
379 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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10+ 0.6 EUR
100+ 0.56 EUR
1000+ 0.51 EUR
GBJ2010 (Diodenbrücke)
Produktcode: 42568		 GBJ2010.pdf
GBJ2010 (Diodenbrücke)
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Diodenbrücken
Gehäuse: GBJ
Urew: 1000V
I dir: 20A
Zus.Info: Einiphasen-Brücke
Auwechselbar:: GBJ20005, GBJ2001, GBJ2002, GBJ2004, GBJ2006, GBJ2008, GBJ15005, GBJ1501, GBJ1502, GBJ1504, GBJ1506, GBJ1508, GBJ10005, GBJ1001, GBJ1002, GBJ1004, GBJ1006, GBJ1008, GBJ8005, GBJ801, GBJ802, GBJ804, GBJ806, GBJ808, GBJ810, KBJ20005, KBJ2001, KBJ2002, KBJ20
№ 7: 8541 10 00 10
GBJ1510 (Diodenbrücke)
Produktcode: 42567		 GBJ1510.pdf
GBJ1510 (Diodenbrücke)
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Diodenbrücken
Gehäuse: GBJ
Urew: 1000V
I dir: 15A
Zus.Info: Einiphasen-Brücke
Auwechselbar:: GBJ15005, GBJ1501, GBJ1502, GBJ1504, GBJ1506, GBJ1508, GBJ10005, GBJ1001, GBJ1002, GBJ1004, GBJ1006, GBJ1008, GBJ6005, GBJ601, GBJ602, GBJ604, GBJ606, GBJ608, GBJ610, GBJ8005, GBJ801, GBJ802, GBJ804, GBJ806, GBJ808, GBJ810, KBJ15005, KBJ1501, KBJ1502, KBJ
№ 7: 8541 10 00 10
55 Stück - stock Köln
237 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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1000+ 0.39 EUR