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FGB20N60SF

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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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FGB20N60SF FGB20N60SF ON Semiconductor fgb20n60sf-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 208W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FGB20N60SF FGB20N60SF ON Semiconductor fgb20n60sf-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 208W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FGB20N60SF FGB20N60SF Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002366380-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO-263
Power - Max: 208 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Gate Charge: 65 nC
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 370µJ (on), 160µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/90ns
IGBT Type: Field Stop
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
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FGB20N60SF FGB20N60SF onsemi fgb20n60sf-d.pdf FAIR-S-A0002366380-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IGBTs 600V, 20A Field Stop IGBT
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1+8.59 EUR
10+5.63 EUR
100+4.21 EUR
500+3.53 EUR
800+3.27 EUR
2400+3.03 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
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Power - Max: 208 W
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Gate Charge: 65 nC
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 370µJ (on), 160µJ (off)
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IGBT Type: Field Stop
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
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