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FGY100T120SWD

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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FGY100T120SWD FGY100T120SWD Hersteller : onsemi fgy100t120swd-d.pdf Description: IGBT FS 1200V 200A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 152 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46.4ns/209.6ns
Switching Energy: 3.1mJ (on), 1.6mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 284 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 866 W
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+17.49 EUR
30+10.48 EUR
120+8.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FGY100T120SWD FGY100T120SWD Hersteller : onsemi fgy100t120swd-d.pdf IGBTs 1200V, 100A Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT
auf Bestellung 418 Stücke:
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Anzahl Preis
1+17.56 EUR
10+10.52 EUR
120+9.79 EUR
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FGY100T120SWD Hersteller : ONN fgy100t120swd-d.pdf
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FGY100T120SWD Hersteller : ONSEMI fgy100t120swd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 100A; 433W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Power dissipation: 433W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
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Produktcode: 180578
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RGS4 50А 800V
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Запобіжник 78xd17mm
Nennstrom, А: 50 A
Bemerkung: З виводами
Номінальна напруга: 800 VAC
auf Bestellung 194 St.:
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