FGY100T120SWD


Produktcode: 213125
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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FGY100T120SWD FGY100T120SWD Hersteller : onsemi IGBTs 1200V, 100A Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT
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FGY100T120SWD Hersteller : ON Semiconductor fgy100t120swd-d.pdf IGBT - Power, Co-PAK N-Channel, Field Stop VII
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FGY100T120SWD Hersteller : ONSEMI Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 100A; 433W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Power dissipation: 433W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FGY100T120SWD Hersteller : ONSEMI Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 100A; 433W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Power dissipation: 433W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
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