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Technische Details FGY100T120SWD onsemi
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 100A; 433W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Collector current: 100A, Power dissipation: 433W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 400A, Mounting: THT, Gate charge: 284nC, Kind of package: tube, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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FGY100T120SWD Produktcode: 213125
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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| FGY100T120SWD | Hersteller : ON Semiconductor |
 IGBT - Power, Co-PAK N-Channel, Field Stop VII |
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| FGY100T120SWD | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 100A; 433W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 100A Power dissipation: 433W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 400A Mounting: THT Gate charge: 284nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| FGY100T120SWD | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 100A; 433W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 100A Power dissipation: 433W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 400A Mounting: THT Gate charge: 284nC Kind of package: tube |
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