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FGY100T120SWD

FGY100T120SWD onsemi


fgy100t120swd-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: IGBT FS 1200V 200A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 152 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46.4ns/209.6ns
Switching Energy: 3.1mJ (on), 1.6mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 284 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 866 W
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Technische Details FGY100T120SWD onsemi

Description: IGBT FS 1200V 200A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 152 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 46.4ns/209.6ns, Switching Energy: 3.1mJ (on), 1.6mJ (off), Test Condition: 600V, 50A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 284 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A, Power - Max: 866 W.

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FGY100T120SWD FGY100T120SWD Hersteller : onsemi FGY100T120SWD-D.PDF IGBTs 1200V, 100A Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT
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FGY100T120SWD Hersteller : ON Semiconductor fgy100t120swd-d.pdf IGBT - Power, Co-PAK N-Channel, Field Stop VII
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FGY100T120SWD Hersteller : ONSEMI fgy100t120swd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 100A; 433W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Power dissipation: 433W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
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