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FGY120T65SPD-F085

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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FGY120T65SPD-F085 FGY120T65SPD-F085 ON Semiconductor fgy120t65spd-f085-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 240A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 23615 Stücke:
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FGY120T65SPD-F085 FGY120T65SPD-F085 ON Semiconductor fgy120t65spd-f085-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 240A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 399 Stücke:
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FGY120T65SPD-F085 FGY120T65SPD-F085 ON Semiconductor fgy120t65spd-f085-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 240A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
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FGY120T65SPD-F085 FGY120T65SPD-F085 ON Semiconductor fgy120t65spd-f085-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 240A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 355 Stücke:
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FGY120T65SPD-F085 FGY120T65SPD-F085 onsemi fgy120t65spd-f085-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 240A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 53ns/102ns
Switching Energy: 6.8mJ (on), 3.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 162 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 378 A
Power - Max: 882 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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30+18 EUR
120+15.55 EUR
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FGY120T65SPD-F085 FGY120T65SPD-F085 onsemi fgy120t65spd-f085-d.pdf IGBTs 650V FS Trench IGBT Gen3
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FGY120T65SPD-F085 FGY120T65SPD-F085 ONSEMI 2859366.pdf Description: ONSEMI - FGY120T65SPD-F085 - IGBT, 120 A, 1.5 V, 882 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 882W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1 Stücke:
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FGY120T65SPD-F085 ONS/FAI fgy120t65spd-f085-d.pdf IGBT 650V 240A 882W TO-247 Транзистори
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FGY120T65SPD-F085 ON Semiconductor fgy120t65spd-f085-d.pdf
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FGY120T65SPD-F085
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 240A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
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FGY120T65SPD-F085
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 240A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
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FGY120T65SPD-F085
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 240A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
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FGY120T65SPD-F085
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 240A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
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FGY120T65SPD-F085
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 240A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 53ns/102ns
Switching Energy: 6.8mJ (on), 3.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 162 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 378 A
Power - Max: 882 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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30+18 EUR
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FGY120T65SPD-F085
Hersteller: onsemi
IGBTs 650V FS Trench IGBT Gen3
auf Bestellung 296 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+29.27 EUR
10+18.08 EUR
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FGY120T65SPD-F085 2859366.pdf
FGY120T65SPD-F085
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGY120T65SPD-F085 - IGBT, 120 A, 1.5 V, 882 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 882W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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IGBT 650V 240A 882W TO-247 Транзистори
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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RGS4 50A 800V
Produktcode: 180578
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RGS4 50A 800V
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Kurzbeschreibung: Sicherung 78xd17mm
Nennstrom: 50 A
Größe: 17x78 mm
Bauform: Mit Anschlüssen
Nennspannung: 800 VAC
auf Bestellung 187 St.:
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