FGY120T65SPD-F085
Produktcode: 213126
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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FGY120T65SPD-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 240A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 23615 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGY120T65SPD-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 240A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 399 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGY120T65SPD-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 240A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGY120T65SPD-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 240A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGY120T65SPD-F085 | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 240A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 123 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 120A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 53ns/102ns Switching Energy: 6.8mJ (on), 3.5mJ (off) Test Condition: 400V, 120A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 162 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 240 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 378 A Power - Max: 882 W Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 321 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGY120T65SPD-F085 | Hersteller : onsemi |
IGBTs 650V FS Trench IGBT Gen3 |
auf Bestellung 296 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGY120T65SPD-F085 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGY120T65SPD-F085 - IGBT, 120 A, 1.5 V, 882 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 882W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 120A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGY120T65SPD-F085 | Hersteller : ONS/FAI |
IGBT 650V 240A 882W TO-247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
auf Bestellung 398 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGY120T65SPD-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 322 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FGY120T65SPD-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 240A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
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FGY120T65SPD-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 240A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FGY120T65SPD-F085 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 441W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 120A Power dissipation: 441W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 378A Mounting: THT Gate charge: 162nC Kind of package: tube |
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| IMZA120R040M1HXKSA1 Produktcode: 213128
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| FOD8342 Produktcode: 213127
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| FGY100T120SWD Produktcode: 213125
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| RGS4 50А 800V Produktcode: 180578
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Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Запобіжник 78xd17mm
Nennstrom, А: 50 A
Bemerkung: З виводами
Номінальна напруга: 800 VAC
Funktionsbeschreibung: Запобіжник 78xd17mm
Nennstrom, А: 50 A
Bemerkung: З виводами
Номінальна напруга: 800 VAC
auf Bestellung 194 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH