Weitere Produktangebote IMZA120R040M1HXKSA1 nach Preis ab 10.28 EUR bis 20.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMZA120R040M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
 SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package |
auf Bestellung 152 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||
 |
IMZA120R040M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: SIC DISCRETE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54.4mOhm @ 19.3A, 18V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 8.3mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 800 V |
auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
| IMZA120R040M1HXKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 19.18 EUR |
| 10+ | 11.62 EUR |
| 100+ | 10.28 EUR |
| IMZA120R040M1HXKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54.4mOhm @ 19.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 8.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 800 V
Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54.4mOhm @ 19.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 8.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 800 V
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 20.33 EUR |
| 30+ | 12.17 EUR |
| 120+ | 10.6 EUR |
Mit diesem Produkt kaufen
| FOD8342 Produktcode: 213127
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
|
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FGY120T65SPD-F085 Produktcode: 213126
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
|
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FGY100T120SWD Produktcode: 213125
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
|
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RGS4 50А 800V Produktcode: 180578
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Запобіжник 78xd17mm
Nennstrom, А: 50 A
Bemerkung: З виводами
Номінальна напруга: 800 VAC
Funktionsbeschreibung: Запобіжник 78xd17mm
Nennstrom, А: 50 A
Bemerkung: З виводами
Номінальна напруга: 800 VAC
auf Bestellung 188 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)