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IMZA120R040M1HXKSA1

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IMZA120R040M1HXKSA1 IMZA120R040M1HXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonimza120r040m1hdatasheetv0120en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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IMZA120R040M1HXKSA1 IMZA120R040M1HXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IMZA120R040M1H-DataSheet-v01_30-EN.pdf SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
auf Bestellung 152 Stücke:
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IMZA120R040M1HXKSA1 IMZA120R040M1HXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IMZA120R040M1H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f8795dc9831d9 Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54.4mOhm @ 19.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 8.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 800 V
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IMZA120R040M1HXKSA1 IMZA120R040M1HXKSA1 Hersteller : INFINEON 3704051.pdf Description: INFINEON - IMZA120R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 239 Stücke:
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IMZA120R040M1HXKSA1 IMZA120R040M1HXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonimza120r040m1hdatasheetv0120en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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IMZA120R040M1HXKSA1 IMZA120R040M1HXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonimza120r040m1hdatasheetv0120en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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RGS4 50А 800V
Produktcode: 180578
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RGS4 50А 800V
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Запобіжник 78xd17mm
Nennstrom, А: 50 A
Bemerkung: З виводами
Номінальна напруга: 800 VAC
auf Bestellung 194 St.:
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