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GT20J341

Produktcode: 191270
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GT20J341 Toshiba IGBTs
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GT20J341,S4X(S GT20J341,S4X(S TOSHIBA GT20J341.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 11A; 45W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 370ns
Collector current: 11A
Gate-emitter voltage: ±25V
Power dissipation: 45W
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 600V
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GT20J341
Hersteller: Toshiba
IGBTs
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GT20J341,S4X(S GT20J341.pdf
GT20J341,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 11A; 45W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 370ns
Collector current: 11A
Gate-emitter voltage: ±25V
Power dissipation: 45W
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 600V
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