GT20J341
Produktcode: 191270
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| GT20J341 | Toshiba | IGBTs |
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GT20J341,S4X(S | TOSHIBA |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 11A; 45W; TO220FP Collector current: 11A Mounting: THT Collector-emitter voltage: 600V Power dissipation: 45W Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Pulsed collector current: 80A Type of transistor: IGBT Turn-on time: 0.2µs Kind of package: tube Case: TO220FP Turn-off time: 370ns Gate-emitter voltage: ±25V |
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| GT20J341 |
Hersteller: Toshiba
IGBTs
IGBTs
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| GT20J341,S4X(S |
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Hersteller: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 11A; 45W; TO220FP
Collector current: 11A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 45W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 0.2µs
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Turn-off time: 370ns
Gate-emitter voltage: ±25V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 11A; 45W; TO220FP
Collector current: 11A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 45W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 0.2µs
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Turn-off time: 370ns
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