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GT40QR21 Transistor

Produktcode: 168454
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GT40QR21(STA1,E,D GT40QR21(STA1,E,D Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=9834&prodName=GT40QR21 Description: IGBT 1200V 40A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 600 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Switching Energy: -, 290µJ (off)
Test Condition: 280V, 40A, 10Ohm, 20V
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 230 W
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.15 EUR
25+7.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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GT40QR21(STA1,E,D GT40QR21(STA1,E,D Toshiba 4238463131364445413333373934384636433636424144363939443642463343.pdf IGBTs TO-3PN(OS) MQO=25 V=1200 IC=40
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.74 EUR
10+9.2 EUR
100+7.39 EUR
500+6.58 EUR
1000+5.82 EUR
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GT40QR21(STA1,E,D GT40QR21(STA1,E,D TOSHIBA GT40QR21.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 35A; 230W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 35A
Power dissipation: 230W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 0.6µs
Turn-on time: 0.3µs
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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GT40QR21(STA1,E,D) TOSHIBA
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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GT40QR21(STA1,E,D docget.jsp?did=9834&prodName=GT40QR21
GT40QR21(STA1,E,D
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 1200V 40A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 600 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Switching Energy: -, 290µJ (off)
Test Condition: 280V, 40A, 10Ohm, 20V
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 230 W
auf Bestellung 34 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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GT40QR21(STA1,E,D 4238463131364445413333373934384636433636424144363939443642463343.pdf
GT40QR21(STA1,E,D
Hersteller: Toshiba
IGBTs TO-3PN(OS) MQO=25 V=1200 IC=40
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+13.74 EUR
10+9.2 EUR
100+7.39 EUR
500+6.58 EUR
1000+5.82 EUR
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GT40QR21(STA1,E,D GT40QR21.pdf
GT40QR21(STA1,E,D
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 35A; 230W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 35A
Power dissipation: 230W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 0.6µs
Turn-on time: 0.3µs
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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GT40QR21(STA1,E,D)
Hersteller: TOSHIBA
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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