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IKW15T120

IKW15T120 Infineon

infineon-ikw15t120-ds-v02_04-en.pdf
Produktcode: 119901
Hersteller: Infineon
Gehäuse: TO-247
Vces: 1200 V
Vce: 1,7 V
Ic 25: 30 A
Ic 100: 15 A
Pd 25: 110 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 50/520
auf Bestellung 7 St.:
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Technische Details IKW15T120 Infineon

  • IGBT, N, 1200V, 15A, TO-247
  • Transistor Type:IGBT
  • DC Collector Current:30A
  • Max Voltage Vce Sat:2.2V
  • Max Power Dissipation:110W
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
  • Operating Temperature Range:-40`C to +150`C
  • SVHC:Cobalt dichloride
  • Case Style:TO-247
  • Max Current Ic Continuous a:15A
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:110W
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:1200V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IKW15T120 IKW15T120 Hersteller : Infineon Technologies INFNS27300-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IKW15T120 - DISCRETE IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 110 W
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IKW15T120 IKW15T120 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IKW15T120-DataSheet-v02_04-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
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