IKW25N120H3
Produktcode: 113551
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Weitere Produktangebote IKW25N120H3 nach Preis ab 4.71 EUR bis 14.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IKW25N120H3 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120H3 | Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
auf Bestellung 402 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW25N120H3 | Infineon |
IKW25N120H3 Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IKW25N120H3FKSA1 TIKW25n120h3 |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW25N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Power dissipation: 326W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Pulsed collector current: 100A Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Manufacturer series: H3 Collector-emitter voltage: 1.2kV |
auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IKW25N120H3 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 11.25 EUR |
| 25+ | 10.61 EUR |
| 50+ | 9.98 EUR |
| 100+ | 9.44 EUR |
| 250+ | 9.01 EUR |
| IKW25N120H3 |
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Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 12.29 EUR |
| 10+ | 8.07 EUR |
| 100+ | 5.95 EUR |
| 480+ | 5.26 EUR |
| 1200+ | 4.71 EUR |
| IKW25N120H3 |
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Hersteller: Infineon
IKW25N120H3 Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IKW25N120H3FKSA1 TIKW25n120h3
IKW25N120H3 Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IKW25N120H3FKSA1 TIKW25n120h3
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 14.77 EUR |
| IKW25N120H3FKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)





