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IKW25N120H3

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Produktcode: 113551
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW25N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+7.88 EUR
12+7.37 EUR
14+6.26 EUR
15+5.71 EUR
20+5 EUR
30+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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IKW25N120H3 IKW25N120H3 Infineon Technologies infineonikw25n120h3datasheetv0110en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11 EUR
25+10.38 EUR
50+9.76 EUR
100+9.22 EUR
250+8.81 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IKW25N120H3 IKW25N120H3 Infineon Technologies Infineon_IKW25N120H3_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.52 EUR
10+8.19 EUR
100+6.03 EUR
480+5.34 EUR
1200+4.76 EUR
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IKW25N120H3 IKW25N120H3 Infineon info-tikw25n120h3.pdf Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3 TIKW25n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3-DTE.pdf
IKW25N120H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+7.88 EUR
12+7.37 EUR
14+6.26 EUR
15+5.71 EUR
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IKW25N120H3 infineonikw25n120h3datasheetv0110en.pdf
IKW25N120H3
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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16+11 EUR
25+10.38 EUR
50+9.76 EUR
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250+8.81 EUR
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IKW25N120H3 Infineon_IKW25N120H3_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKW25N120H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
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IKW25N120H3
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3 TIKW25n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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