IKW25N120T2
Produktcode: 39789
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IKW25N120T2 | Infineon | Транзистори |
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IKW25N120T2 | Infineon Technologies |
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 25A |
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IKW25N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 349W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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| IKW25N120T2 |
Hersteller: Infineon
Транзистори
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| IKW25N120T2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
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| IKW25N120T2FKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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