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IKW40N120H3FKSA1

IKW40N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d012591d4832f7032
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 Infineon Technologies infineonikw40n120h3datasheetv0110en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.54 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 160A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+8.97 EUR
13+7 EUR
14+6.28 EUR
30+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 Infineon Technologies infineonikw40n120h3datasheetv0110en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 5801 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+12.21 EUR
25+6.85 EUR
30+6.53 EUR
100+5.34 EUR
120+5.08 EUR
480+4.75 EUR
510+4.5 EUR
1020+4.45 EUR
2010+4.4 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 Infineon Technologies infineonikw40n120h3datasheetv0110en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 5800 Stücke:
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15+12.36 EUR
25+7.09 EUR
30+6.88 EUR
100+5.71 EUR
120+5.57 EUR
480+5.36 EUR
510+5.18 EUR
1020+5.12 EUR
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IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120H3_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
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IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 INFINEON INFN-S-A0000149044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW40N120H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
Verlustleistung: 483W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 8051 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.4 EUR
21+11.26 EUR
29+7.58 EUR
50+7.44 EUR
100+7.28 EUR
250+7.13 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 Infineon Technologies IKW40N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d012591d4832f7032 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 355 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns
Switching Energy: 4.4mJ
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 185 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 483 W
auf Bestellung 2303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.46 EUR
30+8.97 EUR
120+7.54 EUR
510+6.5 EUR
1020+6.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 Infineon Technologies infineonikw40n120h3datasheetv0110en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
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IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 Infineon Technologies infineonikw40n120h3datasheetv0110en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2140 Stücke:
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IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 Infineon Technologies infineonikw40n120h3datasheetv0110en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW40N120H3FKSA1 infineonikw40n120h3datasheetv0110en.pdf
IKW40N120H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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AnzahlPrivatkunde
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IKW40N120H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 160A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
auf Bestellung 262 Stücke:
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IKW40N120H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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480+4.75 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
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IKW40N120H3FKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKW40N120H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
Verlustleistung: 483W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d012591d4832f7032
IKW40N120H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 355 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns
Switching Energy: 4.4mJ
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 185 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 483 W
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IKW40N120H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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PIC12F675-I/P
Produktcode: 24826
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PIC12F629,675.pdf
PIC12F675-I/P
Hersteller: Microchip
IC > IC Mikrokontroller
Gehäusetyp: PDIP-8
Kurzbeschreibung: 8-bit Mikrocontroller mit 1KB,20MHz
Versorgungsspannung, V: 2,0...5,5 V
Kerntyp: PIC12
Bitbreite: 8-Bit
Frequenz: 20 MHz
Betriebstemperatur, °C: -40...+125°C
ZCODE: 8542 39 90 00
auf Bestellung: 307 St.
  • 307 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BZV85-C8V2
Produktcode: 24000
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BZV85-C8V2
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Stabilisierungsspannung Vz, V: 8,2 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 25 mA
Verlustleistung Pd, W: 1 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: 3,1...6,1 mV/K
auf Bestellung: 406 St.
  • 406 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.07 EUR
100+0.055 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX84-C9V1
Produktcode: 22158
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BZX84.pdf
BZX84-C9V1
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOT-23
Stabilisierungsspannung Vz, V: 9,1 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: SMD
Temperaturkoeffizient: 5,5 mV/K
auf Bestellung: 2691 St.
  • 2691 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.079 EUR
10+0.051 EUR
100+0.039 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TL072CDT
Produktcode: 15997
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cd00000490de3.pdf
TL072CDT
Hersteller: ST
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SO-8
Versorgungsspannung Vc, V: ±15 В
Bandbreite BW, MHz: 4 МГц
Offsetspannung Vio, mV: 10 мВ
Anstiegsrate, V/µs: 16 В/µs
Temperaturbereich: 0...+70°C
Anzahl Kanäle: 2
Montage: SMD
auf Bestellung: 690 St.
  • 690 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0060TRPBF
Produktcode: 38412
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infineon-irlml0060-ds-en.pdf
IRLML0060TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 2,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,092 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 290/2,5
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 821 St.
  • 821 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.18 EUR
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100+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
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