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IKW40N120H3FKSA1

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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonikw40n120h3datasheetv0110en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonikw40n120h3datasheetv0110en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Manufacturer series: H3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 160A
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12+6.11 EUR
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IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonikw40n120h3datasheetv0110en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IKW40N120H3_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
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IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies IKW40N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d012591d4832f7032 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 355 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns
Switching Energy: 4.4mJ
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 185 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 483 W
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2+11.25 EUR
30+6.46 EUR
120+5.41 EUR
510+4.64 EUR
1020+4.37 EUR
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IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonikw40n120h3datasheetv0110en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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120+5.63 EUR
510+4.67 EUR
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IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0000149044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW40N120H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 483W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonikw40n120h3datasheetv0110en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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PIC12F675-I/P
Produktcode: 24826
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PIC12F675-I/P
Hersteller: Microchip
IC > IC Mikrokontroller
Gehäuse: PDIP-8
Kurzbeschreibung: 8-bit Mikrokontroller with 1KB,20MHz
Strom, V: 2,0...5,5V
Betriebstemperatur, °С: -40…+125°C
Austauschbar: 8-Bit
Bemerkung: 20MHz
Робоча температура, °С: -40…+125°C
ZCODE: 8542399000
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BZV85-C8V2
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Ustab.,V: 8,2
Istab.direkt,A: 0,122
Pmax: 1
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 3.1 до 6.1mV/K
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BZX84-C9V1
Produktcode: 22158
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BZX84-C9V1
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOT-23
Ustab.,V: 9,1
Istab.direkt,A: 0,2
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 5.5mV/K
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TL072CDT
Produktcode: 15997
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TL072CDT
Hersteller: ST
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SO-8
Vc, V: ±15 V
BW, MHz: 4 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 10 mV
Geschw. Nar., V/mks: 16 V/µs
Temperaturbereich: 0…+70°C
Монтаж: SMD
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IRLML0060TRPBF
Produktcode: 38412
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IRLML0060TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60
Idd,A: 02.07.2015
Rds(on), Ohm: 0.092
Ciss, pF/Qg, nC: 05.02.290
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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