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IKW40N120H3FKSA1

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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw40n120h3-datasheet-cn.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 355 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns
Switching Energy: 4.4mJ
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 185 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 483 W
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IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 Infineon Technologies infineonikw40n120h3datasheetv0110en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
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Input Type: Standard
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PIC12F675-I/P
Hersteller: Microchip
IC > IC Mikrokontroller
Gehäusetyp: PDIP-8
Kurzbeschreibung: 8-bit Mikrocontroller mit 1KB,20MHz
Versorgungsspannung, V: 2,0...5,5 V
Kerntyp: PIC12
Bitbreite: 8-Bit
Frequenz: 20 MHz
Betriebstemperatur, °C: -40...+125°C
ZCODE: 8542 39 90 00
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BZV85-C8V2
Produktcode: 24000
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BZV85-C8V2
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Stabilisierungsspannung Vz, V: 8,2 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 25 mA
Verlustleistung Pd, W: 1 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: 3,1...6,1 mV/K
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BZX84-C9V1
Produktcode: 22158
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BZX84.pdf
BZX84-C9V1
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOT-23
Stabilisierungsspannung Vz, V: 9,1 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: SMD
Temperaturkoeffizient: 5,5 mV/K
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TL072CDT
Produktcode: 15997
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cd00000490de3.pdf
TL072CDT
Hersteller: ST
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SO-8
Versorgungsspannung Vc, V: ±15 В
Bandbreite BW, MHz: 4 МГц
Offsetspannung Vio, mV: 10 мВ
Anstiegsrate, V/µs: 16 В/µs
Temperaturbereich: 0...+70°C
Anzahl Kanäle: 2
Montage: SMD
auf Bestellung: 612 St.
  • 612 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.25 EUR
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Mindestbestellmenge: 5 St.
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IRLML0060TRPBF
Produktcode: 38412
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infineon-irlml0060-datasheet-en.pdf
IRLML0060TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 2,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,092 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 290/2,5
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 2985 St.
  • 2985 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+0.18 EUR
10+0.15 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7 St.
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