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IKW50N60H3

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Produktcode: 94376
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IKW50N60H3 IKW50N60H3 Infineon Technologies infineon-ikw50n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.75 EUR
25+9.2 EUR
50+8.65 EUR
100+8.18 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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IKW50N60H3 IKW50N60H3 Infineon info-tikw50n60h3.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C;   IKW50N60H3 TIKW50n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+9.77 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Manufacturer series: H3
Gate charge: 315nC
auf Bestellung 201 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IKW50N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 208 Stücke:
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50+8.65 EUR
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IKW50N60H3 info-tikw50n60h3.pdf
IKW50N60H3
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C;   IKW50N60H3 TIKW50n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3.pdf
IKW50N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Manufacturer series: H3
Gate charge: 315nC
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