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IPA045N10N3GXKSA1

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IPA045N10N3GXKSA1 IPA045N10N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 3187infineon-ipa045n10n3_g-ds-v02_03-en.pdffileiddb3a30432239cccd0122.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IPA045N10N3GXKSA1 IPA045N10N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 3187infineon-ipa045n10n3_g-ds-v02_03-en.pdffileiddb3a30432239cccd0122.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IPA045N10N3GXKSA1 IPA045N10N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 3187infineon-ipa045n10n3_g-ds-v02_03-en.pdffileiddb3a30432239cccd0122.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IPA045N10N3GXKSA1 IPA045N10N3GXKSA1 Hersteller : Infineon info-tipa045n10n3g.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 64A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA045N10N3GXKSA1 TIPA045n10n3g
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IPA045N10N3GXKSA1 IPA045N10N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 3187infineon-ipa045n10n3_g-ds-v02_03-en.pdffileiddb3a30432239cccd0122.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IPA045N10N3GXKSA1 IPA045N10N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 3187infineon-ipa045n10n3_g-ds-v02_03-en.pdffileiddb3a30432239cccd0122.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IPA045N10N3GXKSA1 IPA045N10N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 3187infineon-ipa045n10n3_g-ds-v02_03-en.pdffileiddb3a30432239cccd0122.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IPA045N10N3GXKSA1 IPA045N10N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies IPA045N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122600237f57ece Description: MOSFET N-CH 100V 64A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
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50+2.47 EUR
100+2.23 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.68 EUR
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IPA045N10N3GXKSA1 IPA045N10N3GXKSA1 Hersteller : INFINEON 2211585.pdf Description: INFINEON - IPA045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 64 A, 0.0039 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IPA045N10N3GXKSA1 IPA045N10N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 3187infineon-ipa045n10n3_g-ds-v02_03-en.pdffileiddb3a30432239cccd0122.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IRFB4110PBF
Produktcode: 42666
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irfb4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615a9571e0b
IRFB4110PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 180 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
JHGF: THT
auf Bestellung 371 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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33uH 10% (RCH895NP-330K Sumida) (33uH, ±10%, Idc=1.4А, Rdc max=0.07 Ohm, Ausgang radial, d=8.3mm, h=9.5mm)
Produktcode: 41397
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RCH-895.pdf
33uH 10% (RCH895NP-330K Sumida) (33uH, ±10%, Idc=1.4А, Rdc max=0.07 Ohm, Ausgang radial, d=8.3mm, h=9.5mm)
Hersteller: Sumida
Drosseln > Induktivitäten (Drosseln) Leistungsabgabe
Nennwert: 33 uH
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs-, Draht, auf Ferrithantel, 33uH±10%, Idc=1.4А, Rdc мax=0.07 Ohm, Ausgang radial, d=8.3mm, h=9.5mm
Typ: Ausgang radial, Draht auf Ferrithantel
Abmessungen: d=8,3mm, h=9,5mm
Робочий струм, А: 1,1 A
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1+0.42 EUR
10+0.29 EUR
100+0.21 EUR
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IRLZ44NPBF
Produktcode: 35365
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description irlz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567217c32725
IRLZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 41
Rds(on), Ohm: 0.022
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 62 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 1000 St.:
Anzahl Preis
1+0.7 EUR
10+0.57 EUR
100+0.5 EUR
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