Produkte > Verschiedene Bauteile > Other components 3 > IPA045N10N3GXKSA1

IPA045N10N3GXKSA1

IPA045N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122600237f57ece
Produktcode: 125685
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Verschiedene Bauteile > Other components 3

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IPA045N10N3GXKSA1 nach Preis ab 1.68 EUR bis 4.91 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPA045N10N3GXKSA1 IPA045N10N3GXKSA1 Infineon info-tipa045n10n3g.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 64A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA045N10N3GXKSA1 TIPA045n10n3g
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA045N10N3GXKSA1 IPA045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies IPA045N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122600237f57ece Description: MOSFET N-CH 100V 64A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
auf Bestellung 1034 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.91 EUR
50+2.47 EUR
100+2.23 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA045N10N3GXKSA1 IPA045N10N3GXKSA1 INFINEON 2211585.pdf Description: INFINEON - IPA045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 64 A, 3900 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 39W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA045N10N3GXKSA1 info-tipa045n10n3g.pdf
IPA045N10N3GXKSA1
Hersteller: Infineon
Trans MOSFET N-CH 100V 64A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA045N10N3GXKSA1 TIPA045n10n3g
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
10+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA045N10N3GXKSA1 IPA045N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122600237f57ece
IPA045N10N3GXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 64A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
auf Bestellung 1034 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
4+4.91 EUR
50+2.47 EUR
100+2.23 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA045N10N3GXKSA1 2211585.pdf
IPA045N10N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPA045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 64 A, 3900 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 39W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

IRFB4110PBF
Produktcode: 42666
4 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irfb4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615a9571e0b
IRFB4110PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 180 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
JHGF: THT
auf Bestellung 5 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 30 St.:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
33uH 10% (RCH895NP-330K Sumida) (33uH, ±10%, Idc=1.4А, Rdc max=0.07 Ohm, Ausgang radial, d=8.3mm, h=9.5mm)
Produktcode: 41397
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
RCH-895.pdf
33uH 10% (RCH895NP-330K Sumida) (33uH, ±10%, Idc=1.4А, Rdc max=0.07 Ohm, Ausgang radial, d=8.3mm, h=9.5mm)
Hersteller: Sumida
Drosseln > Induktivitäten (Drosseln) Leistungsabgabe
Nennwert: 33 uH
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs-, Draht, auf Ferrithantel, 33uH±10%, Idc=1.4А, Rdc мax=0.07 Ohm, Ausgang radial, d=8.3mm, h=9.5mm
Typ: Ausgang radial, Draht auf Ferrithantel
Abmessungen: d=8,3mm, h=9,5mm
Робочий струм, А: 1,1 A
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPreis
1+0.42 EUR
10+0.29 EUR
100+0.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ44NPBF
Produktcode: 35365
5 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description irlz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567217c32725
IRLZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 41
Rds(on), Ohm: 0.022
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 946 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 90 St.:
AnzahlPreis
1+0.7 EUR
10+0.57 EUR
100+0.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH