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IPA045N10N3GXKSA1

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Verschiedene Bauteile > Other components 3

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPA045N10N3GXKSA1 IPA045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies 3187infineon-ipa045n10n3_g-ds-v02_03-en.pdffileiddb3a30432239cccd0122.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 22000 Stücke:
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500+2.61 EUR
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IPA045N10N3GXKSA1 IPA045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies 3187infineon-ipa045n10n3_g-ds-v02_03-en.pdffileiddb3a30432239cccd0122.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
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66+2.69 EUR
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auf Bestellung 498 Stücke:
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53+3.3 EUR
100+2.88 EUR
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IPA045N10N3GXKSA1 IPA045N10N3GXKSA1 Infineon info-tipa045n10n3g.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 64A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA045N10N3GXKSA1 TIPA045n10n3g
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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auf Bestellung 1840 Stücke:
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36+4.9 EUR
50+3.83 EUR
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200+3.4 EUR
500+3 EUR
1000+2.75 EUR
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IPA045N10N3GXKSA1 IPA045N10N3GXKSA1 INFINEON 2211585.pdf Description: INFINEON - IPA045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 64 A, 3900 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 39W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
auf Bestellung 59 Stücke:
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IPA045N10N3GXKSA1
Hersteller: Infineon
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1000+2.75 EUR
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IPA045N10N3GXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 540 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
35+5.08 EUR
50+4.14 EUR
100+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IPA045N10N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPA045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 64 A, 3900 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 39W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
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IRFB4110PBF
Produktcode: 42666
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irfb4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615a9571e0b
IRFB4110PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 180 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 9620/150
Montage: THT
auf Bestellung: 5 St.
  • 5 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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33uH 10% (RCH895NP-330K Sumida) (33uH, ±10%, Idc=1.4А, Rdc max=0.07 Ohm, radiale Anschlüsse, d=8.3mm, h=9.5mm)
Produktcode: 41397
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RCH-895.pdf
33uH 10% (RCH895NP-330K Sumida) (33uH, ±10%, Idc=1.4А, Rdc max=0.07 Ohm, radiale Anschlüsse, d=8.3mm, h=9.5mm)
Hersteller: Sumida
Drosseln > Induktivitäten (Drosseln) Leistungsabgabe
Nennwert: 33 µH
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs, drahtgewickelt auf Ferrit Trommelkern, 33uH±10%, Idc=1.4A, Rdc max=0.07 Ohm, radiale Anschlüsse, d=8.3mm, h=9.5mm
Typ: Radial
Abmessungen: d=8,3 mm; h=9,5 mm
Betriebsstrom, A: 1,1 А
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1+1.08 EUR
10+0.98 EUR
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IRLZ44NPBF
Produktcode: 35365
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IRLZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 41 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/48
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
auf Bestellung: 631 St.
  • 631 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.76 EUR
10+1.58 EUR
100+1.42 EUR
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