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IRFB4110PBF

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irfb4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615a9571e0b
Produktcode: 42666
Hersteller: IR
Uds,V: 100 V
Idd,A: 180 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
JHGF: THT
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IRFB4110PBF IRFB4110PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb4110-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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500+1.31 EUR
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IRFB4110PBF IRFB4110PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B713F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4110pbf.pdf?ci_sign=b56f43999b13464496cb594a44e3702eb31e478b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.42 EUR
31+2.37 EUR
32+2.25 EUR
1000+2.20 EUR
2000+2.14 EUR
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IRFB4110PBF IRFB4110PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B713F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4110pbf.pdf?ci_sign=b56f43999b13464496cb594a44e3702eb31e478b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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42+3.52 EUR
79+1.79 EUR
100+1.59 EUR
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IRFB4110PBF IRFB4110PBF Hersteller : Infineon Technologies irfb4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615a9571e0b Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
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5+3.59 EUR
50+1.83 EUR
100+1.75 EUR
500+1.72 EUR
1000+1.59 EUR
2000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IRFB4110PBF IRFB4110PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFB4110_DataSheet_v01_01_EN-3363183.pdf MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.5mOhm 150nC Qg
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1+3.91 EUR
10+3.84 EUR
25+2.01 EUR
100+1.83 EUR
1000+1.72 EUR
2000+1.71 EUR
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IRFB4110PBF IRFB4110PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb4110-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4110PBF IRFB4110PBF Hersteller : INFINEON 3733817.pdf Description: INFINEON - IRFB4110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0045 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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10 Ohm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 17834
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rc_series_20150401_1.pdf
10 Ohm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 10 Ohm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
verfügbar: 4880 Stück
erwartet: 10000 Stück
10000 Stück - erwartet 28.08.2025
Anzahl Preis
10+0.42 EUR
100+0.04 EUR
1000+0.00 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
47uF 35V EZV SMD sizeC 6.3x5.7 (EZV470M35RC)
Produktcode: 23420
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EZV_070829.pdf
47uF 35V EZV SMD sizeC 6.3x5.7 (EZV470M35RC)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische SMD
Kapazität: 47uF
Nennspannung: 35V
Reihe: EZV-SMD niedriger Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: SMD size C
Макс.пульс.струм: 230mA
auf Bestellung 3753 Stück:
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Anzahl Preis
1+0.12 EUR
10+0.10 EUR
100+0.07 EUR
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IRLR120NPBF
Produktcode: 32182
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description irlr120npbf-datasheet.pdf
IRLR120NPBF
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 440/20
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
auf Bestellung 434 Stück:
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5,1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1364
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rc_series_20150401_1.pdf
5,1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 5,1 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
verfügbar: 1200 Stück
erwartet: 10000 Stück
10000 Stück - erwartet 15.07.2025
Anzahl Preis
10+0.42 EUR
100+0.04 EUR
1000+0.00 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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300 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 2199
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300 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 300 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 29337 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.00 EUR
100+0.00 EUR
1000+0.00 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH