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IRFB4110PBF

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irfb4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615a9571e0b
Produktcode: 42666
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 180 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 9620/150
Montage: THT
auf Bestellung 5 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.4 EUR
10+4.83 EUR
100+4.26 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1623 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.49 EUR
72+2.37 EUR
100+2.15 EUR
500+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
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IRFB4110PBF IRFB4110PBF Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1623 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.49 EUR
72+2.43 EUR
100+2.24 EUR
500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
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IRFB4110PBF IRFB4110PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4110pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+3.32 EUR
28+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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IRFB4110PBF IRFB4110PBF Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10668 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.34 EUR
50+3.68 EUR
100+3.26 EUR
500+2.61 EUR
1000+2.38 EUR
2000+2.19 EUR
5000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IRFB4110PBF IRFB4110PBF INFINEON 3733817.pdf Description: INFINEON - IRFB4110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.34 EUR
58+4.01 EUR
100+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IRFB4110PBF IRFB4110PBF Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10673 Stücke:
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24+7.37 EUR
50+3.61 EUR
100+3.15 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.2 EUR
2000+1.98 EUR
5000+1.81 EUR
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IRFB4110PBF IRFB4110PBF Infineon Technologies irfb4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615a9571e0b Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
auf Bestellung 1886 Stücke:
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3+7.52 EUR
50+3.82 EUR
100+3.46 EUR
500+2.83 EUR
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFB4110PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4110PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFB4110PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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58+4.01 EUR
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IRFB4110PBF infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf
IRFB4110PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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50+3.61 EUR
100+3.15 EUR
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IRFB4110PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
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Silikon-Pad TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm))
Produktcode: 123772
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Silikon-Pad TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm))
Isoliermaterialien
Gruppe: Wärmeleitpad
Beschreibung: Größen: 13x18x0.3mm mit Bohrung Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Größe: 13x18x0,3mm
Material: Silikon
Farbe: Weiß
auf Bestellung 582 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 30000 St.:
5000 St. - erwartet 09.08.2026
5000 St. - erwartet 09.08.2026
5000 St. - erwartet 09.08.2026
5000 St. - erwartet 09.08.2026
5000 St. - erwartet 09.08.2026
5000 St. - erwartet 09.08.2026
AnzahlPrivatkunde
1+0.058 EUR
10+0.039 EUR
100+0.031 EUR
1000+0.019 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NPBF
Produktcode: 32182
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description irlr120npbf-datasheet.pdf
IRLR120NPBF
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,185 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 440/20
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung 1 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.7 EUR
10+0.62 EUR
100+0.56 EUR
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1,0 kOhm 1% 1W 2512 (RC2512FK-1KR-Hitano) (SMD-Widerstand)
Produktcode: 39654
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1,0 kOhm 1% 1W 2512 (RC2512FK-1KR-Hitano) (SMD-Widerstand)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Nennwiderstand: 1 kOhm
Toleranz: ±1%
P Nenn., W: 1 W
U Betrieb, V: 200 V (max. 500 V bei Überlast)
Bauform: 2512
verfügbar: 606 St.
  • 490 St. - stock Köln
  • 116 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
10+0.098 EUR
100+0.086 EUR
1000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SFH6156-3T
Produktcode: 50023
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description sfh6156.pdf
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: SMD-4
Typ: Transistor
Isolationsspannung Uisol, kV: 5,3 кВ
Strom ein/aus Iein/Iaus, mA: 60/50 мА
Ausgangsspannung Uausg, V: 70 В
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, µs: 3/23 µs
Kanalanzahl: 1
auf Bestellung 8 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.58 EUR
10+0.52 EUR
100+0.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBJ15A-E3/52
Produktcode: 105535
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description smbj5a-736634-datasheet.pdf
SMBJ15A-E3/52
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: SMB (DO-214AA)
Spitzenleistung, P, W: 600 W
Durchbruchspannung, Vbr: 17,6 В
Sperrspannung, Vrm: 15 В
Leckstrom, Irm: 1 µA
Diodenbauart: Unidirektional
Montage: SMD
SMBJ15A-E3/52
auf Bestellung 132 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 750 St.:
AnzahlPrivatkunde
1+0.24 EUR
10+0.19 EUR
100+0.17 EUR
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