Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRFB4110PBF
IRFB4110PBF

IRFB4110PBF

irfb4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615a9571e0b
Produktcode: 42666
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 180 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
JHGF: THT
auf Bestellung 592 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IRFB4110PBF nach Preis ab 1.05 EUR bis 3.91 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb4110-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb4110-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B713F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4110pbf.pdf?ci_sign=b56f43999b13464496cb594a44e3702eb31e478b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.79 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
1000+1.16 EUR
2000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B713F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4110pbf.pdf?ci_sign=b56f43999b13464496cb594a44e3702eb31e478b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.79 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb4110-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
79+1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb4110-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
78+1.87 EUR
97+1.44 EUR
100+1.35 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 78
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb4110-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
69+2.09 EUR
70+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb4110-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
226+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 226
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Hersteller : Infineon Technologies irfb4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615a9571e0b Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
auf Bestellung 10315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.59 EUR
50+1.83 EUR
100+1.75 EUR
500+1.72 EUR
1000+1.59 EUR
2000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFB4110_DataSheet_v01_01_EN-3363183.pdf MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.5mOhm 150nC Qg
auf Bestellung 7299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.91 EUR
10+3.84 EUR
25+2.01 EUR
100+1.83 EUR
1000+1.72 EUR
2000+1.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb4110-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10003 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Hersteller : INFINEON 3733817.pdf Description: INFINEON - IRFB4110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0045 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb4110-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

10 Ohm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 17834
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

rc_series_20150401_1.pdf
10 Ohm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 10 Ohm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
verfügbar: 4880 Stück
erwartet: 10000 Stück
10000 Stück - erwartet 28.08.2025
Anzahl Preis
10+0.42 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
47uF 35V EZV SMD sizeC 6.3x5.7 (EZV470M35RC)
Produktcode: 23420
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

EZV_070829.pdf
47uF 35V EZV SMD sizeC 6.3x5.7 (EZV470M35RC)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische SMD
Kapazität: 47uF
Nennspannung: 35V
Reihe: EZV-SMD niedriger Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: SMD size C
Макс.пульс.струм: 230mA
auf Bestellung 3526 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.12 EUR
10+0.1 EUR
100+0.066 EUR
1000+0.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NPBF
Produktcode: 32182
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

description irlr120npbf-datasheet.pdf
IRLR120NPBF
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 440/20
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
auf Bestellung 434 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
5,1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1364
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

rc_series_20150401_1.pdf
5,1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 5,1 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
verfügbar: 1200 Stück
erwartet: 10000 Stück
10000 Stück - erwartet 15.07.2025
Anzahl Preis
10+0.42 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
300 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 2199
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

300 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 300 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 29337 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.0042 EUR
100+0.0036 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH