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IRFB4110PBF

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Produktcode: 42666
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 180 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
JHGF: THT
auf Bestellung 333 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 11070 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
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IRFB4110PBF IRFB4110PBF Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.06 EUR
72+2.01 EUR
100+1.85 EUR
500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
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IRFB4110PBF IRFB4110PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4110pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 817 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+2.79 EUR
41+1.74 EUR
46+1.59 EUR
50+1.49 EUR
100+1.42 EUR
250+1.33 EUR
500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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IRFB4110PBF IRFB4110PBF Infineon Technologies irfb4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615a9571e0b Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
auf Bestellung 4382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+5.95 EUR
50+2.97 EUR
100+2.68 EUR
500+2.17 EUR
1000+2.01 EUR
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IRFB4110PBF IRFB4110PBF Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 11073 Stücke:
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25+6.06 EUR
50+2.91 EUR
100+2.53 EUR
500+1.97 EUR
1000+1.75 EUR
2000+1.56 EUR
5000+1.38 EUR
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IRFB4110PBF IRFB4110PBF INFINEON 3733817.pdf Description: INFINEON - IRFB4110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFB4110PBF infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf
IRFB4110PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4110PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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26+2.79 EUR
41+1.74 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
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3+5.95 EUR
50+2.97 EUR
100+2.68 EUR
500+2.17 EUR
1000+2.01 EUR
2000+1.87 EUR
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IRFB4110PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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25+6.06 EUR
50+2.91 EUR
100+2.53 EUR
500+1.97 EUR
1000+1.75 EUR
2000+1.56 EUR
5000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRFB4110PBF 3733817.pdf
IRFB4110PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Прокладка силиконовая TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13*18mm(0.3mm) )
Produktcode: 123772
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Прокладка силиконовая TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13*18mm(0.3mm) )
Isoliermaterialien
Gruppe: Прокладка теплопровідна
Beschreibung: Розміри: 13x18x0.3mm з отвором Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Größe: 13х18х0,3мм
Матеріал: Силікон
білий
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TL494CDR
Produktcode: 123303
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suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftl494
TL494CDR
Hersteller: TI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SOIC-16
Eigenschaften: Switching Controllers PWM Controller
Spannung, eing., V: 40 V
I-ausg., A: 0,2 A
Fosc, kHz: 300 kHz
Temperaturbereich: -40…+85°C
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 20 St.:
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CRG40T60AN3H
Produktcode: 189198
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P020210520320339868480.pdf
CRG40T60AN3H
Hersteller: CRMICRO
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-3P
Vces: 600 V
Vce: 1,9 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 280 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 46,8/147,7
auf Bestellung 258 St.:
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MER 100nF 100V J(+/-5%), P=10mm; 5,5x10x13mm (MER104J2AB-Hitano) (Folienkondensator)
Produktcode: 2897
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MER_070523.pdf
MER 100nF 100V J(+/-5%), P=10mm; 5,5x10x13mm (MER104J2AB-Hitano) (Folienkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 100nF
Nennspannung, V: 100VDC
Präzision: ±5% J
Abstand ausg. und Abmessungen: P=10mm, 5,5x10x13mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MER104J2AB
ZCODE: 8532 29 00 00
auf Bestellung 42 St.:
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erwartet 92 St.:
AnzahlPreis
1+0.12 EUR
10+0.1 EUR
100+0.056 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VCR-10D431K
Produktcode: 18262
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VCR-10D_081201.pdf
VCR-10D431K
Hersteller: Hitano
Passive Bauelemente > Varistoren
Arbeitsspannung AC/DC, V: 275/350
S.var., V: 430(387-473)
Max.Spannung und Aktiviwerungsstrom, V@A: 710@25
Imax.(8/20mcs): 2500
Leistung, Watt: 0,4
Kapazität, pF: 230
Größe: 10D
auf Bestellung 48 St.:
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1000+0.064 EUR
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