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IRFB4110PBF

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Produktcode: 42666
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 180 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 9620/150
Montage: THT
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IRFB4110PBF IRFB4110PBF Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4110PBF IRFB4110PBF Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17000 Stücke:
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IRFB4110PBF IRFB4110PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4110pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 340 Stücke:
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26+3.32 EUR
41+2.07 EUR
46+1.89 EUR
50+1.77 EUR
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Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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50+3.46 EUR
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IRFB4110PBF IRFB4110PBF Infineon Technologies irfb4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615a9571e0b Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
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IRFB4110PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
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Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
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Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
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Silikon-Pad TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm))
Produktcode: 123772
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Silikon-Pad TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm))
Isoliermaterialien
Gruppe: Wärmeleitpad
Beschreibung: Größen: 13x18x0.3mm mit Bohrung Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Größe: 13x18x0,3mm
Material: Silikon
Farbe: Weiß
auf Bestellung: 15 St.
  • 15 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TL494CDR
Produktcode: 123303
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suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftl494
TL494CDR
Hersteller: TI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SOIC-16
Funktion und Eigenschaften: Schaltcontroller, PWM-Controller
Eingangsspannung, V: 40 В
Ausgangsstrom Iout, A: 0,2 А
Frequenz Fosc, kHz: 300 кГц
Temperaturbereich: -40…+85°С
auf Bestellung: 421 St.
  • 421 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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100+0.38 EUR
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CRG40T60AN3H
Produktcode: 189198
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P020210520320339868480.pdf
CRG40T60AN3H
Hersteller: CRMICRO
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
Sättigungsspannung Vce, V: 1,9 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 80 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 А
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 280 Вт
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 46,8/147,7
erwartet: 400 St.
  • 400 St. - erwartet 20.09.2026
auf Bestellung: 221 St.
  • 221 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+2.55 EUR
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MER 100nF 100V J(+/-5%), P=10mm; 5,5x10x13mm (MER104J2AB-Hitano) (Folienkondensator)
Produktcode: 2897
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MER_070523.pdf
MER 100nF 100V J(+/-5%), P=10mm; 5,5x10x13mm (MER104J2AB-Hitano) (Folienkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 100 nF
Nennspannung, V: 100 VDC
Präzision: ±5% J
Anschlussraster und Abmessungen: 10 mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Gehäusegröße: 5,5x10x13 mm
Part Nummer: MER104J2AB
ZCODE: 8532 29 00 00
erwartet: 2000 St.
  • 2000 St. - erwartet
auf Bestellung: 22 St.
  • 22 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.15 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
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IR2103S
Produktcode: 22633
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description ir2103.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7b54b166f
IR2103S
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SO-8
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 0,13/0,27 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 680/150 ns
Bemerkung: Halbbrücke
Konfiguration: Halbbrücke
erwartet: 10 St.
  • 10 St. - erwartet
auf Bestellung: 152 St.
  • 152 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH