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IPP029N06NAKSA1

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPP029N06NAKSA1 IPP029N06NAKSA1 Hersteller : Infineon Technologies IPP029N06N_Rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a3043345a30bc013465bff03f62ec Description: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V
auf Bestellung 68 Stücke:
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50+2.42 EUR
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IPP029N06NAKSA1 IPP029N06NAKSA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0001299198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP029N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0027 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1083 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPP029N06NAKSA1 IPP029N06NAKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp029n06n_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP029N06NAKSA1 IPP029N06NAKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp029n06n_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP029N06NAKSA1 IPP029N06NAKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPP029N06N_DS_v02_06_EN-1731936.pdf MOSFETs N-Ch 60V 100A TO220-3
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Produktcode: 124979
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IRLB8743PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 78 A
Rds(on), Ohm: 3,2 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5110/36
JHGF: THT
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IRLB3813PBF
Produktcode: 113437
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IRLB3813PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 103 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Produktcode: 74249
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Hersteller: Infineon

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auf Bestellung 57 St.:
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Produktcode: 35403
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IRFZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
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