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IRFB7440PBF

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFB7440PBF IRFB7440PBF Infineon Technologies infineonirfb7440datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB7440PBF IRFB7440PBF Infineon Technologies infineonirfb7440datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB7440PBF IRFB7440PBF Infineon Technologies infineonirfb7440datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB7440PBF IRFB7440PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7440PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 208A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 208A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
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IRFB7440PBF IRFB7440PBF Infineon Technologies Infineon_IRFB7440_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 40V 120A 2.5 mOhm HEXFET 90nC 143W
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IRFB7440PBF IRFB7440PBF Infineon Technologies irfb7440pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535616bde41e5b Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V
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IRFB7440PBF IRFB7440PBF INFINEON INFN-S-A0012837592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB7440PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 29 Stücke:
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IRFB7440PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
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auf Bestellung 3000 Stücke:
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IRFB7440PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 208A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 208A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
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IRFB7440PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 40V 120A 2.5 mOhm HEXFET 90nC 143W
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IRFB7440PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V
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IRFB7440PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB7440PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
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CRG40T60AN3H
Produktcode: 189198
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P020210520320339868480.pdf
CRG40T60AN3H
Hersteller: CRMICRO
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-3P
Vces: 600 V
Vce: 1,9 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 280 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 46,8/147,7
auf Bestellung 258 St.:
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2P Автоматический переключатель источника питания 125A АВР
Produktcode: 188204
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2P Автоматический переключатель источника питания 125A АВР2P Автоматический переключатель источника питания 125A АВР
2P Автоматический переключатель источника питания 125A АВР2P Автоматический переключатель источника питания 125A АВР
Hersteller: TOMZN
Passive Bauelemente > Automatische Schalter, ATS, UZO
Однофазний автоматичний перемикач джерела живлення на рейку DIN 35mm. Струм 125А. Напруга живлення: 220-230VAC/50/60Hz. Час перемикання: 50mS. Підтримує автоматичний або ручний режим перемикання. Габарити: 105,5x75,5x104 mm.
АВР
125 A
auf Bestellung 199 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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