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IPP048N04NGXKSA1

IPP048N04NGXKSA1 Infineon Technologies

ipp048n04n_rev1.0.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IPP048N04NGXKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V.

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IPP048N04NGXKSA1 IPP048N04NGXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp048n04n_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP048N04NGXKSA1 IPP048N04NGXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPP048N04N_DS_v01_00_en-1731924.pdf MOSFET N-Ch 40V 70A TO220-3 OptiMOS 3
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
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