Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IPP052N06L3GXKSA1

IPP052N06L3GXKSA1

Infineon-IPP_B052N06L3-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a32d97c125b6
Produktcode: 202355
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IPP052N06L3GXKSA1 nach Preis ab 1.03 EUR bis 2.31 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp_b052n06l3_rev2.41.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
74+1.96 EUR
100+1.6 EUR
500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPP052N06L3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Power dissipation: 115W
Drain current: 80A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.25 EUR
35+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp_b052n06l3_rev2.41.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
63+2.31 EUR
75+1.88 EUR
100+1.54 EUR
500+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 Hersteller : INFINEON INFNS16474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP052N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp_b052n06l3_rev2.41.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp_b052n06l3_rev2.41.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPP_B052N06L3-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a32d97c125b6 Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPP_B052N06L3_DS_v02_04_en-1731963.pdf MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

IRFB7440PBF
Produktcode: 150169
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irfb7440pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535616bde41e5b
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8743PBF
Produktcode: 124979
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irlb8743pbf.pdf
IRLB8743PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 78 A
Rds(on), Ohm: 3,2 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5110/36
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF
Produktcode: 113437
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irlb3813pbf-datasheet.pdf
IRLB3813PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 103 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR4427PBF
Produktcode: 74249
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description ir4426-1227178.pdf
IR4427PBF
Hersteller: Infineon

DIP-8
Gate Drivers Dual Lw Sd Drvr
auf Bestellung 57 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403
7 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
infineon-irfz44n-datasheet-en.pdf
IRFZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
verfügbar: 1607 St.
25 St. - stock Köln
1582 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.32 EUR
10+0.28 EUR
100+0.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH