Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IPP052N06L3GXKSA1

IPP052N06L3GXKSA1

Infineon-IPP_B052N06L3-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a32d97c125b6
Produktcode: 202355
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IPP052N06L3GXKSA1 nach Preis ab 2.04 EUR bis 2.25 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP052N06L3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Power dissipation: 115W
Drain current: 80A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.25 EUR
35+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 INFINEON INFNS16474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP052N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3G-DTE.pdf
IPP052N06L3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Power dissipation: 115W
Drain current: 80A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
32+2.25 EUR
35+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052N06L3GXKSA1 INFNS16474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP052N06L3GXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP052N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH