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IPP052N06L3GXKSA1

Infineon-IPP_B052N06L3-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a32d97c125b6
Produktcode: 202355
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 Infineon Technologies ipp_b052n06l3_rev2.41.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.39 EUR
100+2 EUR
500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 Infineon Technologies ipp_b052n06l3_rev2.41.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.81 EUR
75+2.28 EUR
100+1.87 EUR
500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 INFINEON INFNS16474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP052N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.5 EUR
71+3.27 EUR
104+2.06 EUR
500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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IPP052N06L3GXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
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IPP052N06L3GXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP052N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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AnzahlPrivatkunde
46+5.5 EUR
71+3.27 EUR
104+2.06 EUR
500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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