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IPP110N20N3GXKSA1

IPP_I_110N20N3+G_IPB107N20N3+G+Rev2.2_pdf.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124968e7d1f18e7
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1015 Stücke:
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26+5.8 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP110N20N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 8 Stücke:
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8+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP_I_110N20N3G_IPB107N20N3G_DS_v02_03_en.pdf MOSFETs N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 1013 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.98 EUR
10+5.88 EUR
100+4.33 EUR
500+3.84 EUR
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IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP_I_110N20N3+G_IPB107N20N3+G+Rev2.2_pdf.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124968e7d1f18e7 Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
auf Bestellung 13178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.2 EUR
50+4.77 EUR
100+4.34 EUR
500+3.59 EUR
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IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 INFINEON INFNS17046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP110N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.011 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
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IPP110N20N3GXKSA1 ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf
IPP110N20N3GXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3G-DTE.pdf
IPP110N20N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IPP110N20N3GXKSA1 Infineon_IPP_I_110N20N3G_IPB107N20N3G_DS_v02_03_en.pdf
IPP110N20N3GXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
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IPP110N20N3GXKSA1 IPP_I_110N20N3+G_IPB107N20N3+G+Rev2.2_pdf.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124968e7d1f18e7
IPP110N20N3GXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
auf Bestellung 13178 Stücke:
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50+4.77 EUR
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5000+2.93 EUR
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IPP110N20N3GXKSA1 INFNS17046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP110N20N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP110N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.011 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
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Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: TO-220-2
Vrr, V: 600
Iav, A: 15
Trr, ns: 22
verfügbar: 12 St.
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    10+0.98 EUR
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    Hersteller: FAIR
    Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
    Gehäuse: TO-247
    Vces: 600
    Vce: 1,9
    Ic 25: 120
    Ic 100: 60
    Pd 25: 300
    td(on)/td(off) 100-150 Grad: 18/115
    verfügbar: 98 St.
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    • 97 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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    1+3 EUR
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    Produktcode: 63296
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    Hersteller: FAIR
    Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
    Gehäuse: TO-247
    Vces: 600
    Vce: 2,1
    Ic 25: 80
    Ic 100: 40
    Pd 25: 349
    td(on)/td(off) 100-150 Grad: 01.12.1992
    auf Bestellung 57 St.:
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    Вентилятор 80x80x25, 12V, (EF80251S1-G99-A)
    Produktcode: 144659
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    Вентилятор 80x80x25, 12V, (EF80251S1-G99-A)
    Hersteller: Sunon
    Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Lüfter und Zubehör
    Abmessungen, mm: 80x80x25 mm
    Spannung, V: 12 DC
    Luftvolumen, m3/Stunde: 69,29 м³/год.
    Leistung, Watt: 1,66 Вт
    Lärm, dB: 33 дБ
    Rotationsgeschwindigkeit, r/min: 3200 об/хв
    Beschreibung: Підшипник ковзання "втулка"
    Produkt ist nicht verfügbar
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    IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
    Produktcode: 25094
    16 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		description
    IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
    Hersteller: IR
    Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-220
    Uds,V: 55
    Idd,A: 75
    Rds(on), Ohm: 0.0065
    Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
    JHGF: THT
    auf Bestellung 1305 St.:
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