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IPP110N20N3GXKSA1

IPP_I_110N20N3+G_IPB107N20N3+G+Rev2.2_pdf.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124968e7d1f18e7
Produktcode: 144237
Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

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IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies IPP_I_110N20N3+G_IPB107N20N3+G+Rev2.2_pdf.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124968e7d1f18e7 Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
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IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPP_I_110N20N3G_IPB107N20N3G_DS_v02_03_en.pdf MOSFETs N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
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IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPP110N20N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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50+3.15 EUR
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IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPP110N20N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
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IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Hersteller : INFINEON INFNS17046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP110N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.011 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Вентилятор 80x80x25, 12V, (EF80251S1-G99-A)
Produktcode: 144659
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ef80251s1-1000u-g99.pdf
Вентилятор 80x80x25, 12V, (EF80251S1-G99-A)
Hersteller: Sunon
Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Lüfter und Zubehör
Abmessungen, mm: 80x80x25 mm
Spannung, V: 12 DC
Luftvolumen, m3/Stunde: 69,29 м³/год.
Leistung, Watt: 1,66 Вт
Lärm, dB: 33 дБ
Rotationsgeschwindigkeit, r/min: 3200 об/хв
Beschreibung: Підшипник ковзання "втулка"
auf Bestellung 181 Stück:
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FGH40N60SMD
Produktcode: 63296
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fgh40n60smd-d.pdf
FGH40N60SMD
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 2,1
Ic 25: 80
Ic 100: 40
Pd 25: 349
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 01.12.1992
auf Bestellung 77 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.8 EUR
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FGH60N60SMD
Produktcode: 60291
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FGH60N60SMDcvd.pdf
FGH60N60SMD
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,9
Ic 25: 120
Ic 100: 60
Pd 25: 300
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 18/115
verfügbar: 4 Stück
1 Stück - stock Köln
3 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 6 Stück
Anzahl Preis
1+3 EUR
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VS-15ETH06PBF
Produktcode: 37108
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VS-15ETH06PbF_FPPbF_VS-15ETH06-NE_FP-N3.pdf
VS-15ETH06PBF
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: TO-220-2
Vrr, V: 600
Iav, A: 15
Trr, ns: 22
verfügbar: 14 Stück
12 Stück - stock Köln
2 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 7 Stück
7 Stück - erwartet 06.03.2026
Anzahl Preis
1+1.08 EUR
10+0.98 EUR
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