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IPP110N20N3GXKSA1

IPP_I_110N20N3+G_IPB107N20N3+G+Rev2.2_pdf.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124968e7d1f18e7
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP_I_110N20N3+G_IPB107N20N3+G+Rev2.2_pdf.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124968e7d1f18e7 Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
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50+5.19 EUR
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500+3.92 EUR
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2000+3.44 EUR
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IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP_I_110N20N3G_IPB107N20N3G_DS_v02_03_en.pdf MOSFETs N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
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IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 INFINEON INFNS17046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP110N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.011 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
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IPP110N20N3GXKSA1 ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf
IPP110N20N3GXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TO220-3
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
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IPP110N20N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP110N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.011 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: TO-220-2
Sperrspannung Vrr, V: 600 V
Mittlerer Strom Iav, A: 15 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 22 ns
Montage: THT
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
erwartet: 200 St.
  • 200 St. - erwartet 25.07.2026
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Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,9 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 120 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 300 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 18/115
verfügbar: 1 St.
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erwartet: 10 St.
  • 10 St. - erwartet
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  • 57 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FGH40N60SMD
Produktcode: 63296
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FGH40N60SMD
Hersteller: FAIR/ON
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,1 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 80 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 349 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 12/92
auf Bestellung: 53 St.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Lüfter 80x80x25, 12V, (EF80251S1-G99-A)
Produktcode: 144659
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Lüfter 80x80x25, 12V, (EF80251S1-G99-A)
Hersteller: Sunon
Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Lüfter und Zubehör
Abmessungen, mm: 80x80x25 мм
Spannung, V: 12 DC
Luftvolumen, m³/h: 69,29 m³/h
Leistung, W: 1,66 W
Lärm, dB: 33 dB
Drehzahl, rpm: 3200 rpm
Beschreibung: Gleitlager "Buchse"
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10+5.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF
Produktcode: 32844
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IRF9530NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 500/25
Montage: THT
verfügbar: 14 St.
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auf Bestellung: 374 St.
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10+0.77 EUR
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