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IR2101SPBF

IR2101SPBF

IRSDS17613-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Produktcode: 92069
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Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 130/270 mA
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 160/150 ns
Betriebstemperatur, °C: -55…+150 °C
Konfiguration: Halbbrücke
auf Bestellung 151 St.:
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Technische Details IR2101SPBF IR

  • DRIVER, MOSFET HIGH/LOW, 2101, SOIC8
  • Driver IC Type:High and Low Side
  • No. of Outputs:2
  • Output Voltage:620V
  • Output Current:210mA
  • Power Dissipation Pd:0.625W
  • Min Supply Voltage:10V
  • Case Style:SOIC
  • No. of Pins:8
  • Operating Temperature Range:-40`C to +125`C
  • Base Number:2101
  • IC Generic Number:2101
  • Logic Function Number:2101
  • Max Operating Temperature:125`C
  • Max Output Voltage:20V
  • Max Supply Voltage:20V
  • Min Output Voltage:10V
  • Min Temperature Operating:-40`C
  • Offset Voltage:600V
  • Termination Type:SMD
  • Driver IC Case Style:SOIC
  • Min Output Sink Current:270mA
  • Min Output Source Current:130mA
  • Turn Off Time, t Off:150ns
  • Turn On Time, t On:160ns

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IR2101SPBF IR2101SPBF Infineon Technologies ir2101.pdf description Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
auf Bestellung 121431 Stücke:
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IR2101SPBF IR2101SPBF Infineon Technologies ir2101.pdf description Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
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190+2.02 EUR
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285+1.89 EUR
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IR2101SPBF IR2101SPBF Infineon Technologies IRSDS17613-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
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5+5.07 EUR
10+3.76 EUR
95+3.08 EUR
190+2.94 EUR
285+2.88 EUR
570+2.77 EUR
1045+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IR2101SPBF International Rectifier/Infineon IR2101_IRF.pdf description Драйвер MOSFET, Uживл, В = 10...20, Тип вх. сигн. = неінвертуючий, Io = 210 мА, Dt = 160 нс, Umax, B = 600, Конфіг = 1 конфігурація з верхнім і нижнім ключами, 2 виходи, Тексп, °С = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
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IR2101S/PBF IR
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IR2101SPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
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IR2101SPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
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Драйвер MOSFET, Uживл, В = 10...20, Тип вх. сигн. = неінвертуючий, Io = 210 мА, Dt = 160 нс, Umax, B = 600, Конфіг = 1 конфігурація з верхнім і нижнім ключами, 2 виходи, Тексп, °С = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
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IRF540NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
Montage: THT
verfügbar: 1552 St.
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74HC595D
Produktcode: 16501
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74hc_hct595.pdf
74HC595D
IC > IC Logik
Gehäuse: SO-16
Beschreibung: Schieberegister mit seriellem Eingang und parallelem Ausgang
Montage: SMD (Oberflächenmontage)
Versorgung, V: -0,5...7 V
Temperatur, °C: -40...+85°C
Logikgatter-Typ: Schieberegister
verfügbar: 1428 St.
  • 50 St. - stock Köln
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TL494CN
Produktcode: 36468
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suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftl494 TL494-D.pdf
TL494CN
Hersteller: TI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-16
Funktion und Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung eing., V: 7...40 V
I-ausg., A: 200 mA
Fosc, kHz: 300 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 352 St.
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1+0.35 EUR
10+0.31 EUR
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4,7 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC03K4471FT-KOME) (Widerstand SMD)
Produktcode: 39597
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RC0603HIT.pdf
4,7 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC03K4471FT-KOME) (Widerstand SMD)
Hersteller: KOME
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Nennwert: 4,7 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,1 W
U Betrieb, V: 50 V
Bauform: 0603
verfügbar: 5000 St.
    AnzahlPrivatkunde
    10+0.0033 EUR
    100+0.0015 EUR
    1000+0.0008 EUR
    Mindestbestellmenge: 10 St.
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    CDRH74NP-101MC (100uH, ±20%, Idc=0.6A, Rdc max/typ=0.61/0.47 Ohm, SMD: 7.5x7.5mm, h=4.5mm) Sumida (Leistungsdrossel)
    Produktcode: 41299
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    		CDRH74.pdf
    CDRH74NP-101MC (100uH, ±20%, Idc=0.6A, Rdc max/typ=0.61/0.47 Ohm, SMD: 7.5x7.5mm, h=4.5mm) Sumida (Leistungsdrossel)
    Hersteller: Sumida
    Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
    Nennwert: 100 µH
    Genauigkeit: ±20%
    Beschreibung und Eigenschaften: Leistungsdrossel, drahtgewickelt im gepanzerten Ferritkern, 100uH, ±20%, Idc=0.6A, Rdc max/typ=0.61/0.47 Ohm, SMD: 7.5x7.5mm, h=4.5mm
    Typ: CDRH74
    Abmessungen: 7,5x7,5 mm, h=4,5 mm
    Betriebsstrom, A: 0,6 A
    Warennummer: 8504 50 20 90
    verfügbar: 510 St.
    • 12 St. - stock Köln
    • 498 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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    10+0.5 EUR
    100+0.39 EUR
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