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IR2101SPBF

IR2101SPBF

IRSDS17613-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Produktcode: 92069
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 130/270 mA
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 160/150 ns
Роб.темп.,°С: -55…+150°C
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Technische Details IR2101SPBF IR

  • DRIVER, MOSFET HIGH/LOW, 2101, SOIC8
  • Driver IC Type:High and Low Side
  • No. of Outputs:2
  • Output Voltage:620V
  • Output Current:210mA
  • Power Dissipation Pd:0.625W
  • Min Supply Voltage:10V
  • Case Style:SOIC
  • No. of Pins:8
  • Operating Temperature Range:-40`C to +125`C
  • Base Number:2101
  • IC Generic Number:2101
  • Logic Function Number:2101
  • Max Operating Temperature:125`C
  • Max Output Voltage:20V
  • Max Supply Voltage:20V
  • Min Output Voltage:10V
  • Min Temperature Operating:-40`C
  • Offset Voltage:600V
  • Termination Type:SMD
  • Driver IC Case Style:SOIC
  • Min Output Sink Current:270mA
  • Min Output Source Current:130mA
  • Turn Off Time, t Off:150ns
  • Turn On Time, t On:160ns

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IR2101SPBF IR2101SPBF Hersteller : Infineon Technologies ir2101.pdf Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
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IR2101SPBF IR2101SPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-ir2101-DS-v01_00-EN.pdf Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 50ns
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IR2101SPBF IR2101SPBF Hersteller : Infineon Technologies IRSDS17613-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
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IR2101SPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon IRSDS17613-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Драйвер MOSFET; Uживл, В = 10...20; Тип вх. сигн. = неінвертуючий; Io = 210 мА; Dt = 160 нс; Umax, B = 600; Конфіг = 1 конфігурація з верхнім і нижнім ключами; 2 виходи; Тексп, °С = -40...+125; SOICN-8
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IR2101S/PBF Hersteller : IR
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IR2101SPBF IR2101SPBF Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS IRSDS17613-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IR2101SPBF - IR2101S - GATE DRIVER
tariffCode: 85423190
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Transistoren > MOSFET N-CH
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JHGF: SMD
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LM358DT
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LM358DT
+1
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0.1uf 50V 1206 X7R 10% CL31B104KBCNNNC Samsung
Produktcode: 48855
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cl_series_mlcc_datasheet.pdf
0.1uf 50V 1206 X7R 10% CL31B104KBCNNNC Samsung
Hersteller: Samsung
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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