
IRF1018EPBF

Produktcode: 98648
Hersteller: IRUds,V: 60 V
Idd,A: 79 A
Rds(on), Ohm: 7,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2290/46
JHGF: THT
auf Bestellung 28 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details IRF1018EPBF IR
- MOSFET, N, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:60V
- Cont Current Id:79A
- On State Resistance:7.1mohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:TO-220
- Termination Type:Through Hole
- Power Dissipation:110W
- Pulse Current Idm:315A
- Transistor Case Style:TO-220
Weitere Produktangebote IRF1018EPBF nach Preis ab 0.50 EUR bis 2.55 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IRF1018EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1018EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1902 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1018EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1018EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 49500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1018EPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 79A Power dissipation: 110W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.4mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate charge: 46nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1315 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF1018EPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 79A Power dissipation: 110W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.4mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate charge: 46nC |
auf Bestellung 1315 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1018EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 598 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1018EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 5586 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1018EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1018EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1018EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1018EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4280 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1018EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V |
auf Bestellung 2440 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1018EPBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1018EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1018EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRF840PBF Produktcode: 182602
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Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: THT
auf Bestellung 440 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSS138LT1G Produktcode: 28421
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: ON
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50
Idd,A: 0.200
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40/
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50
Idd,A: 0.200
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40/
JHGF: SMD
verfügbar: 170 Stück
Anzahl | Preis |
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1+ | 0.06 EUR |
10+ | 0.05 EUR |
100+ | 0.04 EUR |
1000+ | 0.03 EUR |
R16 50 kOhm linear Stereo (KLS4-WH148-1B -4F-18T-B503-L15) Produktcode: 26731
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Hersteller: CTR
Widerstand > Widerstande wechselnd (Potentiometer)
Nennwert: 50 kOhm
Beschreibung: Kohlenstoff- Potentiometer linear, Stereo
Typ: verdrehbar
Abmessungen: D=17 мм
Потужність: 0,125 W
Шток: 15 mm
Характеристика: Лінійний
Widerstand > Widerstande wechselnd (Potentiometer)
Nennwert: 50 kOhm
Beschreibung: Kohlenstoff- Potentiometer linear, Stereo
Typ: verdrehbar
Abmessungen: D=17 мм
Потужність: 0,125 W
Шток: 15 mm
Характеристика: Лінійний
auf Bestellung 761 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 0.72 EUR |
100+ | 0.54 EUR |
BZX84-C16 Produktcode: 25370
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOT-23
Ustab.,V: 16
Istab.direkt,A: 0,03
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 12.4mV/K
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOT-23
Ustab.,V: 16
Istab.direkt,A: 0,03
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 12.4mV/K
auf Bestellung 168 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 0.04 EUR |
10+ | 0.03 EUR |
100+ | 0.03 EUR |
IRL3705NPBF Produktcode: 24017
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-262
Uds,V: 55
Idd,A: 89
Rds(on), Ohm: 01.01.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 3600/98
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-262
Uds,V: 55
Idd,A: 89
Rds(on), Ohm: 01.01.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 3600/98
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
verfügbar: 468 Stück
6 Stück - stock Köln
462 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
462 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis |
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1+ | 0.84 EUR |