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IRF1018EPBF

IRF1018EPBF

irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891
Produktcode: 98648
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 79 A
Rds(on), Ohm: 7,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2290/46
JHGF: THT
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Technische Details IRF1018EPBF IR

  • MOSFET, N, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:60V
  • Cont Current Id:79A
  • On State Resistance:7.1mohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220
  • Termination Type:Through Hole
  • Power Dissipation:110W
  • Pulse Current Idm:315A
  • Transistor Case Style:TO-220

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IRF1018EPBF IRF1018EPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf1018edatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1018EPBF IRF1018EPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A72F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1018epbf.pdf?ci_sign=9421567cb65140505372d9bbe28ae392c50f1431 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 8.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
41+1.77 EUR
60+1.2 EUR
66+1.1 EUR
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Mindestbestellmenge: 41
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 8.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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IRF1018EPBF IRF1018EPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF1018E_DataSheet_v01_01_EN-3362996.pdf MOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
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IRF1018EPBF IRF1018EPBF Hersteller : Infineon Technologies irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 Description: MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
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13+1.45 EUR
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IRF1018EPBF IRF1018EPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1018EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRF1018EPBF IRF1018EPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1018EPBF Hersteller : International Rectifier HiRel Products irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF840PBF
Produktcode: 182602
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irf840pbf-datasheet.pdf
IRF840PBF
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: THT
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BSS138LT1G
Produktcode: 28421
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BSS138LT1G
Hersteller: ON
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50
Idd,A: 0.200
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40/
JHGF: SMD
verfügbar: 170 Stück
Anzahl Preis
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10+0.052 EUR
100+0.039 EUR
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R16 50 kOhm linear Stereo (KLS4-WH148-1B -4F-18T-B503-L15)
Produktcode: 26731
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20130416150848kls4-wh148.pdf
R16 50 kOhm linear Stereo (KLS4-WH148-1B -4F-18T-B503-L15)
Hersteller: CTR
Widerstand > Widerstande wechselnd (Potentiometer)
Nennwert: 50 kOhm
Beschreibung: Kohlenstoff- Potentiometer linear, Stereo
Typ: verdrehbar
Abmessungen: D=17 мм
Потужність: 0,125 W
Шток: 15 mm
Характеристика: Лінійний
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BZX84-C16
Produktcode: 25370
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BZX84.pdf
BZX84-C16
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOT-23
Ustab.,V: 16
Istab.direkt,A: 0,03
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 12.4mV/K
auf Bestellung 85 Stück:
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10+0.03 EUR
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IRL3705NPBF
Produktcode: 24017
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description irl3705n-datasheet.pdf
IRL3705NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-262
Uds,V: 55
Idd,A: 89
Rds(on), Ohm: 01.01.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 3600/98
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
verfügbar: 412 Stück
6 Stück - stock Köln
406 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.84 EUR
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