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IRF1018EPBF

IRF1018EPBF

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Produktcode: 98648
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 79 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 7,1 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2290/46
Montage: THT
auf Bestellung 196 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details IRF1018EPBF IR

  • MOSFET, N, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:60V
  • Cont Current Id:79A
  • On State Resistance:7.1mohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220
  • Termination Type:Through Hole
  • Power Dissipation:110W
  • Pulse Current Idm:315A
  • Transistor Case Style:TO-220

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF1018EPBF IRF1018EPBF Infineon Technologies infineonirf1018edatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1018EPBF IRF1018EPBF Infineon Technologies infineonirf1018edatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1018EPBF IRF1018EPBF Infineon Technologies infineonirf1018edatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1018EPBF IRF1018EPBF Infineon Technologies infineonirf1018edatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1018EPBF IRF1018EPBF Infineon Technologies infineonirf1018edatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1018EPBF IRF1018EPBF Infineon Technologies infineonirf1018edatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1018EPBF IRF1018EPBF Infineon Technologies infineonirf1018edatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1018EPBF IRF1018EPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1018epbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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40+2.13 EUR
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IRF1018EPBF IRF1018EPBF Infineon Technologies infineonirf1018edatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1018EPBF IRF1018EPBF Infineon Technologies infineonirf1018edatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1018EPBF IRF1018EPBF Infineon Technologies irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 description Description: MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
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IRF1018EPBF IRF1018EPBF INFINEON INFN-S-A0012838849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF1018EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 7100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
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IRF1018EPBF International Rectifier HiRel Products irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 description Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1018EPBF description infineonirf1018edatasheetv0101en.pdf
IRF1018EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1018EPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1018EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1018EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
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IRF1018EPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1018EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 7100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
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IRF1018EPBF description irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
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SG3525ANG
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Half-Bridge, Push-Pull 2 Output
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DS3231SN
Produktcode: 41624
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description
DS3231SN
Hersteller: Maxim
IC > IC Timer
Gehäuse: SOIC-16
Beschreibung: Echtzeituhr/Kalender; 2.3...5.5V; Schnittstelle I2C
Temperaturbereich: -40...+85°C
verfügbar: 18 St.
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WAZELINA-35 (art.AGT-069)
Produktcode: 32935
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WAZELINA-35 (art.AGT-069)
Hersteller: AG TermoPasty
Chemie > Schmierstoffe
Beschreibung: Technische Vaseline, Metallverpackung 35g
Verwendungszweck: Das Produkt dient zum Schutz elektrischer Kontakte und zur Schmierung von Lagern
Verpackung: 35g
Schmierstoff
verfügbar: 44 St.
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IRF1404ZPBF
Produktcode: 26520
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IRF1404ZPBF.pdf
IRF1404ZPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 75 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0037 Ohm
Montage: THT
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IRF540NPBF
Produktcode: 3289
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IRF540NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
Montage: THT
verfügbar: 1552 St.
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