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IRF1018EPBF

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irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891
Produktcode: 98648
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 79 A
Rds(on), Ohm: 7,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2290/46
JHGF: THT
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Technische Details IRF1018EPBF IR

  • MOSFET, N, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:60V
  • Cont Current Id:79A
  • On State Resistance:7.1mohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220
  • Termination Type:Through Hole
  • Power Dissipation:110W
  • Pulse Current Idm:315A
  • Transistor Case Style:TO-220

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF1018EPBF IRF1018EPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf1018edatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1018EPBF IRF1018EPBF Hersteller : Infineon Technologies irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 Description: MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
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IRF1018EPBF IRF1018EPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRF1018E-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
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IRF1018EPBF IRF1018EPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf1018epbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Mindestbestellmenge: 22
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IRF1018EPBF IRF1018EPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1018EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 7100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRF1018EPBF Hersteller : International Rectifier HiRel Products irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1018EPBF IRF1018EPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf1018edatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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description
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Hersteller: AG Chemia
Chemie > Schmierstoffe
Опис: Vaseline technisch, metall. Verpackung 35g.
Призначення: für Schmierung
Упаковка: 35g.
Мастильний матеріал
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