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IRF3703PBF

IRF3703PBF

IRSDS10432-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Produktcode: 33794
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 210 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 8250/209
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF3703PBF IRF3703PBF Infineon Technologies infineonirf3703datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3703PBF IRF3703PBF International Rectifier IRSDS10432-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF3703 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
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IRF3703PBF IRF3703PBF Infineon Technologies Infineon_IRF3703_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC
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IRF3703PBF IRF3703PBF INFINEON INFN-S-A0012732056-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3703PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 210 A, 2800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRF3703PBF International Rectifier HiRel Products IRSDS10432-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3703PBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IRF3703 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
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IRF3703PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3703PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 210 A, 2800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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LACK PVB 60 (PVB60-50ML)
Produktcode: 110161
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LACK PVB 60 (PVB60-50ML)LACK PVB 60 (PVB60-50ML)
LACK PVB 60 (PVB60-50ML)LACK PVB 60 (PVB60-50ML)
Hersteller: AG TermoPasty
Chemie > Schutzbeschichtungen
Beschreibung: Universallack für Leiterplatten. Isoliert und schützt weit verbreitete Elektronik, Kabel und Drähte, Hochspannungstransformatoren, Wicklungen von Elektromotoren; In der Automobilindustrie zur Vermeidung von Kurzschlüssen; Kunststoffdichtungen von Stecker- und Steckdosengehäusen; In der Energietechnik und Elektromechanik zur Bildung einer Schutzschicht.
Verwendungszweck: Leiterplatten, Kabel und Leitungen, Hochspannungstransformatoren, Wicklungen von Elektromotoren
Verpackung: 50 ml
verfügbar: 4 St.
    erwartet: 1000 St.
    • 1000 St. - erwartet 15.07.2026
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    Nichrom-Draht 32 AWG (d = 0,20mm²) 30 feet Cr20Ni80
    Produktcode: 109776
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    Nichrom-Draht 32 AWG (d = 0,20mm²) 30 feet Cr20Ni80
    Kabel, Draht, Flachbandkabel, Netzkabel > Litze
    Gruppe: Nichromdraht
    Aderzahl: 1
    Adermaterial: 60% Nickel, 16% Chrom, 24% Eisen
    Isolierung (Material): ohne Isolierung
    Beschreibung: Nichromdraht (60% Nickel, 16% Chrom, 24% Eisen), maximale Betriebstemperatur: 1150 ° C, Widerstand: 10.55 Ом
    auf Bestellung 8 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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    TP4A-EE20/10/6-G025
    Produktcode: 47131
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    TP4A-EE20/10/6-G025
    Hersteller: TDG
    Transformatoren, Netzfilter, Drosseln > Kerne, Rahmen, Klammern
    Gruppe: Kern
    Serie: EE/EF
    Typ: E-förmig
    Baugröße: E20/10/6
    Beschreibung: Kern EE20/10/6 (EF20) Ui = 2400 AL ca. 171nH, Luftspalt: g = 0,25mm)
    Material: P4
    Permeabilität, µi: 2200 µi
    auf Bestellung 100 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.35 EUR
    10+0.27 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    BH-EF20-1-8R (PHL)
    Produktcode: 47060
    2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    BH-EF20-1-8R (PHL)BH-EF20-1-8R (PHL)
    BH-EF20-1-8R (PHL)BH-EF20-1-8R (PHL)
    Hersteller: Cosmo Ferrites
    Transformatoren, Netzfilter, Drosseln > Kerne, Rahmen, Klammern
    Gruppe: Spulenkörper
    Serie: EE/EF
    Typ: E-förmig
    Baugröße: 20/10/6
    Beschreibung: Spulenkörper EE20/10/6 (EF20) horiz. 1 Kammer 8 Pins [Phenolic]
    Material: Kunststoff
    auf Bestellung 90 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.35 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF1404PBF
    Produktcode: 31360
    1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		irf1404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dae92618b0
    IRF1404PBF
    Hersteller: IR
    Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-220
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
    Drain-Strom Idd, A: 202 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7360/160
    Montage: THT
    auf Bestellung 807 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    erwartet 3 St.:
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH