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IRF3703PBF

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IRSDS10432-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Produktcode: 33794
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 30
Idd,A: 210
Rds(on), Ohm: 0.0028
Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209
JHGF: THT
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IRF3703PBF IRF3703PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf3703datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3703PBF IRF3703PBF Hersteller : International Rectifier IRSDS10432-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF3703 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
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IRF3703PBF IRF3703PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF3703_DataSheet_v01_01_EN-3362904.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC
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IRF3703PBF IRF3703PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012732056-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3703PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 210 A, 2800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRF3703PBF Hersteller : International Rectifier HiRel Products IRSDS10432-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3703PBF Hersteller : International Rectifier irf3703pbf.pdf TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Schutz- und Isolierlack PVB60 Flasche 50ml Universal-Lack für Leiterplatten u.ä.
Produktcode: 110161
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description
Schutz- und Isolierlack PVB60 Flasche 50ml Universal-Lack für Leiterplatten u.ä.
+1
Hersteller: AG Termopasty
Chemie > Schutzbeschichtungen
Опис: Універсальний лак для друкованих плат. Ізолює і оберігає широко вживану електроніку, кабелі та дроти, трансформатори високої напруги, обмотки електричних двигунів; В автомобільній промисловості, щоб уникнути короткого замикання; Пластикові ущільнення корпусів вилок і розеток; В енергетиці та електромеханіці для створення захисного шару.
Призначення: Друковані плати, кабелі та проводи, трансформатори високої напруги, витки електричних двигунів
Упаковка: 50мл
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843 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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Нихромовая проволка 32 AWG (d=0.2мм) 30метров
Produktcode: 109776
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Нихромовая проволка 32 AWG (d=0.2мм) 30метров
Kabel, Draht, Flachbandkabel, Netzkabel > Litze
Група: Ніхромовий провід
К-сть жил: 1
Матеріал жил: 60% нікелю, 16% хрому, 24% заліза
Ізоляція (матеріал): без ізоляції
Опис: Ніхромовий провід (60% нікелю, 16% хрому, 24% заліза), максимальна робоча температура: 1150 ° C, опір: 10,55 Ом
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TP4A-EE20/10/6-G025
Produktcode: 47131
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TP4A-EE20/10/6-G025
Hersteller: China
Transformatoren, Netzfilter, Drosseln > Kerne, Rahmen, Klammern
Gruppe: Kern
Serie: EE/EF
Typ: kammförmig
Größe, Typ: E20/10/6
Beschreibung: Kern EE20/10/6(EF20) Ui=2400 AL~171nH (g=0,25mm)
Material: P4
Durchlässigkeit, µi: Ui=2200
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10+0.23 EUR
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BH-EF20-1-8R (PHL)
Produktcode: 47060
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BH-EF20-1-8R (PHL)
+1
Hersteller: China
Transformatoren, Netzfilter, Drosseln > Kerne, Rahmen, Klammern
Gruppe: Karkassen
Serie: EE/EF
Typ: kammförmig
Größe, Typ: 20/10/6
Beschreibung: Karkasse EE20/10/6(EF20) horizontal 1 Sektion 8 Ausführ. [Phenolic]
Material: Kunststoff
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IRF1404PBF
Produktcode: 31360
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irf1404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dae92618b0
IRF1404PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40
Idd,A: 162
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
JHGF: THT
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