
IRF3703PBF

Produktcode: 33794
Hersteller: IRGehäuse: TO-220
Uds,V: 30
Idd,A: 210
Rds(on), Ohm: 0.0028
Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209
JHGF: THT
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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1+ | 3.92 EUR |
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IRF3703PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 3321 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3703PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 3321 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3703PBF | Hersteller : International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 76A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V |
auf Bestellung 7812 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3703PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 982 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3703PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 12996 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3703PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3703PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 463 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3703PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 937 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3703PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3703PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 210A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF3703PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 210A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3703PBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2452 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3703PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |