 
IRF3703PBF Infineon Technologies
auf Bestellung 3121 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis | 
|---|---|
| 82+ | 1.78 EUR | 
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRF3703PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF3703PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 210 A, 2800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025). 
Weitere Produktangebote IRF3703PBF nach Preis ab 1.78 EUR bis 71.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | IRF3703PBF | Hersteller : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 3121 Stücke:Lieferzeit 14-21 Tag (e) | 
 | ||||||||||
|   | IRF3703PBF | Hersteller : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1460 Stücke:Lieferzeit 14-21 Tag (e) | 
 | ||||||||||
|   | IRF3703PBF | Hersteller : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 463 Stücke:Lieferzeit 14-21 Tag (e) | 
 | ||||||||||
|   | IRF3703PBF | Hersteller : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 12996 Stücke:Lieferzeit 14-21 Tag (e) | 
 | ||||||||||
|   | IRF3703PBF | Hersteller : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 3450 Stücke:Lieferzeit 14-21 Tag (e) | 
 | ||||||||||
|   | IRF3703PBF | Hersteller : International Rectifier |  Description: IRF3703 - 12V-300V N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 76A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V | auf Bestellung 7812 Stücke:Lieferzeit 10-14 Tag (e) | 
 | ||||||||||
|   | IRF3703PBF | Hersteller : Infineon Technologies |  MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC | auf Bestellung 1200 Stücke:Lieferzeit 10-14 Tag (e) | 
 | ||||||||||
|   | IRF3703PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |  Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 210A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 1 Stücke:Lieferzeit 7-14 Tag (e) | 
 | ||||||||||
|   | IRF3703PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |  Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 210A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube | auf Bestellung 1 Stücke:Lieferzeit 14-21 Tag (e) | 
 | ||||||||||
|   | IRF3703PBF | Hersteller : INFINEON |  Description: INFINEON - IRF3703PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 210 A, 2800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2427 Stücke:Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||
|   | IRF3703PBF | Hersteller : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 500 Stücke:Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||
| IRF3703PBF | Hersteller : International Rectifier HiRel Products |  Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 4362 Stücke:Lieferzeit 14-21 Tag (e) | 
 | |||||||||||
|   | IRF3703PBF Produktcode: 33794 
            
                            zu Favoriten hinzufügen
                Lieblingsprodukt
                 | Hersteller : IR |  Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 30 Idd,A: 210 Rds(on), Ohm: 0.0028 Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209 JHGF: THT | Produkt ist nicht verfügbar | 
 |