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IRF3703PBF

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IRSDS10432-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Produktcode: 33794
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 30
Idd,A: 210
Rds(on), Ohm: 0.0028
Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209
JHGF: THT
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IRF3703PBF IRF3703PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf3703datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3703PBF IRF3703PBF Hersteller : International Rectifier IRSDS10432-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF3703 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
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IRF3703PBF IRF3703PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF3703_DataSheet_v01_01_EN-3362904.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC
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IRF3703PBF IRF3703PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F60B7C9FAF0F1A303005056AB0C4F&compId=irf3703pbf.pdf?ci_sign=09e7d33b780a65393a9f6976e90f8401411e90b8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
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IRF3703PBF IRF3703PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F60B7C9FAF0F1A303005056AB0C4F&compId=irf3703pbf.pdf?ci_sign=09e7d33b780a65393a9f6976e90f8401411e90b8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
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IRF3703PBF IRF3703PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012732056-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3703PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 210 A, 0.0028 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRF3703PBF IRF3703PBF Hersteller : Infineon Technologies irf3703pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3703PBF Hersteller : International Rectifier HiRel Products IRSDS10432-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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