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IRF7201TRPBF

IRF7201TRPBF

irf7201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f13efb1ada
Produktcode: 42753
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7,3 A
Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 550/19
JHGF: SMD
auf Bestellung 2999 Stück:
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Technische Details IRF7201TRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:30V
  • Continuous Drain Current, Id:7A
  • On Resistance, Rds(on):50mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V
  • Package/Case:8-SO

Analogon IRF7201TRPBF IR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF7201PBF IRF7201PBF
Produktcode: 24055
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Hersteller : IR IRF7201PBF.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 07.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 550/19
JHGF: SMD
auf Bestellung 69 Stück:
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IRF7201TRPBF IRF7201TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7201.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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IRF7201TRPBF IRF7201TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002900721-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 39 Stücke:
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IRF7201TRPBF IRF7201TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002900721-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRF7201TRPBF IRF7201TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7201.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7201TRPBF Hersteller : INTERNATIONAL RECTIFIER irf7201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f13efb1ada MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
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IRF7201TRPBF IRF7201TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7201.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7201TRPBF IRF7201TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f13efb1ada Description: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
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IRF7201TRPBF IRF7201TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f13efb1ada Description: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
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IRF7201TRPBF IRF7201TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRF7201-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 30V 7A 30mOhm 19nC
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Uds,V: 30
Id,A: 10
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
/: SMD
verfügbar: 130 Stück
15 Stück - stock Köln
115 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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100+0.31 EUR
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IRLML0030TRPBF
Produktcode: 37076
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irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df
IRLML0030TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 05.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.382
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 10760 Stück
60 Stück - stock Köln
10700 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.09 EUR
10+0.08 EUR
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10uF 50V X5R 10% 1206 (CL31A106KBHNNNE-Samsung)
Produktcode: 52241
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Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 10uF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X5R
Präzision: ±10% K
Gro?entyp: 1206
auf Bestellung 3176 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1526
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10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
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Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10 Ohm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 22674 Stück
3474 Stück - stock Köln
19200 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 30000 Stück
30000 Stück - erwartet
Anzahl Preis
10+0.005 EUR
100+0.0034 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Rds(on), Ohm: 0.029
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Bem.: Керування логічним рівнем
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verfügbar: 9587 Stück
8 Stück - stock Köln
9579 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 200 Stück
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