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IRF7201TRPBF

IRF7201TRPBF

infineon-irf7201-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f13efb1ada
Produktcode: 42753
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Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 7,3 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,03 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 550/19
Montage: SMD
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Technische Details IRF7201TRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:30V
  • Continuous Drain Current, Id:7A
  • On Resistance, Rds(on):50mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V
  • Package/Case:8-SO

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF7201TRPBF IRF7201TRPBF INFINEON INFN-S-A0002900721-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF7201TRPBF IRF7201TRPBF Infineon Technologies irf7201.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRF7201TRPBF INTERNATIONAL RECTIFIER infineon-irf7201-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f13efb1ada description MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
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IRF7201TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRF7201TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7201TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Hersteller: INTERNATIONAL RECTIFIER
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
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IRLML0030TRPBF
Produktcode: 37076
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IRLML0030TRPBF
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 5,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 382/2,6
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 60 St.
  • 60 St. - stock Köln
erwartet: 21000 St.
  • 21000 St. - erwartet 13.08.2026
auf Bestellung: 2176 St.
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AnzahlPrivatkunde
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10+0.18 EUR
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IRF7416TRPBF
Produktcode: 25625
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irf7416.pdf
IRF7416TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/61
Montage: SMD
verfügbar: 15 St.
  • 15 St. - stock Köln
erwartet: 400 St.
  • 400 St. - erwartet 13.08.2026
AnzahlPrivatkunde
1+1.02 EUR
10+0.88 EUR
100+0.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 1526
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10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 10 Ohm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
verfügbar: 3474 St.
  • 3474 St. - stock Köln
erwartet: 30000 St.
  • 30000 St. - erwartet 29.08.2026
auf Bestellung: 5700 St.
  • 5700 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.006 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BDW94C (TO-220, ST)
Produktcode: 1600
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BDW93C,94B,94C.pdf
BDW94C (TO-220, ST)
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
Spannung Uce, V: 100 V
Spannung Ucb, V: 100 V
Strom Ic, A: 12 A
Stromverstärkung h21, max: 20000
Bemerkung: Darlington
auf Bestellung: 211 St.
  • 211 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.3 EUR
10+1.17 EUR
100+0.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB882
Produktcode: 15197
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2SB882.pdf
2SB882
Hersteller: Sanyo
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
Grenzfrequenz fT, MHz: 20 MHz
Spannung Uce, V: 60 V
Spannung Ucb, V: 70 V
Strom Ic, A: 10 A
Stromverstärkung h21, max: 5000
Bemerkung: Darlington
auf Bestellung: 32 St.
  • 32 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.37 EUR
10+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH