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IRF7201TRPBF

IRF7201TRPBF

irf7201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f13efb1ada
Produktcode: 42753
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7,3 A
Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 550/19
JHGF: SMD
auf Bestellung 3034 Stück:
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Technische Details IRF7201TRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:30V
  • Continuous Drain Current, Id:7A
  • On Resistance, Rds(on):50mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V
  • Package/Case:8-SO

Analogon IRF7201TRPBF IR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF7201PBF IRF7201PBF
Produktcode: 24055
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Hersteller : IR IRF7201PBF.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 07.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 550/19
JHGF: SMD
auf Bestellung 80 Stück:
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IRF7201TRPBF IRF7201TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7201.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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IRF7201TRPBF IRF7201TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7201_DataSheet_v01_01_EN-3223928.pdf MOSFETs MOSFT 30V 7A 30mOhm 19nC
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IRF7201TRPBF IRF7201TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002900721-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRF7201TRPBF IRF7201TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002900721-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRF7201TRPBF IRF7201TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7201.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7201TRPBF Hersteller : INTERNATIONAL RECTIFIER irf7201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f13efb1ada MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
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IRF7201TRPBF IRF7201TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7201.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7201TRPBF IRF7201TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IRF7201TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRF7201TRPBF IRF7201TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f13efb1ada Description: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
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IRF7201TRPBF IRF7201TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f13efb1ada Description: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
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IRF7201TRPBF IRF7201TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IRF7201TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
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IRF7416TRPBF
Produktcode: 25625
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irf7416.pdf
IRF7416TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 10
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
/: SMD
verfügbar: 306 Stück
15 Stück - stock Köln
291 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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IRLML0030TRPBF
Produktcode: 37076
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irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df
IRLML0030TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 05.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.382
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 23586 Stück
60 Stück - stock Köln
23526 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.09 EUR
10+0.08 EUR
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1000uF 63V ELP 22x25mm (ELP102M63BA-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 2375
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ELP_080522.pdf
1000uF 63V ELP 22x25mm (ELP102M63BA-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 63V
Reihe: ELP
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 22x25mm
Lebensdauer: 22х25mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 84 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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10+0.70 EUR
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IRF7832TRPBF
Produktcode: 30646
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description irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16
IRF7832TRPBF
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4310/34
JHGF: SMD
auf Bestellung 78 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6344TRPBF
Produktcode: 42697
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irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c
IRLML6344TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 5
Rds(on), Ohm: 0.029
Ciss, pF/Qg, nC: 08.06.650
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 6139 Stück
8 Stück - stock Köln
6131 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.25 EUR
10+0.19 EUR
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