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IRF840APBF (TO-220AB, Vishay)

IRF840APBF (TO-220AB, Vishay)

Produktcode: 35892
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Hersteller: Vishay
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1018/38
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF840APBF IRF840APBF Vishay 91065.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
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62+2.81 EUR
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100+1.96 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
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IRF840APBF IRF840APBF Vishay 91065.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBF IRF840APBF Vishay 91065.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBF IRF840APBF Vishay 91065.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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500+2.03 EUR
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IRF840APBF IRF840APBF VISHAY IRF840A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
auf Bestellung 608 Stücke:
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24+3.56 EUR
39+2.19 EUR
50+1.94 EUR
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Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IRF840APBF IRF840APBF Vishay 91065.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF840APBF IRF840APBF Vishay Semiconductors 91065.pdf MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
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IRF840APBF IRF840APBF VISHAY VISH-S-A0019267830-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
auf Bestellung 2741 Stücke:
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47+5.34 EUR
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IRF840APBF IRF840APBF Vishay Siliconix 91065.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
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IRF840APBF 91065.pdf TO-220AB Транзистори
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IRF840APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF840APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
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IRF840APBF 91065.pdf
IRF840APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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AnzahlPrivatkunde
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500+1.93 EUR
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IRF840APBF
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Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF840APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
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39+2.19 EUR
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IRF840APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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55+3.12 EUR
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IRF840APBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1743 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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10+3.12 EUR
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IRF840APBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
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IRF840APBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
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100+3.31 EUR
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TO-220AB Транзистори
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TLP627
Produktcode: 31733
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description tlp627_en_datasheet.pdf
TLP627
Hersteller: China
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-4
Typ: Transistor
Isolationsspannung Uisol, kV: 5 kV
Strom ein/aus Iein/Iaus, mA: 60/150 mA
Ausgangsspannung Uausg, V: 300 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, µs: -
Betriebstemperatur, °C: -
Kanalanzahl: 1
auf Bestellung: 23 St.
  • 23 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.52 EUR
100+0.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
220uH 10% (DR 0912 220uH Bochen) (Idc=1,0А, Rdc max=0.5 Ohm, radiale Anschlüsse, d=9mm, h=12mm)
Produktcode: 123704
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dvk10000k-datasheet.pdf
220uH 10% (DR 0912 220uH Bochen) (Idc=1,0А, Rdc max=0.5 Ohm, radiale Anschlüsse, d=9mm, h=12mm)
Hersteller: Bochen
Drosseln > Induktivitäten (Drosseln) Leistungsabgabe
Nennwert: 220 мкГн
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs, drahtgewickelt auf Ferrit Trommelkern, 220µH±10%, Idc=1.0A, Rdc max=0.5 Ohm, radiale Anschlüsse, d=9mm, h=12mm
Typ: DR0912
Abmessungen: d=9 мм; h=12 мм
Betriebsstrom, A: 1 A
auf Bestellung: 810 St.
  • 810 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.55 EUR
10+0.48 EUR
100+0.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK60Z
Produktcode: 14727
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STP10NK60Z.pdf
STP10NK60Z
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1370/50
Montage: THT
auf Bestellung: 185 St.
  • 185 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.73 EUR
10+1.55 EUR
100+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5363B
Produktcode: 14743
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1n5345b-1n5388b.pdf
1N5363B
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-201
Stabilisierungsspannung Vz, V: 30 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 40 mA
Verlustleistung Pd, W: 5 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: -
auf Bestellung: 1212 St.
  • 1212 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.21 EUR
10+0.2 EUR
100+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX85-C9V1
Produktcode: 18217
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
BZX85C.pdf
BZX85-C9V1
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Stabilisierungsspannung Vz, V: 9,1 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 25 mA
Verlustleistung Pd, W: 1 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: -
auf Bestellung: 758 St.
  • 758 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.067 EUR
100+0.051 EUR
1000+0.045 EUR
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