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Technische Details IRFBF30PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFBF30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 3.6 A, 3.7 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote IRFBF30PBF nach Preis ab 0.99 EUR bis 7.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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IRFBF30PBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBF30PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 900V 3.6A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 394 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFBF30PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
auf Bestellung 522 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFBF30PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBF30PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFBF30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 3.6 A, 3.7 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm SVHC: To Be Advised |
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| IRFBF30PBF | Hersteller : VISHAY |
IRFBF30 THT N channel transistors |
auf Bestellung 739 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFBF30PBF Produktcode: 85247
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Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 900 V Idd,A: 3,6 A Rds(on), Ohm: 3,7 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1200/78 JHGF: THT |
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IRFBF30PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |