IRFBF30PBF

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Produktcode: 85247
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Hersteller:
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 900 V
Idd,A: 3,6 A
Rds(on), Ohm: 3,7 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/78
JHGF: THT
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IRFBF30PBF IRFBF30PBF Vishay 91122.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 760 Stücke:
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IRFBF30PBF IRFBF30PBF Vishay 91122.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBF30PBF IRFBF30PBF Vishay 91122.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBF30PBF IRFBF30PBF VISHAY IRFBF30.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 288 Stücke:
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28+2.63 EUR
49+1.49 EUR
55+1.32 EUR
59+1.23 EUR
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IRFBF30PBF IRFBF30PBF Vishay Semiconductors 91122.pdf MOSFETs TO220 900V 3.6A N-CH MOSFET
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1000+2.15 EUR
2000+2.06 EUR
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IRFBF30PBF IRFBF30PBF Vishay Siliconix 91122.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
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3+7.29 EUR
50+3.77 EUR
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IRFBF30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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MOSFETs TO220 900V 3.6A N-CH MOSFET
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
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3+7.29 EUR
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Микропереключатель SPDT с роликом, 3 контакта, 1A 125VAC
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Микропереключатель SPDT с роликом, 3  контакта, 1A 125VAC
Passive Bauelemente > Schalter, Schubschalter, Kippschalter (alle außer Knopf/Tasten)
Gruppe: Мікроперемикачі
Ausg. oder SMD : THT
Beschreibung: SPDT, з роликом
2
1 A / 125VAC
auf Bestellung 79 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 150 St.:
150 St. - erwartet 04.07.2026
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRS-201-3 зеленая, ON-OFF DPST (переключатель клавишный, rocker)
Produktcode: 110881
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
11-0350_20IRS-201-3C.png
Hersteller: Global Tone
Passive Bauelemente > Schalter, Schubschalter, Kippschalter (alle außer Knopf/Tasten)
Gruppe: Перемикач Rocker
Ausg. oder SMD : Клеми з отвором
Abmessungen: 34x21,2x32 mm
Beschreibung: Переклюач ON-OFF DPST, зелений з підсвічуванням
2
15 A / 250 VAC
Зелений
auf Bestellung 310 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT139-800G,127
Produktcode: 53433
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b1t39-800g-112287-datasheet.pdf
BT139-800G,127
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Triacs
Gehäuse: TO-220AB
Umax, V: 800 V
I-auf, mA: 50 mA
I max, A: 16 A
auf Bestellung 54 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MER 2,2uF 100V K(+/-10%), P=20mm, 12.5x21x24mm (MER225K2AB-Hitano)
Produktcode: 41901
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MER_070523.pdf
MER 2,2uF 100V K(+/-10%), P=20mm, 12.5x21x24mm (MER225K2AB-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 2,2uF
Nennspannung, V: 100VDC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: P=20mm, 12,5x21x24mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MER225K2AB
ZCODE: 8532 29 00 00
auf Bestellung 755 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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10+0.39 EUR
100+0.28 EUR
1000+0.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50NC60W
Produktcode: 38440
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
STGW50NC60W.pdf
STGW50NC60W
Hersteller: ST
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 2,6
Ic 25: 100
Ic 100: 55
Pd 25: 285
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 52/31
auf Bestellung 32 St.:
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1+3.1 EUR
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