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IRFBF30PBF

IRFBF30PBF

irfbf30pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 85247
Hersteller:
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 900 V
Idd,A: 3,6 A
Rds(on), Ohm: 3,7 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/78
JHGF: THT
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IRFBF30PBF IRFBF30PBF Hersteller : Vishay 91122.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBF30PBF IRFBF30PBF Hersteller : Vishay 91122.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBF30PBF IRFBF30PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A7F8E2DC9E469&compId=IRFBF30.pdf?ci_sign=c35b4d19349efa03f7c0a0a5e151c3028ead9b33 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 752 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.19 EUR
48+1.52 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 33
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IRFBF30PBF IRFBF30PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A7F8E2DC9E469&compId=IRFBF30.pdf?ci_sign=c35b4d19349efa03f7c0a0a5e151c3028ead9b33 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFBF30PBF IRFBF30PBF Hersteller : Vishay Semiconductors 91122.pdf MOSFETs TO220 900V 3.6A N-CH MOSFET
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1+4.15 EUR
10+3.57 EUR
25+2.48 EUR
100+2.38 EUR
500+2.13 EUR
1000+1.99 EUR
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IRFBF30PBF IRFBF30PBF Hersteller : Vishay Siliconix 91122.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.56 EUR
50+2.73 EUR
100+2.7 EUR
500+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IRFBF30PBF IRFBF30PBF Hersteller : Vishay 91122.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBF30PBF IRFBF30PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013329350-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBF30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 3.6 A, 3.7 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 7 Stücke:
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IRFBF30PBF IRFBF30PBF Hersteller : Vishay 91122.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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50 kOhm 3296W-1-503-Bourns (Potentiometer Trimmer Multiturn 3/8" Ausfuhrungs-, Einstellung oben; 9,53x10,03x4,83mm)
Produktcode: 26712
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3296.pdf
50 kOhm 3296W-1-503-Bourns (Potentiometer Trimmer Multiturn 3/8" Ausfuhrungs-, Einstellung oben; 9,53x10,03x4,83mm)
+1
Widerstande Trimmer > Widerstand Trimmer THT
Nennwert: 50 kOhm
Serie: 3296W
Beschreibung: Trimmer, Ausfuhrungs-, Multiturn, Einstellung oben
Abmessungen: 9,53x10,03x4,83mm
Тип монтажу: Вертикальний
Потужність: 0,5 W
Механізм роботи: Багатооборотний
verfügbar: 50 Stück
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IRLML5203TRPBF
Produktcode: 25596
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irlml5203pbf-datasheet.pdf
IRLML5203TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Id,A: 3
Rds(on),Om: 0.098
Ciss, pF/Qg, nC: 510/9.5
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
ZCODE: 8541 29 00 90
auf Bestellung 5821 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.13 EUR
10+0.11 EUR
100+0.1 EUR
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4,7uF 400V EHR 10x16 (EHR4R7M2GB-Hitano)
Produktcode: 19765
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EHR_081225.pdf
4,7uF 400V EHR 10x16 (EHR4R7M2GB-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 4,7uF
Nennspannung: 400V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -25...+105°C
Abmessungen: 10x16mm
Lebensdauer: 10х16mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 4143 Stück
295 Stück - stock Köln
3848 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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10+0.12 EUR
100+0.087 EUR
1000+0.079 EUR
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51 Ohm 5% 2W Ausfuhr. (MOR200SJTB-51R-Hitano)
Produktcode: 12346
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MOR_080911.pdf
51 Ohm 5% 2W Ausfuhr. (MOR200SJTB-51R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 2W
Resistenz: 51 Ohm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
P Nenn.,W: 2W
U Betriebs.,V: 500V
Abmessungen: 11x4,0mm, DAusfuhr.=0,76mm
Typ: Metalloxid miniatur
-55...+125°C
№ 7: 8533210000
auf Bestellung 481 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.035 EUR
10+0.03 EUR
100+0.02 EUR
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10uF 63V EHR 5x11mm (EHR100M63B-Hitano)
Produktcode: 3048
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EHR_081225.pdf
10uF 63V EHR 5x11mm (EHR100M63B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 10uF
Nennspannung: 63V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 2779 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.018 EUR
1000+0.016 EUR
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