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IRFBF30PBF

IRFBF30PBF

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Produktcode: 85247
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Hersteller:
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 В
Drain-Strom Idd, A: 3,6 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,7 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/78
Montage: THT
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IRFBF30PBF IRFBF30PBF Vishay 91122.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 760 Stücke:
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81+2.17 EUR
82+2.12 EUR
100+2.06 EUR
500+2 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
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IRFBF30PBF IRFBF30PBF Vishay 91122.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 765 Stücke:
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IRFBF30PBF IRFBF30PBF Vishay 91122.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 288 Stücke:
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68+2.58 EUR
72+2.4 EUR
100+2.25 EUR
250+2.13 EUR
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IRFBF30PBF IRFBF30PBF Vishay Semiconductors 91122.pdf MOSFETs TO220 900V 3.6A N-CH MOSFET
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100+3.06 EUR
500+2.57 EUR
1000+2.56 EUR
2000+2.45 EUR
5000+2.39 EUR
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IRFBF30PBF IRFBF30PBF Vishay Siliconix 91122.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
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3+8.68 EUR
50+4.49 EUR
100+4.08 EUR
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IRFBF30PBF IRFBF30PBF VISHAY IRFBF30.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.3A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
Gate charge: 78nC
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IRFBF30PBF IRFBF30PBF VISHAY VISH-S-A0013329350-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBF30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 3.6 A, 3.7 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 7 Stücke:
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IRFBF30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 760 Stücke:
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IRFBF30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBF30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBF30PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 900V 3.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 952 Stücke:
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IRFBF30PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
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IRFBF30PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.3A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
Gate charge: 78nC
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IRFBF30PBF VISH-S-A0013329350-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFBF30PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBF30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 3.6 A, 3.7 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: To Be Advised
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BT139-800G,127
Produktcode: 53433
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b1t39-800g-112287-datasheet.pdf
BT139-800G,127
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Triacs
Gehäuse: TO-220AB
Umax, V: 800 В
I-auf, mA: 50 мА
Imax, A: 16 А
auf Bestellung: 34 St.
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1+1.73 EUR
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MER 2,2uF 100V K (+/-10%), P = 20mm, 12.5x21x24mm (MER225K2AB-Hitano) (Folienkondensator)
Produktcode: 41901
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MER_070523.pdf
MER 2,2uF 100V K (+/-10%), P = 20mm, 12.5x21x24mm (MER225K2AB-Hitano) (Folienkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 2,2 µF
Nennspannung, V: 100 VDC
Präzision: ±10% K
Anschlussraster und Abmessungen: 20 mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Gehäusegröße: 12,5x21x24 mm
Part Nummer: MER225K2AB
ZCODE: 8532 29 00 00
auf Bestellung: 185 St.
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AnzahlPrivatkunde
3+0.5 EUR
10+0.46 EUR
100+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 St.
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STGW50NC60W
Produktcode: 38440
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STGW50NC60W.pdf
STGW50NC60W
Hersteller: ST
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,6 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 100 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 55 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 285 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 52/31
auf Bestellung: 29 St.
  • 29 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.16 EUR
10+4.65 EUR
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SN74HC14N
Produktcode: 29733
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description sn74hc14.pdf?ts=1638587495517
SN74HC14N
Hersteller: TI
IC > IC Logik
Gehäuse: DIP-14
Beschreibung: Sechsfach-Schmitt-Trigger Inverter
Montage: THT (Durchsteckmontage)
Versorgung, V: 2...6 V
Temperatur, °C: -40...+85°C
Logikgatter-Typ: Schmitt-Trigger
auf Bestellung: 199 St.
  • 199 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+0.7 EUR
10+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
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50 kOhm 3296W-1-503-Bourns (Potentiometer Trimmer Mehrgang 3/8" bedrahtet, Obeneinstellung; 9,53x10,03x4,83mm)
Produktcode: 26712
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3296.pdf
50 kOhm 3296W-1-503-Bourns (Potentiometer Trimmer Mehrgang 3/8" bedrahtet, Obeneinstellung; 9,53x10,03x4,83mm)50 kOhm 3296W-1-503-Bourns (Potentiometer Trimmer Mehrgang 3/8" bedrahtet, Obeneinstellung; 9,53x10,03x4,83mm)
50 kOhm 3296W-1-503-Bourns (Potentiometer Trimmer Mehrgang 3/8" bedrahtet, Obeneinstellung; 9,53x10,03x4,83mm)50 kOhm 3296W-1-503-Bourns (Potentiometer Trimmer Mehrgang 3/8" bedrahtet, Obeneinstellung; 9,53x10,03x4,83mm)
Widerstande Trimmer > Widerstand Trimmer THT
Nennwert: 50 kOhm
Serie: 3296W
Beschreibung: Trimmer, bedrahtet, Mehrgang, Obeneinstellung
Abmessungen: 9,53x10,03x4,83 mm
Montageart: Vertikal
Leistung: 0,5 Вт
Wirkmechanismus: Mehrgang
verfügbar: 50 St.
  • 50 St. - stock Köln
AnzahlPrivatkunde
4+0.39 EUR
10+0.36 EUR
100+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH