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IRFI640G

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Technische Details IRFI640G

  • MOSFET, N FULLPAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:200V
  • Cont Current Id:9.8A
  • On State Resistance:0.18ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Case Style:TO-220 Fullpak
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Isolation voltage:2.5kV
  • Max Voltage Vds:200V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:40W
  • Power Dissipation Pd:40W
  • Pulse Current Idm:39A
  • Transistor Case Style:TO-220

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRFI640G IRFI640G Vishay Siliconix 91150.pdf description Description: MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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IRFI640G IRFI640G Vishay / Siliconix 91150.pdf description MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
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IRFI640G description 91150.pdf
IRFI640G
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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IRFI640G
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
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Resistenz: 2,2 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,33 W
U Betriebs.,V: 200 V
Größe Typ: 1210
auf Bestellung 1190 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1,2 kOhm 5% 1/2W 200V 1210 (RC1210JR-1K2R-Hitano)
Hersteller: Hitano
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Resistenz: 1,2 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,33 W
U Betriebs.,V: 200 V
Größe Typ: 1210
auf Bestellung 2370 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Farbe (Wellenlänge): rot (620…630nm)
Typ: 3,5x3,5x2,0mm
Spannungsfall, V: 2,2 V
Lichtstärke / Lichtstrom: 45,7...51,7 lm
Lichtwinkel: 110°
Довжина хвилі: 620...630нм
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPreis
1+2.26 EUR
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