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IRFI740G

IRFI740G

sihfi740jh67g4.pdf
Produktcode: 77936
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
Drain-Strom Idd, A: 3,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1370/66
Montage: THT
auf Bestellung: 14 St.
  • 14 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details IRFI740G IR

  • MOSFET, N FULLPAK
  • Transistor Polarity:N
  • Max Voltage Vds:400V
  • On State Resistance:0.55ohm
  • Power Dissipation:40W
  • Transistor Case Style:TO-220
  • No. of Pins:3
  • Case Style:TO-220 Fullpak
  • Cont Current Id:5.4A
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Isolation voltage:2.5kV
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation Pd:40W
  • Pulse Current Idm:22A
  • Transistor Type:MOSFET

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFI740G IRFI740G Siliconix info-tirf740%20iso.pdf description N-MOSFET 5.7A 400V 40W 0.55Ω IRFI740G TIRF740 iso
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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IRFI740G description info-tirf740%20iso.pdf
IRFI740G
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 5.7A 400V 40W 0.55Ω IRFI740G TIRF740 iso
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Drain-Strom Idd, A: 9,2 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/16
Montage: THT
auf Bestellung: 117 St.
  • 117 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 9,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 575/35
Montage: THT
verfügbar: 2 St.
  • 2 St. - stock Köln
auf Bestellung: 221 St.
  • 221 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.62 EUR
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